SU384161A1 - Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду - Google Patents

Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду

Info

Publication number
SU384161A1
SU384161A1 SU1151672A SU1151672A SU384161A1 SU 384161 A1 SU384161 A1 SU 384161A1 SU 1151672 A SU1151672 A SU 1151672A SU 1151672 A SU1151672 A SU 1151672A SU 384161 A1 SU384161 A1 SU 384161A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
alloy
thermo
melting silicon
compensating electrode
silicon
Prior art date
Application number
SU1151672A
Other languages
English (en)
Inventor
П. Ксенофонтов О.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1151672A priority Critical patent/SU384161A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU384161A1 publication Critical patent/SU384161A1/ru

Links

Description

1
Изобретение относитс  к иолу роводниковой электрани1ке и может быть ислользовано ари изготовлении |Полу)Про(во никовых п-риборов .
При изiгoтoвлeнии пoлyпpaвoдниlкoвыix приборов из кремни  в -качестве омичеокого контакта при1мен ют с1пла)в, в «оторый вход т Ag, Pb, Sb. Кремний триштавл ют этим сплаво-м к .мо1КОМ1пенси1рующему электроду (из вольфрама или молибдена),  мею:щему примерно такой же коэффициент термического расширени , как и «ремиий. Дл  качественного сплавлени  (cepeidpo .плохо с-мачивает вольфрам и молибден) терМОКОМ;пенси1руЮ:Щ1 е электроды нткелируют, а затем серебр т.
Однако никель при оплавлении может отслаиватьс ; кроме ТОГО, необходимо весьма точно лад держивать температурный режим: павышение температуры приводит к тому, что гальванически осажденный никель раствор етс  в кремнии, вызыва  большие внутренни. нарр женн .
Цель изобретени  - снижение температу ры спла-вленип и улучшение х ар актер истп:полупроводни;кового прибор а.
Цель достигаетс  добавлан1 ем в сплав н.. основе серебра и свинца с примесью легирующих элементов никел  в .количество 0,2-5 1вес. %.
Предмет изобретени 

Claims (2)

1.Сплав дл  приплавлени  кремни  к термокомпенсируюш ,ему электроду на основе серабра и свинца с примесью легирующих элементов , отличающийс  тем, что, с целью улучщени  характеристик полупроводниковогс прибора и снижени  температуры сплавлени , в него введен ни.кель.
2.Спла-в по п. 1, отличающийс  тем, что содержание никел  составл ет 0,2-5 вес. %.
SU1151672A 1967-04-27 1967-04-27 Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду SU384161A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1151672A SU384161A1 (ru) 1967-04-27 1967-04-27 Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1151672A SU384161A1 (ru) 1967-04-27 1967-04-27 Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU384161A1 true SU384161A1 (ru) 1973-05-23

Family

ID=20440502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1151672A SU384161A1 (ru) 1967-04-27 1967-04-27 Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU384161A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2937960A (en) Method of producing rectifying junctions of predetermined shape
GB807959A (en) Fused junction semiconductor devices
GB937438A (en) Method of applying contacts to a semiconductor body
SU384161A1 (ru) Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду
GB797304A (en) Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor devices
US3209218A (en) Silicon semiconductor device
GB950849A (en) A semi-conductor device
GB1198884A (en) Silicon Semiconductor with Metal-Silicide Heterojunction
US3297855A (en) Method of bonding
US2931960A (en) Electric semiconductor p-nu junction devices and method of producing them
SU450673A1 (ru) Припой дл пайки узлов электровакуумных приборов
GB983106A (en) Semiconductor device and method of manufacture
GB917646A (en) Method of making a semi-conductor signal-translating device
GB1001254A (en) Improvements in or relating to semiconductor materials
US2977262A (en) Semiconductor devices including gallium-containing electrodes
US2796368A (en) Method of making semi-conductor devices
US3012316A (en) Attaching leads to silicon semiconductor devices
GB951121A (en) Copper base alloys
US3261725A (en) Device comprising a iii-v compound semiconductor body and at least one contact to said body
US2929137A (en) Method of making ohmic connections to silicon semiconductor devices
SU134736A1 (ru) Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов
US2940023A (en) Transistor
SU438722A1 (ru) Сплав на основе галли
US2985807A (en) Semi-conductor devices
SU123395A1 (ru) Способ пайки па льником термоэлементов из тройных сплавов