SU245892A1 - Device for recording electrical signals on film - Google Patents
Device for recording electrical signals on filmInfo
- Publication number
- SU245892A1 SU245892A1 SU1218624A SU1218624A SU245892A1 SU 245892 A1 SU245892 A1 SU 245892A1 SU 1218624 A SU1218624 A SU 1218624A SU 1218624 A SU1218624 A SU 1218624A SU 245892 A1 SU245892 A1 SU 245892A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- film
- electrical signals
- recording electrical
- current
- crystal
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- JXKPEJDQGNYQSM-UHFFFAOYSA-M Sodium propionate Chemical compound [Na+].CCC([O-])=O JXKPEJDQGNYQSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
Description
Изобретение относитс к области приборостроени .The invention relates to the field of instrumentation.
Известные устройства дл регистрации электр1П1ес1 их Сигналов на фотопленку, содер жащие источник электрических сигналов, измерительньп механигл и механизм нрот гнвани нленкн, характеризуютс относительно : сложностью констру1чнии и невысоко аде кностью при экенлуатац и.The known devices for recording electrical signals on a film by an electrical device, containing a source of electrical signals, a measuring mechanism and a mechanism for griping nlenknn, are relatively: complex in design and not very accurate when using an e-switch and.
В предлагаемом устрО стве измерительпь п In the proposed device, the measuring device
ВЫПОЛ 1е 1 в ОЛу рОВОДН 1 хО 50го электрол оми 1есис 1гного 1треобразова ел5;. сосго ще о i3 кристалла полупроводп ;а с запре 1, зоной, содержап сго р-п-переход и с вь водал И, служаЩ 1М ДЛЯ пропускап элсчтро.тюмипоспепции тюка у ра лепп /10П1адь О с }ече1П Я . EXTREME 1E 1 IN OLU ROVODN 1 xO 50th electr omi 1 sys 1 gnogo 1transformation el5 ;. A semiconductor is formed about the i3 crystal;
Такое вь нолиепие ycTpoCicrtia ;:(.|звол ег уирост1 ть его коьч:трук ипо п пов 1сить 1адеж ОСТЪ в ЭКС1 Луата иП1.This is the case of ycTpoCicrtia;: (.. Zvol his way of doing it: trucking the first stop of the OST in EKS1 Luat iP1.
На фиг. 1 редставлен разрез полупроводп кового электролю ннеспентНО о реобразовател (ИЭП); на фпг, 2 - вольтамперпа характер 1стика электрол1О.минес 1,ситпого п-нерехода; па фиг. 3 - записи элект )ических сшпалов на фотопленку.FIG. 1 shows a section of a semiconductor electrolyte unresident about a transformer (IEP); on phpg, 2 - voltampera, the character of 1 poem of electrone-O.mines 1, sitpogo p-nerehod; pas figs. 3 - records of electronic sleepers on the film.
правлепии посредством контактов 2 и .3 с выводами . В этом случае при протекании пр мото тока кристалл люминесцнрует почти однородно но всей площади. Область 4 кристалла вл ете н lзкoo нoй и ее, следовательно, считать зквинотен 1иально |. Область 5 более высокоом.ча и вдоль ее поверхности между контактами 3 и 6 имеетс небольшое падеппе напр жен ш, не вызывающее, однако, зал етного снада ркости электролюминесценц 1 1 в па11равлен 1н к контакту 6.Rlapia through contacts 2 and .3 with conclusions. In this case, when the motor current flows, the crystal luminesces almost uniformly but the entire area. The region 4 of the crystal is non-crystalline and, therefore, it is assumed to be quenched 1 and |. Region 5 is higher and along its surface between contacts 3 and 6 there is a small padep voltage w, which does not cause, however, a good brightness of the electroluminescent 1 1 in equal to 1 n to contact 6.
Из вольтамперной характеристики видно, что ток через р-/г-иереход равен 1рактпческ 1 нр 1анр жен)и (на (-переходе), ,ень,ем контакт 1ой разносги 1оте пи1алои (гк). Ирп 1роиускании тока между коптактa :и - 6 )а у равле 1 ) в таком 1 а |завЛеП , ПрОПСХОД ЛО ПОТеНИ1 ала ia ко1 Такте о io отпои е 1 К) к облает 4. вдоль обллсг 5 будет меть место напр же ; частЧ) р-/г-перехода од , (к окажетс ie свет щейс .It is clear from the current-voltage characteristic that the current through the p- / r-i-junction is equal to 1pactic 1 nr 1anr female) and (on (-transition), day, I’m contacting the 1st spawn 1p1 p1 (3) 6) a) 1) in this 1 a | zavLeP, PROsHOD LO LO SUMMER 1 ia co1 Tact of io back 1 K) to area 4. along the main 5 will mark the place forwards; Frequently) p- / r-junction od, (to turn out to be ie light of current.
Положе 1 е раздела евет нт,ейс несвет щеГ с частом кристалла (свегово коорд 1 аты ) завис т от тока управлспн ПЭИ и 1ропорп 10 ально ему.Putting on the 1st section of the EUNT, it is not bright with a part of the crystal (its coordinate is 1) depends on the current of the PEI control and the propion current to it.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU245892A1 true SU245892A1 (en) | 1969-06-11 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS543480A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
FR2386145A1 (en) | SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DEVICE | |
JPS57177237A (en) | Operation voltage supply device | |
SU245892A1 (en) | Device for recording electrical signals on film | |
SE7710950L (en) | PHOTOGRAPHIC DATA MARKING DEVICE | |
JPS5721838A (en) | Semiconductor device | |
JPS5376679A (en) | Semiconductor device | |
DE3869558D1 (en) | POWER SUPPLY FOR AN ELECTRONIC DEVICE WITH CAPACITOR BUFFER. | |
SE7707251L (en) | SEMICONDUCTOR CIRCUIT DIP | |
JPS5228277A (en) | Non-voltatile semiconductor memory device | |
GB945736A (en) | Improvements relating to semiconductor circuits | |
ES484353A1 (en) | Method of making a thin-film photovoltaic cell and photovoltaic cell made by this method. | |
JPS5336184A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPS53136977A (en) | Driving circuit | |
JPS52115669A (en) | Semiconductor memory device | |
JPS5367388A (en) | Memory semiconductor device | |
JPS52151576A (en) | Semiconductor device | |
SE7707068L (en) | SEMICONDUCTOR CIRCUIT DIP | |
GB1258146A (en) | ||
ES392402A1 (en) | Semiconductor device with isolated circuit elements | |
JPS5357775A (en) | Semiconductor ingegrated circuit device | |
JPS53147486A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JPS52142974A (en) | Semiconductor device | |
JPS52106687A (en) | Semiconductor device | |
JPS5348568A (en) | Electronic watch |