SU384161A1 - Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду - Google Patents
Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электродуInfo
- Publication number
- SU384161A1 SU384161A1 SU1151672A SU1151672A SU384161A1 SU 384161 A1 SU384161 A1 SU 384161A1 SU 1151672 A SU1151672 A SU 1151672A SU 1151672 A SU1151672 A SU 1151672A SU 384161 A1 SU384161 A1 SU 384161A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- alloy
- thermo
- melting silicon
- compensating electrode
- silicon
- Prior art date
Links
Description
1
Изобретение относитс к иолу роводниковой электрани1ке и может быть ислользовано ари изготовлении |Полу)Про(во никовых п-риборов .
При изiгoтoвлeнии пoлyпpaвoдниlкoвыix приборов из кремни в -качестве омичеокого контакта при1мен ют с1пла)в, в «оторый вход т Ag, Pb, Sb. Кремний триштавл ют этим сплаво-м к .мо1КОМ1пенси1рующему электроду (из вольфрама или молибдена), мею:щему примерно такой же коэффициент термического расширени , как и «ремиий. Дл качественного сплавлени (cepeidpo .плохо с-мачивает вольфрам и молибден) терМОКОМ;пенси1руЮ:Щ1 е электроды нткелируют, а затем серебр т.
Однако никель при оплавлении может отслаиватьс ; кроме ТОГО, необходимо весьма точно лад держивать температурный режим: павышение температуры приводит к тому, что гальванически осажденный никель раствор етс в кремнии, вызыва большие внутренни. нарр женн .
Цель изобретени - снижение температу ры спла-вленип и улучшение х ар актер истп:полупроводни;кового прибор а.
Цель достигаетс добавлан1 ем в сплав н.. основе серебра и свинца с примесью легирующих элементов никел в .количество 0,2-5 1вес. %.
Предмет изобретени
Claims (2)
1.Сплав дл приплавлени кремни к термокомпенсируюш ,ему электроду на основе серабра и свинца с примесью легирующих элементов , отличающийс тем, что, с целью улучщени характеристик полупроводниковогс прибора и снижени температуры сплавлени , в него введен ни.кель.
2.Спла-в по п. 1, отличающийс тем, что содержание никел составл ет 0,2-5 вес. %.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1151672A SU384161A1 (ru) | 1967-04-27 | 1967-04-27 | Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1151672A SU384161A1 (ru) | 1967-04-27 | 1967-04-27 | Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU384161A1 true SU384161A1 (ru) | 1973-05-23 |
Family
ID=20440502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1151672A SU384161A1 (ru) | 1967-04-27 | 1967-04-27 | Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU384161A1 (ru) |
-
1967
- 1967-04-27 SU SU1151672A patent/SU384161A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2937960A (en) | Method of producing rectifying junctions of predetermined shape | |
GB807959A (en) | Fused junction semiconductor devices | |
GB937438A (en) | Method of applying contacts to a semiconductor body | |
SU384161A1 (ru) | Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду | |
GB797304A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor devices | |
US3209218A (en) | Silicon semiconductor device | |
GB950849A (en) | A semi-conductor device | |
GB1198884A (en) | Silicon Semiconductor with Metal-Silicide Heterojunction | |
US3297855A (en) | Method of bonding | |
US2931960A (en) | Electric semiconductor p-nu junction devices and method of producing them | |
SU450673A1 (ru) | Припой дл пайки узлов электровакуумных приборов | |
GB983106A (en) | Semiconductor device and method of manufacture | |
GB917646A (en) | Method of making a semi-conductor signal-translating device | |
GB1001254A (en) | Improvements in or relating to semiconductor materials | |
US2977262A (en) | Semiconductor devices including gallium-containing electrodes | |
US2796368A (en) | Method of making semi-conductor devices | |
US3012316A (en) | Attaching leads to silicon semiconductor devices | |
GB951121A (en) | Copper base alloys | |
US3261725A (en) | Device comprising a iii-v compound semiconductor body and at least one contact to said body | |
US2929137A (en) | Method of making ohmic connections to silicon semiconductor devices | |
SU134736A1 (ru) | Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов | |
US2940023A (en) | Transistor | |
SU438722A1 (ru) | Сплав на основе галли | |
US2985807A (en) | Semi-conductor devices | |
SU123395A1 (ru) | Способ пайки па льником термоэлементов из тройных сплавов |