SU329760A1 - Способ получени поликристаллических алмазов - Google Patents

Способ получени поликристаллических алмазов

Info

Publication number
SU329760A1
SU329760A1 SU7001513780A SU1513780A SU329760A1 SU 329760 A1 SU329760 A1 SU 329760A1 SU 7001513780 A SU7001513780 A SU 7001513780A SU 1513780 A SU1513780 A SU 1513780A SU 329760 A1 SU329760 A1 SU 329760A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
catalyst
graphite
heat
diamond
contact
Prior art date
Application number
SU7001513780A
Other languages
English (en)
Inventor
Л.Ф. Верещагин
Е.Н. Яковлев
В.Н. Слесарев
Т.Д. Варфоломеева
А.Я. Преображенский
В.А. Степанов
Л.Е. Штеренберг
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Высоких Давлений Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Высоких Давлений Ан Ссср filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Высоких Давлений Ан Ссср
Priority to SU7001513780A priority Critical patent/SU329760A1/ru
Priority to GB5662270A priority patent/GB1334863A/en
Priority to FR7046880A priority patent/FR2075095A5/fr
Priority to SE1778470A priority patent/SE382804B/xx
Priority to DE19712100147 priority patent/DE2100147C3/de
Priority to US05/320,679 priority patent/US4049783A/en
Application granted granted Critical
Publication of SU329760A1 publication Critical patent/SU329760A1/ru

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0605Composition of the material to be processed
    • B01J2203/062Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/065Composition of the material produced
    • B01J2203/0655Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0675Structural or physico-chemical features of the materials processed
    • B01J2203/0685Crystal sintering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Изобретение относитс  к области получени  промышленных алмазов. Оно может быть использовано в машиностроении, приборостроении , горнодобывающей, часовой промышленности и т.д.
Известен способ синтеза поликристаллического алмаза, по которому синтез проводитс  в камере с малым температурным градиентом (изол ци  из пирофиллита), что не позвол ет отводить из реакционной зоны теплоту кристаллизации , выдел ющуюс  при переходе графнт - алмаз. Это приводит к получению крупнокристаллических образований алмаза. Кроме того, катализатор примен етс  в форме пластины , что ведет к большому содержанию включеиий металла в алмазах, ухудша  их прочностные свойства.
Предлагаемый способ синтеза крупных алмазов заданной формы со структурой карбонадо , состо щий из мелкодисперсных алмазов сросшихс  в процессе синтеза преимущественно в виде двойников, дает возможность получать прочные алмазные издели , имеющие форму рабочих частей инструментов: резцов, выглаживателей , стеклорезов, волок, буровых коронок и т.д.
Дл  получени  мелкозернистых поликристаллов алмаза металл-катализатор помещают в зону максимальной температуры. Процесс кристаллизации проводитс  в области
стабильности алмаза прн давлении выше 80 кбар и температурах значнтельно ниже равHOBecHbix температур дл  перехода графит-алмаз . Известно, что при переходе графита в алмаз выдел етс  теплота кристаллизации. Если не отводить эту теплоту, то в реакционной зоне повышаетс  температура, что приводит к увеличению размеров кристаллитов, слагающих поликристалл алмаза. Таким образом, дл  получени  тонкозернистых образований необходимо отводить выделившуюс  теплоту кристалли . зации со скоростью иг менее I кал/моль-сек. Это достигаетс  помещением реакционной зоны в контакт с охлаждаемыми (например, проточной водой) част ми пресса. Можно помещать в контакт с реакционной зоной специальные теплоотвод щйе каналы, выполненные из металла
(в частности, металла-катализатора) или из других материалов с теплопроводностью не ниже теплопроводности графита. Дл  получени  поликристаллов алмаза заданной формы реакционНый графит, имеющий форму будущего
ломкой, например из гексагонального нитрида бора или карбонитрида бора, котора  находитс  в нешкредственном контакте с катализатором . Чтобы образцы были с минимальным количеством включений, линейные размеры рабочей поверхности металла-катализатора должны
быть не более 0,1-0.2 линейных размеров реакционного графита.
Расположение металла-катализатора по предлагаемому способу приводит к росту алмазного образца из одного центра, что обеспечивает отсутствие пересечений движущихс  пленок катализатора между собой, тем самым соблюдаетс  односв зность пленки металла-кагализатора . Благодар  этому получают прочное образование алмаза, не содержащее в себе крупных включений металла. Наличие жидкой пЛенки металла-катализатора обеспечивает взаимное прорастание отдельных кристаллов, слагающих образец, и их двойииков ние.
Пример. В камеру высокого давлени , обес-/ печивающую получение высоких давлений, от 80 кбар и выше, HOMemarot высокотемпературную реакционную  чейку. Ячейка состоит из электрического нагревател  :сопротивленн  (графит) элeкtpoизoл ции из гексагонального нитрида бора (имеющего теплопроводность , сравнимую с теплопроводностью графита в услови х эксперимента), реакционного графита, имеющего фррму готового издели , и катализатора (например, Х20М80). Реакционную камеру подвергают единовремеииому воздействию высоких давлений (от 80 кбар и выше ) и высоких температур (1500- 700°С). Указанные параметры поддерживаютс  в течение времени (от нескольких секунд до 1 мин в зависимости от давлени ), необходимого дл  полиого перехода реакционного графита в алмаз . После этого температура и давление снижаютс . Алмазное образование заданной формы выдел ют простым механическим удалением
остальных частей камеры и не требует специальной химической обработки. Размер получаемого образовани  определ етс  размером реакционной зоны и временем поддержани  максимальных параметров синтеза. Синтезированы прочные тонкозернистые образовани  алмазов различных размеров, например 5x5x5 MW.

Claims (3)

1.Способ получени  поликристаллических алмазов, например, со структурой типа природного карбонадо в области стабильности алмаза при высокой температуре и давлеини выше
80 кбар из углеродсодержащего материала, например графита, имеющего форму будущего издели , окруженного оболочкой, в присутствии катализатора в камере высокого давлени , отличающийс  тем, что, с целью получени 
прочных крупных тонкозернистых кристаллов заданной формы, катализатор помещают в зоиу максимальной температуры, причем линейный размер рабочей поверхйости катализатора не более 0,2-7-0,1 линейных размерой реакционного графита и отвод теплоты кристаллизации
составл ет не менее 1кал/моль еек.
2.Способ по п. I, отличающийс  тем, что отвод тепла производитс  с помощью теплоотвод щих каналов, например, из металлов и других материалов с теплопроводностью не Ииже теплопроводиости графита, иаход щихс , например, в контакте с катализатором.
3.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что оболочка выполнена из электроизолирующего материала, например из гексагонального нитрида бора или карбонитрида бора, и находитс  в
непосредственном контакте с нагревателем, который контактирует с металлическими част ми пресса.
SU7001513780A 1970-01-04 1970-01-04 Способ получени поликристаллических алмазов SU329760A1 (ru)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7001513780A SU329760A1 (ru) 1970-01-04 1970-01-04 Способ получени поликристаллических алмазов
GB5662270A GB1334863A (en) 1970-01-04 1970-11-27 Method of producing polycrystalline diamonds
FR7046880A FR2075095A5 (ru) 1970-01-04 1970-12-28
SE1778470A SE382804B (sv) 1970-01-04 1970-12-30 Anordning for framstellning av polykristallina diamanter
DE19712100147 DE2100147C3 (de) 1970-01-04 1971-01-04 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von polykristallinen Diamanten
US05/320,679 US4049783A (en) 1970-01-04 1973-01-02 Method of producing polycrystalline diamonds

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7001513780A SU329760A1 (ru) 1970-01-04 1970-01-04 Способ получени поликристаллических алмазов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU329760A1 true SU329760A1 (ru) 1977-11-05

Family

ID=20461253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7001513780A SU329760A1 (ru) 1970-01-04 1970-01-04 Способ получени поликристаллических алмазов

Country Status (5)

Country Link
DE (1) DE2100147C3 (ru)
FR (1) FR2075095A5 (ru)
GB (1) GB1334863A (ru)
SE (1) SE382804B (ru)
SU (1) SU329760A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2458777C2 (ru) * 2010-11-09 2012-08-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор" Способ упрочняющей обработки поверхностей деталей выглаживанием
RU2460628C1 (ru) * 2011-02-09 2012-09-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор" Способ наноструктурирующего упрочнения поверхностного слоя прецизионных деталей выглаживанием

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3816085A (en) * 1971-01-29 1974-06-11 Megadiamond Corp Diamond-nondiamond carbon polycrystalline composites
FR2649974B1 (fr) * 1989-07-21 1991-09-27 Aerospatiale Materiau carbone protege contre l'oxydation par du carbonitrure de bore

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2458777C2 (ru) * 2010-11-09 2012-08-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор" Способ упрочняющей обработки поверхностей деталей выглаживанием
RU2460628C1 (ru) * 2011-02-09 2012-09-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Предприятие "Сенсор" Способ наноструктурирующего упрочнения поверхностного слоя прецизионных деталей выглаживанием

Also Published As

Publication number Publication date
FR2075095A5 (ru) 1971-10-08
GB1334863A (en) 1973-10-24
DE2100147A1 (de) 1971-07-15
DE2100147C3 (de) 1979-05-03
SE382804B (sv) 1976-02-16
DE2100147B2 (de) 1978-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bundy et al. Diamond‐graphite equilibrium line from growth and graphitization of diamond
US3031269A (en) Method of diamond growth and apparatus therefor
US3233988A (en) Cubic boron nitride compact and method for its production
US2992900A (en) Method for producing improved diamond crystals
US4643741A (en) Thermostable polycrystalline diamond body, method and mold for producing same
Bundy Direct conversion of graphite to diamond in static pressure apparatus
Giardini et al. Diamond synthesis: observations on the mechanism of formation
JPH03232796A (ja) 合成ダイヤモンド製品ならびにその製造法
US4089933A (en) Method of producing polycrystalline diamond aggregates
EP0157393A2 (en) Method of synthesizing diamond
EP0780153B1 (en) Diamond synthesis
Lysakovskyi et al. Growth of structurally perfect diamond single crystals at high pressures and temperatures. Review
US4220677A (en) Polycrystalline superhard material and method of producing thereof
SU329760A1 (ru) Способ получени поликристаллических алмазов
JP2021519736A (ja) 窒化炭素のための触媒溶媒
Evans Diamonds
US4150098A (en) Method of producing cubic boron nitride
US4148964A (en) Polycrystalline superhard material and method of producing thereof
US3772428A (en) Continuous growth of cubic boron nitride
US4187083A (en) Hard materials of BCN in tetrahedral form and method of making it
JP2672132B2 (ja) ダイヤモンドの結晶を生産する方法
JPWO2002034972A1 (ja) 第iii族又は第iv族の金属元素を含む窒化物単結晶及びその製造方法
Singhal et al. Temperature dependence of growth of diamond from a CuC system under high pressure
Casagrande et al. Vertical Bridgman growth and characterization of large-diameter single-crystal CdTe
Agarwala et al. A study of graphite-diamond conversion using nickel, invar and monel as catalyst-solvents