SU370278A1

SU370278A1 - METHOD OF OBTAINING PHOTO-SENSITIVE LAYERS

Info

Publication number: SU370278A1
Application number: SU1487000A
Authority: SU
Priority date: 1970-10-23
Filing date: 1970-10-23
Publication date: 1973-02-15

Description

1one

Изобретение относитс к способам нолуче ш фоточувствительлых полупроводниковых слоев, в частности слоев фоторезисторав.This invention relates to methods for acquiring photosensitive semiconductor layers, in particular photoresistor layers.

Известен способ получени фоточувствительных слоев осаждением в вакууме теллурида кадми на поверхность нагретой подло леки с последующим отжигом покрыти на воздухе. Одна.ко слои, получаемые по извест:ному способу, обладают недостаточной чувствительностью .A known method for producing photosensitive layers by deposition of cadmium telluride in vacuum on the surface of a heated substrate, followed by annealing of the coating in air. However, the layers obtained by the known method have insufficient sensitivity.

Предложенный способ позвол ет повысить фоточувствительность слоев теллурида кадМ|ИЯ .The proposed method makes it possible to increase the photosensitivity of cadM | IL telluride layers.

Данный способ отличаетс от известного тем, что осаждение теллурида кадми осуществл ют с одновременным легированием наносимого покрыти йодистым кадмием из паровой фазы, а затем пр0 вод т термообработку покрыти в насыщенных пазах кадми при 350-450°С.This method differs from the known one in that the deposition of cadmium telluride is carried out with the simultaneous doping of the applied coating with iodide cadmium from the vapor phase, and then the coating is heat treated in saturated grooves of cadmium at 350-450 ° C.

Способ состоит в том, что фоточувствнтельные слой получают осаждением в вакууме теллурида кадми на поверхность нагретой подложки с одновременным легированием наносимого покрыти йодистым из паровой фазы, а затем провод т термообработку пОКрыти в насыщенных парах кадми при 350-450°С, после чего покрытие отжигают на воздухе.The method consists in that the photosensitive layer is obtained by vacuum deposition of cadmium telluride on the surface of the heated substrate while doping the applied iodide coating from the vapor phase, and then heat the coating in saturated cadmium vapor at 350-450 ° C, after which the coating is annealed for the air.

Теллурид кадми конденсируют на подложки из изолируюи1его материала, например стекла, керамики и кварца нагретые до 350-450°С, с одновременным легированием наносимого покрыти ио,днстым кадмием из паровой фазы. Температуру испарител (50-100°С) дл йодистого кадми должно обеспечивать отношение давлени паров теллурида к давлению паров йодистого кадми . Ползче нные таким образом покрыти подвергают термообработке в насыщенных парах кадми при 350-450°С в течение 15-30 мин, а затем отжигу на воздухе при 400-500°С в течение 15-ЗОишн.Cadmium telluride is condensed onto substrates of an insulating material, such as glass, ceramics and quartz, heated to 350-450 ° C, with simultaneous doping of the applied coating with vapor phase cadmium. The evaporator temperature (50-100 ° C) for cadmium iodide should provide the ratio of telluride vapor pressure to cadmium iodide vapor pressure. The coatings thus crawled are subjected to heat treatment in saturated cadmium vapors at 350-450 ° C for 15-30 minutes, and then annealed in air at 400-500 ° C for 15 hours.

Фоторезисторы, изготовленные на основе слоев теллур51да кадми , полученных по данному способу, обладают фото.чувствительиостью в 10-100 раз превыщающей чувствительность известных слоев, при темновом сопротивлении 10 -10° ом. Врем фотоответа у получаемых фоторезисторО|В при освещенности 200 лк составл ет от единиц до дес тков миллисекунд.Photoresistors made on the basis of tellurium cadmium layers obtained by this method have a photo-sensitivity of 10-100 times the sensitivity of known layers, with a dark resistance of 10 -10 ° ohm. The photoresponse time for the resulting photoresistor O | B at illumination of 200 lx is from units to tens of milliseconds.

Предмет изобретен и The subject is invented and

Способ получени фоточувствительных слоев, путем осаждени в вакууме теллурида кадмаш на поверхность нагретой подложки с последующим отжигом покрыти на воздухе , отличающийс тем, что, с целью повы34A method of producing photosensitive layers by vacuum deposition of cadmash telluride on the surface of a heated substrate with subsequent annealing of the coating in air, characterized in that

Ш6НИЯ фоточувствительности, осаждение тел- .йодистым кадмием из паро,вой фазы, а затем лурида кадми осуществл ют с одио1вре1мен-провод т термообработку покрыти в иасыны .м легированием наносимого покрыти щенных п.арах кадми при 350-450°С.Photosensitivity, precipitation of cadmium-iodide cadmium from the vapor phase, and then cadmium lurid is carried out with one time, heat treatment of the coating is carried out in a combination with doped cadmium at 350-450 ° C.

1370278 1370278