SU382031A1 - METHOD OF CONTROL OF INTEGRAL SCHEMES - Google Patents
METHOD OF CONTROL OF INTEGRAL SCHEMESInfo
- Publication number
- SU382031A1 SU382031A1 SU1654398A SU1654398A SU382031A1 SU 382031 A1 SU382031 A1 SU 382031A1 SU 1654398 A SU1654398 A SU 1654398A SU 1654398 A SU1654398 A SU 1654398A SU 382031 A1 SU382031 A1 SU 382031A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- control
- circuit
- electron beam
- capacitor
- integrated circuit
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к области автоматики и контрольно-измерительной техники и может быть применено дл контрол интегральных схем с помощью электронного пучка.The invention relates to the field of automation and instrumentation technology and can be applied to control integrated circuits using an electron beam.
Известен способ контрол интегральных схем путем сканировани электронного пучка параллельно поверхности схем и сравнени муаровых картин, полученных при прохождении пучка через сетку и формировании теневых изображений на экране дл эталонной и контролируемой схем.A known method of controlling integrated circuits by scanning the electron beam parallel to the surface of the circuits and comparing the moire patterns obtained by passing the beam through the grid and forming shadow images on the screen for the reference and controlled circuits.
Однако этот способ малочувствителен и недостаточно точен из-за слабости магнитного пол интегральной схемы и наличи колебаний разности потенциалов в воздухе, завис щей от рассто ни по нормали к поверхности контролируемой схемы.However, this method is insensitive and insufficiently accurate due to the weakness of the magnetic field of the integrated circuit and the presence of oscillations of potential difference in air, depending on the distance along the normal to the surface of the controlled circuit.
Предлагаемый способ контрол отличаетс от известного тем, что на электронный пучок воздействуют электрическим полем, созданным внутри конденсатора, образованного схемой и металлической пластиной, а при локальном контроле отдельных элементов схемы на рабочую поверхность схемы накладывают металлическую пластину, имеющую отверстие по форме контролируемого элемента.The proposed control method differs from the known one in that the electron beam is affected by an electric field created inside a capacitor formed by a circuit and a metal plate, and during local control of individual circuit elements, a metal plate having an opening in the shape of the element under test is superimposed on the working surface of the circuit.
Это позвол ет повысить чувствительность и точность контрол .This makes it possible to increase the sensitivity and accuracy of the control.
Контроль интегральной .схемы производитс следующим образом.The control of the integrated circuit is performed as follows.
Распределение электрического потенциала по поверхности интегральной схемы вы вл ют за счет использовани контролируемой схемы в качестве одной из обкладок конденсатора.The distribution of the electric potential over the surface of the integrated circuit is revealed by using a controlled circuit as one of the capacitor plates.
В качестве другой обкладки конденсатора может использоватьс люба .металлическа пластина . К обкладкам конденсатора прикладываетс внешнее поле такой величины, котора вызывает сдвиг сетки - дву.мерной периодической структуры - на кратное число периодов сетки, т. е. вид сетки остаетс таким же, каким он был до приложени пол . Электронный пучок, с помощью которого производ т контроль , сканирует между обкладками полученного , конденсатора в плоскости, параллельной им. Если схема не работает, то поле внутри конденсатора посто нно и однородно. При включении схемы электрическое поле внутри конденсатора становитс неоднородным по ходу электронного пучка. Степень неоднородности пол определ етс распределением потенциала на поверхности интегральной схемы относительно ее ПОДЛОЖК1. При прохождении через конденсатор электронный пучок будетAny other metal plate can be used as another capacitor plate. An external field of such magnitude is applied to the capacitor plates, which causes the grid to shift — a two-dimensional periodic structure — for a multiple of the grid periods, i.e., the grid is the same as it was before the field was applied. The electron beam with which it produces control scans between the plates of the resulting capacitor in a plane parallel to it. If the circuit does not work, then the field inside the capacitor is constant and uniform. When the circuit is turned on, the electric field inside the capacitor becomes inhomogeneous along the electron beam. The degree of field heterogeneity is determined by the potential distribution on the surface of the integrated circuit relative to its SUPPORT1. When passing through a capacitor, the electron beam will
реагировать на все эти неоднородности и искажать форму сетки, регистрируемой на экране . При совмещении искаженных и неискаженных изобрал ений сеток дл контролируе .мой и эталонной схем получают муаровыеrespond to all these irregularities and distort the shape of the grid recorded on the screen. When combining distorted and undistorted images of grids for controlling my and reference circuits, moire patterns are obtained.
картины, а по их сравнению суд т о качествеpictures, and judging by their quality judgments
MipkfMipkf
. ir . ir
работы интегральной схемы и вы вл ют те элементы схемы, которые работают не в заданном режиме.the operation of the integrated circuit and identify those circuit elements that do not operate in the specified mode.
Повышение точности и чувствительности контрол обеспечиваетс заменой:Improving the accuracy and sensitivity of the control is ensured by replacing:
1)действи магнитного пол токов в интегральной схеме на электронный пучок, действием электрического пол , завис щего от распределени потенциала на поверхности схемы относительно ее подложки;1) the effect of the magnetic field in the integrated circuit on the electron beam, the action of the electric field, depending on the potential distribution on the surface of the scheme relative to its substrate;
2)плавающей разности потенциалов в воздухе фиксированной разностью потенциалов между обкладками конденсатора.2) floating potential difference in air by a fixed potential difference between the capacitor plates.
Кроме того, способ позвол ет провести локальный контроль отдельных элементов схемы , если их воздействие на электронный пучок изолировать от остальной части схемы. Дл этого можно применить, например, плоский металлический экранирующий шаблон, имеющий отверстие по форме кнтролируемого участка интегральной схемы, который накладываетс на рабочую поверхность контролируемого издели так, чтобы участок, подвергающийс контролю, совпал с отверстием в шаблоне. Дл лучшей экранировки размеры шаблона должны превышать размеры интегральной схемы.In addition, the method allows local control of individual circuit elements, if their effects on the electron beam are isolated from the rest of the circuit. For this, you can use, for example, a flat metal shielding pattern having a hole in the shape of the controlled portion of the integrated circuit that is superimposed on the working surface of the test product so that the portion being tested matches the hole in the pattern. For better screening, template sizes should exceed the size of the integrated circuit.
В результате этого на электронный пучок, сканирующий с наружной стороны шаблона, будет действовать лишь электромагнитное поле , создаваемое открытым участком интегральной схемы.As a result, only the electromagnetic field generated by the open section of the integrated circuit will act on the electron beam scanning from the outside of the pattern.
Величина и форма этого пол , завис щие от режима работы схемы, будут определ ть вид муаровой картины.The size and shape of this sex, depending on the mode of operation of the circuit, will determine the type of moire pattern.
Предлагаемый способ контрол может быть применен к любому известному виду интегральных схем: тонкостеночных, многослойных , монолитных.The proposed control method can be applied to any known type of integrated circuits: thin-walled, multi-layer, monolithic.
Предмет изобретени Subject invention
Способ контрол интегральных схем пугем сканировани электронного пучка параллельно поверхности схем в рабочем режиме и сравнени полученных муаровых картин дл эталонной и контролируемой схем, отличающийс тем, что, с целью повышени чувствительности и точности контрол , на электронный пучок воздействуют электрическим полем,The method of controlling integrated circuits by scanning electron beam parallel to the surface of the circuits in an operating mode and comparing the resulting moire patterns for the reference and controlled circuits, characterized in that, in order to increase the sensitivity and accuracy of the control, the electron beam is subjected to an electric field,
созданным внутри конденсатора, одной обкладкой которого вл етс контролируема схема.created inside a capacitor, one plate of which is a controlled circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1654398A SU382031A1 (en) | 1971-05-11 | 1971-05-11 | METHOD OF CONTROL OF INTEGRAL SCHEMES |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1654398A SU382031A1 (en) | 1971-05-11 | 1971-05-11 | METHOD OF CONTROL OF INTEGRAL SCHEMES |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU382031A1 true SU382031A1 (en) | 1973-05-22 |
Family
ID=20474578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1654398A SU382031A1 (en) | 1971-05-11 | 1971-05-11 | METHOD OF CONTROL OF INTEGRAL SCHEMES |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU382031A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4656416A (en) * | 1984-08-03 | 1987-04-07 | Applied Microsystems Corporation | Method and apparatus for locating short circuits |
-
1971
- 1971-05-11 SU SU1654398A patent/SU382031A1/en active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4656416A (en) * | 1984-08-03 | 1987-04-07 | Applied Microsystems Corporation | Method and apparatus for locating short circuits |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2425003A (en) | Analysis and representation of complex waves | |
US2320476A (en) | Phase measurement | |
GB1483171A (en) | Producing patterns with an electron beam | |
SE7514083L (en) | PROGRAMMED DRAWING DEVICE DEVICE ON A SUBSTRATE | |
US3214515A (en) | Image contour plotter | |
SU382031A1 (en) | METHOD OF CONTROL OF INTEGRAL SCHEMES | |
US4423522A (en) | Device for the imaging of body layers by means of monoenergic radiation | |
US4186412A (en) | Apparatus for detecting the position of fine object | |
JPS5621321A (en) | Automatically setting method of focus and exposure coefficient of electron beam exposure apparatus | |
KR940012479A (en) | How to measure the dimensions of a circuit pattern | |
US2727153A (en) | Electron diffraction camera | |
JPH09264728A (en) | Method and apparatus for detection of flaw or foreign body as well as electronic component with flaw or foreign body inspected | |
GB995816A (en) | Improvements in or relating to electrostatic image copier | |
US2408487A (en) | Art of ascertaining the atomic structure of materials | |
US3402298A (en) | Optical-electronic displacement transducer | |
US3540046A (en) | Antenna pattern generator | |
JPS57166506A (en) | Strain measuring method | |
JPS5633829A (en) | Inspection of pattern | |
US2935617A (en) | Function generator | |
SU1672405A1 (en) | Method of measuring modulation transfer function in photographic materials | |
US2745034A (en) | Frequency analyzer | |
SU367572A1 (en) | VOEOYUSNAYA psh; - 1. „sh * | |
JPS6228572B2 (en) | ||
JPH0820237B2 (en) | Image measurement and inspection device for electron microscope | |
JPH07287389A (en) | Patteern inspection apparatus |