looloo
о about
Oi CD Изобретение относитс к устройст вам дл совмецени полупроводниковой пластины с фотошаблоном и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, Известны двухпольные установки совмещени и экспонировани фотошаб лона с полупроводниковой подложкой состо щие из двух проекционных объектов , распределител светового потока , установленного в зоне пересечени лучей, проекционного экрана и источника света. Однако известные установки не об спечивают требуемой точности совмещени . С целью повышени точности совме щени в предлагаемой установке межд фотошаблоном и проекционным объекти вом установлены два , разнесенных один относительно другого эпископических устройств. На чертеже приведена.блок-схема предлагаемой оптико-механической установки совмещени и экспонирова . нй . Предлагаема установка работает следующим образом. С помощью микроманипул тора и присоски столика 1 совмещени осуществл етс крепление полупроводниковой пластины 2 и перемещение ее относительно стекл нного фотошаблона 3 по двум координатным ос м. Дл повышени ркости изображени на экране используетс новый эпископ 4, который крепитс в специальном кронштейне 5, надетом на обойму объектива 6 с двухсоткратным увелич нием. Дл совмещени по двум разнесенным участкам на фотошаблоне и по проводниковой пластине используетс узел со спаренными эпископами и объ ективами. Световые потоки дл освещени участков полупроводниковой подложки поступают в эпископы с осветительны блоков 7. Луч-света 8 проходит чер тепловой фильтр 9, конденсатор 10, светофильтр 11 и, отразившись от зе кала 12, попадает в спаренные конденсаторы 13 эпископа. Дл увеличени светового потока используютс отражатели 14. Эпископы направл ют световые лучи на фотошаблон и полупроводниковую подложку. Затем световые потоки несущие информацию, поступают во входные зрачки спаренных объективов 72 6. В предлагаемой установке используютс проекционные объективы с большим полем зрени , большим увеличением и со значительной глубиной резкости . Так, например, в макете используетс объектив с полем зрени 2,4 мм 1,75 мм, увеличением 200, . глубиной резкости 0,02 мм и разрешением до 1 мкм. С выхода объективов световой поток , несущий информацию, проходит через регулируемый распределитель светового потока 15, преломл етс зеркалами 16 и поступает на проекционный экран 17. В установке используетс новый проекционный мелкозернистый экран, работающий на просвет, с большой рабочей площадью пор дка 500-500 мм. Установка имеет светозащитный ко- жух 18, расположенный над проекционным экраном. Дл предварительного грубого совмещени фотошаблона с полупроводниковой подложкой используетс объектив 19 с двадцатикратным увеличением . На объективе крепитс параболическое зеркало, проецирующее на экран изображение с участка полупроводниковой подложки площадью 2025мм, Предварительное совмещение осуществл етс в светлом или темно-сером поле в зависимости от поворота параболического зеркала. Темнь1Й фон изображений на экране позвол ет получать рко выраженные контрасты рисунков фотошаблона и полупроводниковой -подложки. Экспонирование фоторезиста производитс с помощью ксеноновой лампы 20. Объективы, а также блок с ксеноновой лампой конструктивно выполнены выдвижными и устанавливаютс на необходимую высоту, поэтому дл окончательной фокусировки любого из объективов требуетс незначительна коррекци с помощью винтового перемещени стола. Объективы иксенонова лампа расположены на общей турели 21 и могут последовательно выводитьс на главную оптическую ось проектора . В установке процесс совмещени полупроводниковой пластины с фотоаблоном производитс в герметичномOi CD The invention relates to devices for combining a semiconductor wafer with a photomask and can be used in the manufacture of semiconductor devices. Two-floor installations for combining and exposing a photomash with a semiconductor substrate consisting of two projection objects, the distributor of the luminous flux installed in the intersection of beams, are known projection screen and light source. However, the known installations do not achieve the required alignment accuracy. In order to improve the accuracy of the combination, in the proposed installation between the photo-template and the projection object, two spatially separated episcopic devices are installed. The drawing shows a block diagram of the proposed opto-mechanical installation of combining and exhibiting. ny The proposed installation works as follows. Using a micromanipulator and suction cup of the alignment table 1, the semiconductor plate 2 is fixed and moved relative to the glass photoplate 3 along two coordinate axes. To increase the screen brightness, a new episcope 4 is used, mounted on a clip lens 6 with two hundred times magnification. To combine the two separated areas on the photomask and on the conductor plate, a node with paired episcopes and objectives is used. Light streams to illuminate areas of the semiconductor substrate enter the episcopes from the lighting units 7. Beam-light 8 passes the black heat filter 9, condenser 10, light filter 11 and, reflected from the mirror 12, enters the paired capacitors 13 of the bishop. Reflectors 14 are used to increase the luminous flux. Bishops direct light beams to the photomask and semiconductor substrate. Then the light streams carrying information enter the entrance pupils of the paired lenses 72 6. The proposed installation uses projection lenses with a large field of view, high magnification and with a significant depth of field. Thus, for example, a lens with a field of view of 2.4 mm 1.75 mm, magnification 200, is used in the layout. depth of field 0.02 mm and resolution up to 1 micron. From the output of the lenses, the luminous flux carrying information passes through the adjustable luminous flux distributor 15, is refracted by mirrors 16 and enters the projection screen 17. The installation uses a new projection fine-grained screen that works through the light, with a large working area of about 500-500 mm . The unit has a light-protective cover 18 located above the projection screen. To pre-rough alignment of the photomask with the semiconductor substrate, lens 19 is used with a twenty-fold magnification. A parabolic mirror is attached to the lens, projecting an image from a semiconductor substrate area of 2025 mm on the screen. Preliminary alignment is carried out in a light or dark gray field depending on the rotation of the parabolic mirror. The dark background of the images on the screen allows obtaining clearly pronounced contrasts of the patterns of the photomask and the semiconductor substrate. The photoresist is exposed using a xenon lamp 20. The lenses, as well as the block with a xenon lamp, are structurally retractable and set to the required height, therefore, for the final focusing of any of the lenses, a slight movement of the table is required. Ixenon lamp lenses are located on a common turret 21 and can be successively output to the main optical axis of the projector. In the installation, the process of combining a semiconductor wafer with a photographic sheet is performed in a hermetic