SU360896A1

SU360896A1 - HF microwave solid generator

Info

Publication number: SU360896A1
Application number: SU1669863A
Authority: SU
Original assignee: С. Н. Гуменный, Л. В. Касаткин , В. В. Рыбалка
Priority date: 1971-06-16
Filing date: 1971-06-16
Publication date: 1973-05-29

Description

Изогбретение относитс к области KOHCTipyировани твердотельных генераторов СВЧ и может быть использовано в коротковолновой части сантиметрового и в миллиметровом диапазона х волн.The bend refers to the region KOHCTipirovanyi solid-state microwave generators and can be used in the shortwave part of the centimeter and millimeter wavelength range x.

Известен твердотельный генератор СВЧ, содержащий цилиадрический резо«атор с отверстием св зи в боковой стенке, полупроводниковый элемент и ввод литани .A known microwave solid-state generator containing a ciliadric resonator with a communication hole in the side wall, a semiconductor element and a lithium input.

Однако исиользавание в известно м генераторе Д1россель1ного ввода питани приводит « снижению его к.|п.д. и сокращению диапазона перестройки. Кроме тогО, затруднена .регулировка са зи известного генератора СВЧ с нагрузкой .However, the use of a known generator of throttle input power leads to a "decrease in its k. | P.e. and reduce the range of adjustment. In addition, it is difficult to adjust the known microwave generator with a load.

Цель изобретени - повышение к. п. д. и расширение диапазона перест1роЙ1ки гене.ратора , а также у1П1роше1Ние регу вроики св зи генератора с нагрузкой.The purpose of the invention is to increase the efficiency and the expansion of the range of the re-generation of the generator, as well as the range of communication of the generator with the load.

Это достигаетс там, что полупроводниковый эле,мвнт установлен между одной из торцовых стенак резонатора и дополнительно введенным тврмоко1Моенси1рую|Щим диэлектрическим дискО|М, металлизированным в .месте установки кристалла и заюрепшвнньгм в неиосредстввнной . близости от диа резонатора, причем резонатор выполнен с .возможностью осевого вращени .It is achieved there that a semiconductor element, an MVE, is installed between one of the end walls of the resonator and the additionally introduced solid-state \ Shch dielectric disk | M metallized in the place of the crystal installation and locked in the non-intermediary. Proximity to the resonator, the resonator being made with the possibility of axial rotation.

Генератор содержлт цилин1дричесмий резонатор , выполненный в виде корпуса 1 с устаиавленньим в нем штифтом 2, полупроводниковый элемент 3, припа нный IK .штифту 2, ввод 4 литани и .волновод 5 с обоймой-зажиiMOM 6. В боковой стенке резонатора сделано отпверстие 7 св зи. Резонатор выполнен с возможностью осевого вращени . Штифт 2 с кони1чес1кой поверхностью вл етс , тапсим о&разом , составной частью сфероидального резо0 натора и одновременно обеспечивает теплоотвод с полупров-однижового элемента 3.The generator contains a cylindrical resonator made in the form of case 1 with pin 2 installed in it, semiconductor element 3 soldered by IK pin 2, input 4 litani and waveguide 5 with clip-miMOM 6. A 7-hole is made in the side wall of the resonator . The resonator is adapted for axial rotation. The pin 2 with the crown surface is tapesim about one time, an integral part of the spheroidal cavity, and at the same time provides heat removal from the semi-single element 3.

Тонкий (Кера1МИ1ческий диск 8, металлизированный в .месте установки .крнсталла, припаи15 вают к корпусу резонатора, в результате образуетс герметический отсек резонатора диододержател . При расположенин окна вывода мощности в герметичном отсеке резонатора примен ют герметизирующую диэлектрическую вставку 9. К металлизированной центральной части диска 8 припаивают второй полюс диода. Диэлектрический диск вместе с элементом креплени его в корпусе резонатора обеспечивает гибкость, необходимую дл ком5 пенсации линейных расширений в ра.бочем интервале температур. Дл улучшени теплоотвода от активного полупроводникового элемента диэлектрический диск изготовл ют из керамики «брокерит. Вне герметичной части резонатора вдоль диэлектрического диска проThin (Kera1MI1 disk 8, metallized in the place of installation of the crystal), is soldered to the resonator case, as a result, the hermetic compartment of the diode holder cavity is located. they solder the second pole of the diode. The dielectric disk together with its fastening element in the cavity case provides the flexibility necessary to compensate for linear expansions in working temperature range. To improve heat dissipation from the active semiconductor element, the dielectric disk is made of brockerite ceramic. Outside the sealed part of the resonator along the dielectric disk,