SU134736A1 - Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов - Google Patents
Способ коммутации полупроводниковых термоэлементовInfo
- Publication number
- SU134736A1 SU134736A1 SU660136A SU660136A SU134736A1 SU 134736 A1 SU134736 A1 SU 134736A1 SU 660136 A SU660136 A SU 660136A SU 660136 A SU660136 A SU 660136A SU 134736 A1 SU134736 A1 SU 134736A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- thermoelements
- switching method
- indium
- gallium
- semiconductor thermoelements
- Prior art date
Links
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Description
Известные способы коммутации полупроводниковых термоэлементов с помощью висмута, олова, никел , сурьмы и сплавов на основе этих элементов требуют дл нагрева высокой температуры (до 180-20Q), что вредно отражаетс на качестве термоэлементов. Кроме того, сопротивлени переходных контактов могут достигать значительной части величины общего сопротивлени термоэлементов, что снижает эффекти-зность их действи .
Дл снижени электрического сопротивлени в местах соединени иетвей термоэлемента с металлическими пластинками предлагаетс 5 качестве припо примен ть сплав индий-галий жидкой эвтектики.
Элементы индий и галий, вз тые в количестве 16,5% гали и 83,5% инди , образуют р д твердых )астворов и эвтектическую точку с температурой плавлени +15,7
Расплавленный сплав индий-галий имеет хорошую смачиваемость; поэтому его можно примен ть дл облуживани материалов, используемых в насто щее врем дл изготовлени термоэлементов. Образующа с при этом пленка имеет сопротивление пор дка ом/см. Облуживание производитс при комнатной температуре без прогрева, ч го очень важно при применении термоэлементов в холодильных установках.
При использовании сплава индий-галий дл коммутации термогенераторных пар, работающих при температуре 300-400, получаетс прочный контакт коммутируемых элементов и омическое сопротивление термоэлемента при этом не мен етс . Кроме того, коммутаци термоэлементов сплавом индий-галий значительно увеличивает срок их службы.
Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов путем припаивани термоэлементов к соединительным металлическим пластинкам, отличающийс тем, что, с целью снижени электрического сопротивлени в местах контакта ветвей термоэлемента с металлическими пластинками, в качестве припо примен ют сплав индий-галий жидкой эвтектики.
Предмет изобретени
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU660136A SU134736A1 (ru) | 1960-03-25 | 1960-03-25 | Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU660136A SU134736A1 (ru) | 1960-03-25 | 1960-03-25 | Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU134736A1 true SU134736A1 (ru) | 1960-11-30 |
Family
ID=48291090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU660136A SU134736A1 (ru) | 1960-03-25 | 1960-03-25 | Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU134736A1 (ru) |
-
1960
- 1960-03-25 SU SU660136A patent/SU134736A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2858350A (en) | Thermoelectric generator | |
| SU134736A1 (ru) | Способ коммутации полупроводниковых термоэлементов | |
| US3079455A (en) | Method and materials for obtaining low resistance bonds to bismuth telluride | |
| US3232719A (en) | Thermoelectric bonding material | |
| US3037064A (en) | Method and materials for obtaining low resistance bonds to thermoelectric bodies | |
| US3045057A (en) | Thermoelectric material | |
| GB1005352A (en) | Improvements in or relating to thermoelectric devices | |
| US3031516A (en) | Method and materials for obtaining low-resistance bonds to thermoelectric bodies | |
| US3362853A (en) | Thermoelectric modules | |
| US3306784A (en) | Epitaxially bonded thermoelectric device and method of forming same | |
| US3065534A (en) | Method of joining a semiconductor to a conductor | |
| US3017693A (en) | Method and materials for obtaining low resistance bonds to bismuth telluride | |
| US3249470A (en) | Method of joining thermoelectric elements and thermocouple | |
| US3063876A (en) | Preparation of junctions in silicon carbide members | |
| US3470033A (en) | Thermoelectric device comprising silicon alloy thermocouple legs bonded by a solder composed of palladium alloy | |
| US2931960A (en) | Electric semiconductor p-nu junction devices and method of producing them | |
| US3853632A (en) | Thermoelectric composition | |
| US3372469A (en) | Method and materials for obtaining low-resistance bonds to thermoelectric bodies | |
| US2929137A (en) | Method of making ohmic connections to silicon semiconductor devices | |
| US3370342A (en) | Fluxless soldering process for rare earth chalcogenides | |
| GB997184A (en) | Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices | |
| US3506498A (en) | Thermoelectric device including conductive granules for obtaining low resistance bonds | |
| SU384161A1 (ru) | Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду | |
| SU118690A1 (ru) | Жаропрочный припой | |
| US3054842A (en) | Thermoelectric composition |