SU329760A1 - Способ получени поликристаллических алмазов - Google Patents
Способ получени поликристаллических алмазовInfo
- Publication number
- SU329760A1 SU329760A1 SU7001513780A SU1513780A SU329760A1 SU 329760 A1 SU329760 A1 SU 329760A1 SU 7001513780 A SU7001513780 A SU 7001513780A SU 1513780 A SU1513780 A SU 1513780A SU 329760 A1 SU329760 A1 SU 329760A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- catalyst
- graphite
- heat
- diamond
- contact
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0605—Composition of the material to be processed
- B01J2203/062—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/065—Composition of the material produced
- B01J2203/0655—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
- B01J2203/0685—Crystal sintering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относитс к области получени промышленных алмазов. Оно может быть использовано в машиностроении, приборостроении , горнодобывающей, часовой промышленности и т.д.
Известен способ синтеза поликристаллического алмаза, по которому синтез проводитс в камере с малым температурным градиентом (изол ци из пирофиллита), что не позвол ет отводить из реакционной зоны теплоту кристаллизации , выдел ющуюс при переходе графнт - алмаз. Это приводит к получению крупнокристаллических образований алмаза. Кроме того, катализатор примен етс в форме пластины , что ведет к большому содержанию включеиий металла в алмазах, ухудша их прочностные свойства.
Предлагаемый способ синтеза крупных алмазов заданной формы со структурой карбонадо , состо щий из мелкодисперсных алмазов сросшихс в процессе синтеза преимущественно в виде двойников, дает возможность получать прочные алмазные издели , имеющие форму рабочих частей инструментов: резцов, выглаживателей , стеклорезов, волок, буровых коронок и т.д.
Дл получени мелкозернистых поликристаллов алмаза металл-катализатор помещают в зону максимальной температуры. Процесс кристаллизации проводитс в области
стабильности алмаза прн давлении выше 80 кбар и температурах значнтельно ниже равHOBecHbix температур дл перехода графит-алмаз . Известно, что при переходе графита в алмаз выдел етс теплота кристаллизации. Если не отводить эту теплоту, то в реакционной зоне повышаетс температура, что приводит к увеличению размеров кристаллитов, слагающих поликристалл алмаза. Таким образом, дл получени тонкозернистых образований необходимо отводить выделившуюс теплоту кристалли . зации со скоростью иг менее I кал/моль-сек. Это достигаетс помещением реакционной зоны в контакт с охлаждаемыми (например, проточной водой) част ми пресса. Можно помещать в контакт с реакционной зоной специальные теплоотвод щйе каналы, выполненные из металла
(в частности, металла-катализатора) или из других материалов с теплопроводностью не ниже теплопроводности графита. Дл получени поликристаллов алмаза заданной формы реакционНый графит, имеющий форму будущего
ломкой, например из гексагонального нитрида бора или карбонитрида бора, котора находитс в нешкредственном контакте с катализатором . Чтобы образцы были с минимальным количеством включений, линейные размеры рабочей поверхности металла-катализатора должны
быть не более 0,1-0.2 линейных размеров реакционного графита.
Расположение металла-катализатора по предлагаемому способу приводит к росту алмазного образца из одного центра, что обеспечивает отсутствие пересечений движущихс пленок катализатора между собой, тем самым соблюдаетс односв зность пленки металла-кагализатора . Благодар этому получают прочное образование алмаза, не содержащее в себе крупных включений металла. Наличие жидкой пЛенки металла-катализатора обеспечивает взаимное прорастание отдельных кристаллов, слагающих образец, и их двойииков ние.
Пример. В камеру высокого давлени , обес-/ печивающую получение высоких давлений, от 80 кбар и выше, HOMemarot высокотемпературную реакционную чейку. Ячейка состоит из электрического нагревател :сопротивленн (графит) элeкtpoизoл ции из гексагонального нитрида бора (имеющего теплопроводность , сравнимую с теплопроводностью графита в услови х эксперимента), реакционного графита, имеющего фррму готового издели , и катализатора (например, Х20М80). Реакционную камеру подвергают единовремеииому воздействию высоких давлений (от 80 кбар и выше ) и высоких температур (1500- 700°С). Указанные параметры поддерживаютс в течение времени (от нескольких секунд до 1 мин в зависимости от давлени ), необходимого дл полиого перехода реакционного графита в алмаз . После этого температура и давление снижаютс . Алмазное образование заданной формы выдел ют простым механическим удалением
остальных частей камеры и не требует специальной химической обработки. Размер получаемого образовани определ етс размером реакционной зоны и временем поддержани максимальных параметров синтеза. Синтезированы прочные тонкозернистые образовани алмазов различных размеров, например 5x5x5 MW.
Claims (3)
1.Способ получени поликристаллических алмазов, например, со структурой типа природного карбонадо в области стабильности алмаза при высокой температуре и давлеини выше
80 кбар из углеродсодержащего материала, например графита, имеющего форму будущего издели , окруженного оболочкой, в присутствии катализатора в камере высокого давлени , отличающийс тем, что, с целью получени
прочных крупных тонкозернистых кристаллов заданной формы, катализатор помещают в зоиу максимальной температуры, причем линейный размер рабочей поверхйости катализатора не более 0,2-7-0,1 линейных размерой реакционного графита и отвод теплоты кристаллизации
составл ет не менее 1кал/моль еек.
2.Способ по п. I, отличающийс тем, что отвод тепла производитс с помощью теплоотвод щих каналов, например, из металлов и других материалов с теплопроводностью не Ииже теплопроводиости графита, иаход щихс , например, в контакте с катализатором.
3.Способ по п. 1, отличающийс тем, что оболочка выполнена из электроизолирующего материала, например из гексагонального нитрида бора или карбонитрида бора, и находитс в
непосредственном контакте с нагревателем, который контактирует с металлическими част ми пресса.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU7001513780A SU329760A1 (ru) | 1970-01-04 | 1970-01-04 | Способ получени поликристаллических алмазов |
GB5662270A GB1334863A (en) | 1970-01-04 | 1970-11-27 | Method of producing polycrystalline diamonds |
FR7046880A FR2075095A5 (ru) | 1970-01-04 | 1970-12-28 | |
SE1778470A SE382804B (sv) | 1970-01-04 | 1970-12-30 | Anordning for framstellning av polykristallina diamanter |
DE19712100147 DE2100147C3 (de) | 1970-01-04 | 1971-01-04 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von polykristallinen Diamanten |
US05/320,679 US4049783A (en) | 1970-01-04 | 1973-01-02 | Method of producing polycrystalline diamonds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU7001513780A SU329760A1 (ru) | 1970-01-04 | 1970-01-04 | Способ получени поликристаллических алмазов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU329760A1 true SU329760A1 (ru) | 1977-11-05 |
Family
ID=20461253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU7001513780A SU329760A1 (ru) | 1970-01-04 | 1970-01-04 | Способ получени поликристаллических алмазов |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2100147C3 (ru) |
FR (1) | FR2075095A5 (ru) |
GB (1) | GB1334863A (ru) |
SE (1) | SE382804B (ru) |
SU (1) | SU329760A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2458777C2 (ru) * | 2010-11-09 | 2012-08-20 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор" | Способ упрочняющей обработки поверхностей деталей выглаживанием |
RU2460628C1 (ru) * | 2011-02-09 | 2012-09-10 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор" | Способ наноструктурирующего упрочнения поверхностного слоя прецизионных деталей выглаживанием |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3816085A (en) * | 1971-01-29 | 1974-06-11 | Megadiamond Corp | Diamond-nondiamond carbon polycrystalline composites |
FR2649974B1 (fr) * | 1989-07-21 | 1991-09-27 | Aerospatiale | Materiau carbone protege contre l'oxydation par du carbonitrure de bore |
-
1970
- 1970-01-04 SU SU7001513780A patent/SU329760A1/ru active
- 1970-11-27 GB GB5662270A patent/GB1334863A/en not_active Expired
- 1970-12-28 FR FR7046880A patent/FR2075095A5/fr not_active Expired
- 1970-12-30 SE SE1778470A patent/SE382804B/xx unknown
-
1971
- 1971-01-04 DE DE19712100147 patent/DE2100147C3/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2458777C2 (ru) * | 2010-11-09 | 2012-08-20 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор" | Способ упрочняющей обработки поверхностей деталей выглаживанием |
RU2460628C1 (ru) * | 2011-02-09 | 2012-09-10 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор" | Способ наноструктурирующего упрочнения поверхностного слоя прецизионных деталей выглаживанием |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2075095A5 (ru) | 1971-10-08 |
GB1334863A (en) | 1973-10-24 |
DE2100147A1 (de) | 1971-07-15 |
DE2100147C3 (de) | 1979-05-03 |
SE382804B (sv) | 1976-02-16 |
DE2100147B2 (de) | 1978-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Bundy et al. | Diamond‐graphite equilibrium line from growth and graphitization of diamond | |
US3031269A (en) | Method of diamond growth and apparatus therefor | |
US3233988A (en) | Cubic boron nitride compact and method for its production | |
US2992900A (en) | Method for producing improved diamond crystals | |
US4643741A (en) | Thermostable polycrystalline diamond body, method and mold for producing same | |
Bundy | Direct conversion of graphite to diamond in static pressure apparatus | |
Giardini et al. | Diamond synthesis: observations on the mechanism of formation | |
JPH03232796A (ja) | 合成ダイヤモンド製品ならびにその製造法 | |
US4089933A (en) | Method of producing polycrystalline diamond aggregates | |
EP0157393A2 (en) | Method of synthesizing diamond | |
EP0780153B1 (en) | Diamond synthesis | |
Lysakovskyi et al. | Growth of structurally perfect diamond single crystals at high pressures and temperatures. Review | |
US4220677A (en) | Polycrystalline superhard material and method of producing thereof | |
SU329760A1 (ru) | Способ получени поликристаллических алмазов | |
JP2021519736A (ja) | 窒化炭素のための触媒溶媒 | |
Evans | Diamonds | |
US4150098A (en) | Method of producing cubic boron nitride | |
US4148964A (en) | Polycrystalline superhard material and method of producing thereof | |
US3772428A (en) | Continuous growth of cubic boron nitride | |
US4187083A (en) | Hard materials of BCN in tetrahedral form and method of making it | |
JP2672132B2 (ja) | ダイヤモンドの結晶を生産する方法 | |
JPWO2002034972A1 (ja) | 第iii族又は第iv族の金属元素を含む窒化物単結晶及びその製造方法 | |
Singhal et al. | Temperature dependence of growth of diamond from a CuC system under high pressure | |
Casagrande et al. | Vertical Bridgman growth and characterization of large-diameter single-crystal CdTe | |
Agarwala et al. | A study of graphite-diamond conversion using nickel, invar and monel as catalyst-solvents |