SU1051490A1

SU1051490A1 - Electrophotographic material

Info

Publication number: SU1051490A1
Application number: SU823427863A
Authority: SU
Inventors: Эро Федорович Ряннель; Василий Васильевич Химинец; Людмила Викторовна Каплинская; Ольга Владимировна Химинец; Валентина Викторовна Наумкина
Original assignee: Ужгородский Государственный Университет
Priority date: 1982-04-22
Filing date: 1982-04-22
Publication date: 1983-10-30

Abstract

ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ,включаюций электропровод щую подложку и последовательно нанесенные на нее слой, генерирующий носители зар да на сплава, содержакего 61, Se, 3, и слой, транспортирующий носители зар да отличающийс тем, что, с целью увеличени термостабильности и повышени светочувствительности .материала, генерирующий слоГ; дополнительно содержит As при следутощем соотношении компонентов в сплаве, ат.%: As2-7 Bi1-6 О S $е83-95 - J2-4 (ЛELECTROPHOTOGRAPHIC MATERIAL, including an electrically conductive substrate and a successively deposited layer on it, generating charge carriers on an alloy containing 61, Se, 3, and a layer transporting charge carriers characterized in that, in order to increase thermal stability and increase photosensitivity of the material, Generator; additionally contains As with the following ratio of components in the alloy, at.%: As2-7 Bi1-6 О S $ е83-95 - J2-4 (Л

Description

1212

))

Изобретение относитс к э1гс;ктрофотографическим материалам дл спектральной области 0,4-1,06 мкм и может быть использовано в микрофильмировании , копировальной технике , аэрокосмической съемке.The invention relates to e1gs; to photographic materials for the spectral region of 0.4-1.06 µm and can be used in microfilming, copying equipment, and aerospace imaging.

Известен электрофотографический материал, содержащий электропровод щую подложку, слой светочувствительного халькогенит ного полупроводника (СХП1, вклгочаюЕ его, а.т.%: висмут 1-5, йод 2-5 остальное - селен и транспортируюсшй слой l .An electrophotographic material is known that contains an electrically conductive substrate, a layer of a photosensitive chalcogenic semiconductor (CXP1, including it, at%): bismuth 1–5, iodine 2–5 the rest is selenium and the transporting layer l.

Недостатками известного материала вл ютс низка термостабиль-, ность, св занна с высокой кристаллизационной способностью светочувствительного сло в области температур 20-100°С, а также высока скорость темпового спада потенциаЛ1 и недостаточно высока светочувствительность в спектральной области .550-800 им.The disadvantages of this material are the low thermal stability associated with the high crystallization capacity of the photosensitive layer in the temperature range of 20–100 ° C, as well as the high rate of temporal decay of Potential 1 and the high enough photosensitivity in the spectral region of .550–800.

Цель изобретени - увеличение термостабильности электрофотографического материала, а также повьш.ение светочувствительности.The purpose of the invention is to increase the thermal stability of the electrophotographic material, as well as to increase the photosensitivity.

Указанна цель дости1-аетс тем, что в электрофотографическом материале , включающем электропровод щую подложку и последовательно нанесенные на нее слой, генерирующий носители зар да на основе сплава, содержащего Bi, Se, Л и слой,, транспортирующий носители зар да, генерируюгций слой дополнительно содержит As при следующем соотношении компонентов, ат.%: As2-7This goal is achieved by the fact that in an electrophotographic material comprising an electrically conductive substrate and a layer sequentially deposited on it, generating charge carriers based on an alloy containing Bi, Se, L and a layer transporting charge carriers, the generation layer additionally contains As in the following ratio of components, at.%: As2-7

Bi1-6Bi1-6

Sc83-95Sc83-95

Сущность изобретени заключаетс в следующем.The essence of the invention is as follows.

Основным элементом композиции, обеспечивающим повышение светочувствительности Б длинноволновой области спектра, вл етс Bi, Однако введение В резко увеличивает кристаллизационную способность и уменьшет удельное сопротивление Se. Введение Л одновременно с В i позвол ет ввести до 5 ат.% В1 без значительного увеличени кристаллизационной способности и одновременно увеличит светочувствительность.The main element of the composition, which provides an increase in the photosensitivity B of the long-wavelength region of the spectrum, is Bi. However, the introduction of C dramatically increases the crystallization ability and decreases the resistivity Se. The introduction of L simultaneously with B i allows one to introduce up to 5 at.% B1 without a significant increase in the crystallization capacity and at the same time increases the photosensitivity.

Однако кристаллизационна способность СХП состава Bi-Se-J остаетс высокой, а светочувствительность в области 550-800 им - недостаточно Дополнительное ввелеиие в слой As резко уменьшает кристаллизационную способность СХП и увеличивает термостабильность электрофотографического материала. Введение As в слой позвол ет увеличить содержание Bt и вследствие этого повысить светочувствительность материала.However, the crystallization ability of the CXP Bi-Se-J composition remains high, and the photosensitivity in the region of 550-800 is not enough. Additional addition to the As layer sharply reduces the crystallization ability of the CPS and increases the thermal stability of the electrophotographic material. The introduction of As into the layer makes it possible to increase the content of Bt and, consequently, to increase the photosensitivity of the material.

НИ7КНЯЯ граница содержани As, В t и О определ етс требовани ми по светочувствительности, а нерхн - увеличением скорости темновог спада потенциала.The END limit of As content, B t, and O is determined by the requirements for photosensitivity, and the upper limit by an increase in the rate of the dark potential drop.

Дл изготовлени электрофотограф1- )ческого материала сйнтезир .тот стекла из элементарных Дз, Bi, Se, О чистоты идентичной ОСЧ В-5, Синтез провод т в откаченных до 10 тор кварцевых ампулах сплавлением компонентов при б50-7ОD с в течение 5-6 ч, причем нагреЕ щихть. осу;. ествл ют со скоростью 100 град/ч. а охлаждение расплава - со .скоростью 50 100 град/мин.For the manufacture of electrophotographic material of synthetic material from elementary Dz, Bi, Se, O of purity identical to OFS B-5, the synthesis is carried out in quartz ampoules evacuated to 10 torus by fusing the components at 5050-7OD with for 5-6 h and heat up. wasp; The speed is 100 degrees / h. and the melt cooling is at a speed of 50,100 degrees / min.

На по.пложку из металла и.г::ч диэлектрика - стекла, )ами-- и., полимера с эле; тропровод 1цим слоем - методом термического рюпарени в вакууме поверх электропровод щего сло нанос т слой стеклообразного полупроводника толщиной 0,05 - 2 мкм при температуре, испарител 450-650° и температуре подложки 20-80 -с. Поверх полупроводникового сло методом полива из раствора нанос т транспортирующий слой на основе органических полупроводников - пoли-N-винилкарбазола , полиэпоксипропилкарбазола . Сушку сло осукествл пот при 25-70 С, толш,кна сло после высыхани составл ет 1,5-6 мкм ,On a metal wrap I.G :: h dielectric - glass, ami-- and., Polymer with ele; the conductor with the 1st layer - thermally vacuuming in vacuum over a conductive layer is applied a layer of glassy semiconductor with a thickness of 0.05-2 microns at a temperature of 450-650 ° and a substrate temperature of 20-80 ° C. A transporting layer based on organic semiconductors — poly-N-vinylcarbazole, polyepoxypropylcarbazole — is applied over the semiconductor layer by a watering method. Drying a layer of sweat at 25-70 ° C, thick, after drying, is 1.5-6 microns,

Кристалл и зационнуэо способность стекол оценивают как разницу между температурой кристаллизации и температурой разм гчени и Т. Термостабильность оценивают по изменению электрофотографических характеристик после отжига при в течение 30 мин.The crystal and crystal capacity of glasses is estimated as the difference between the crystallization temperature and softening temperature and T. Thermal stability is estimated by the change in electrophotographic characteristics after annealing at for 30 minutes.

Скорость темноЕого спада и светочувствительность электрофотографического материала оценивают по времени спада поверхностного потенциала в темноте и при экспонировании монохроматическим светом. Энергетическа освещенность при экспонировании составл ет 10 Вт/см7 Светочувствительность выражаетс как обратна экспозици , привод ша г к спаду потенциала до 0,9 начальной величины .The speed of dark decay and photosensitivity of the electrophotographic material are estimated by the time of the decrease of the surface potential in the dark and when exposed to monochromatic light. The energy illumination at exposure is 10 W / cm7. The photosensitivity is expressed as reverse exposure, leading to a decrease in the potential to 0.9 of the initial value.

Пример 1,В кварцевую ампулу загружают 13,582 г селена, 1,670 г висмута, 1,114 г йода, 0,892 г мышь ка. Ампулу откачивают до 10 торр и запаивают. Шихту нагревают со скоростью 100 град/ч до и вьщерживают при этой температуре 5 ч, после чего расплав охлаждают со скоростью 60 град/мин до комна.тной температуры. Полученное стекло состава i размельчают до частиц размером пор дка 0,5-1 lм. 2-3 г стекла загружают в алундоБый испаритель вакуумной напыпительной установки и откачивают до 5-10 . Испаритель нагревают до , при этом между испарителем и подложкой помещают шибер . После этого шибер отодвигают и на подло)ч-ку при 25-30 С осу1це,ствл етс конденсаци сло стекла толщиной 0,5 мкм.Example 1: 13.582 g of selenium, 1.670 g of bismuth, 1.114 g of iodine, and 0.892 g of mouse are loaded into a quartz ampoule. The ampoule is pumped out up to 10 Torr and sealed. The mixture is heated at a rate of 100 deg / h before and held at this temperature for 5 h, after which the melt is cooled at a rate of 60 deg / min to room temperature. The resulting glass of composition i is crushed to a particle size of the order of 0.5-1 lm. 2-3 g of glass is loaded into the evaporator of the vacuum unit and pumped out to 5-10. The evaporator is heated until a gate is placed between the evaporator and the substrate. After that, the gate is pushed aside and on a basement at 25–30 ° C, the condensation of a glass layer 0.5 µm thick occurs.

Поверх сло стекла методом полива из раствора нанос т транспортирующий слой, содержащий 90 вес.% полиэпоксипропилкарбаэола и 10 вес.% сополимера стирола с октилметакрилатрм . Слой нанос т из толуольного или дихлорэтанового раствора и cytiiaT на воздухе при 25-70с. Толщина сло после высыхани составл ет 2 мкм.A transporting layer containing 90% by weight of polyepoxypropylcarbaeol and 10% by weight of styrene-octylmethacrylate copolymer is deposited over the layer of glass using a solution irrigation method. The layer is applied from a toluene or dichloroethane solution and cytiiaT in air at 25-70 s. The thickness of the layer after drying is 2 microns.

Пример 2. В кварцевую ампулу загружают 15,003 г 5е, 0,417 г Bi, 0,507 rJ и 0,299 г As. Синтез стекла состава Seq; получение электрофотографического материала на его основе провод т в услови х примера 1.Example 2. 15.003 g of 5e, 0.417 g of Bi, 0.507 rJ, and 0.299 g of As are loaded into a quartz ampoule. Synthesis of glass composition Seq; The preparation of an electrophotographic material based on it is carried out under the conditions of Example 1.

Пример З.В кварцевую загружают 13,108 г Se, 2,502 г. Bi, 1,114 г О и 1,046 г As. СинтезExample Z.V quartz is charged with 13.108 g Se, 2.502 g. Bi, 1.114 g O, and 1.046 g As. Synthesis

стекла состава и получение электрофотографического материала на его основе провод т в услови х приме ра 1,glass composition and obtaining electrophotographic material based on it is carried out in the conditions of example 1,

Результаты исследовани кристаллизационной способности стекол и электрофотографических характеристик материалов на их основе приведены в таблице.The results of the study of the crystallization capacity of glasses and the electrophotographic characteristics of materials based on them are given in the table.

0 Д.ПЯ сравнени в таблице приведены параметрь известного материала стекла состава (, и электрофотографического материала на его основе, изготовленного в услови х0 D.PNA comparison The table shows the parameter of the known glass material of the composition (, and electrophotographic material based on it, manufactured under the conditions of

5 примера 1.5 of example 1.

Из приведенных результатов видно/ что кристаллизационна способность стекол системы Аs-Bi-Se-O,определ ема величиной &Т, существенно меньше , чем дл известного стекла системы Bt-Se-J, светочувствительность и термостойкость предлагаемого материала cyiuecTBeHHo выше, а скорость темнового спада потенциала существенно меньше, чем у известного материала .The results show / that the crystallization ability of As-Bi-Se-O glasses, determined by the value of & T, is significantly less than for the known glass of the Bt-Se-J system, the light sensitivity and heat resistance of the proposed cyiuecTBeHHo material is higher, and the speed is dark the potential drop is substantially less than that of a known material.

Claims

ELECTROPHOTOGRAPHIC MATERIAL, including an electrically conductive substrate and successively deposited on it a layer generating charge carriers based on an O ^ e alloy containing Bi, Se, 3, and a layer transporting charge carriers, characterized in that, in order to increase thermal stability and increase photosensitivity material, the generating layer additionally contains As in the following ratio of components in the alloy, at. %:

As2-7

In i1-6? E83-95. J2-4>