SU255357A1 - Устройство для коммутации низкоомной нагрузки - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к области автоматики и имиульсной техники, в частности может быть исиользовано в электронной системе цифрового программного управлени  станками .

Известные устройства дл  коммутации на транзисторах из-за большой мощности рассе ни  на транзисторе требуют применени  мощного коммутирующего транзистора дл  переключени  -относительно небольшой мощности .

Целью изобретени   вл етс  создание надежного устройства дл  коммутации, позвол ющего использовать маломощные транзисторы .

Дл  этого В коллекторную цепь транзистора включен дроссель, а между коллектором и эмиттером через конденсатор включены параллельно соединенные резистор и полупроводниковый диод.

На чертеже изображена схема устройства.

В исходном состо нии коммутирующий транзистор 1 заперт, и нагрузка 2 обесточена. При поступлении на вход 3 отпирающего сигнала транзистор начинает проводить и благодар  наличию в его коллекторной цени дроссел  4 сразу насыщаетс .

насыщенным, так как одновременно происходит увеличение тока базы за счет продолжающегос  нарастани  входного сигнала. Это обеспечивает малую величину мощности рассе ни  на коллекторном переходе транзистора /.

По окончании действи  входного сигнала, вследствие пологости его заднего фронта и инерционности транзистора, последний перейдет в состо ние отсечки не мгновенно. Дл  предохранени  транзистора на этой стадии слу}кит цепочка из конденсатора 5, диода 6 и резистора 7. С уменьшением тока транзистора потенциал его коллектора начинает возрастать (по абсолютной величине), и конденсатор 5 зар жаетс  через открытый днод 6 до величины напр жени  коллекторного питани  8. Таким образом, при уменьшении тока транзистора / потенциал его коллектора измен етс  весьма медленно н остаетс  приблизительно равным напр жению коллектор - эмнттер при насыщении. Резистор 7 служит дл  разр да конденсатора 5 при отпирани транзистора /.

Предмет изобретени 

лекторную цепь транзистора включен дроссель , а между коллектором и эмиттером через конденсатор включены параллельно соеполупроводниковый

диненные резистор диод.