SU245892A1 - Device for recording electrical signals on film - Google Patents

Device for recording electrical signals on film

Info

Publication number
SU245892A1
SU245892A1 SU1218624A SU1218624A SU245892A1 SU 245892 A1 SU245892 A1 SU 245892A1 SU 1218624 A SU1218624 A SU 1218624A SU 1218624 A SU1218624 A SU 1218624A SU 245892 A1 SU245892 A1 SU 245892A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
film
electrical signals
recording electrical
current
crystal
Prior art date
Application number
SU1218624A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.А. Барков
А.А. Кальнин
Л.М. Когель
В.В. Пасынков
Ю.М. Таиров
Д.А. Яськов
Original Assignee
В.А. Барков
А.А. Кальнин
Л.М. Когель
В.В. Пасынков
Ю.М. Таиров
Д.А. Яськов
Filing date
Publication date
Application filed by В.А. Барков, А.А. Кальнин, Л.М. Когель, В.В. Пасынков, Ю.М. Таиров, Д.А. Яськов filed Critical В.А. Барков
Application granted granted Critical
Publication of SU245892A1 publication Critical patent/SU245892A1/en

Links

Description

Изобретение относитс  к области приборостроени .The invention relates to the field of instrumentation.

Известные устройства дл  регистрации электр1П1ес1 их Сигналов на фотопленку, содер жащие источник электрических сигналов, измерительньп механигл и механизм нрот гнвани  нленкн, характеризуютс  относительно : сложностью констру1чнии и невысоко аде кностью при экенлуатац и.The known devices for recording electrical signals on a film by an electrical device, containing a source of electrical signals, a measuring mechanism and a mechanism for griping nlenknn, are relatively: complex in design and not very accurate when using an e-switch and.

В предлагаемом устрО стве измерительпь п In the proposed device, the measuring device

ВЫПОЛ 1е 1 в ОЛу рОВОДН 1 хО 50го электрол оми 1есис 1гного 1треобразова ел5;. сосго ще о i3 кристалла полупроводп ;а с запре 1, зоной, содержап сго р-п-переход и с вь водал И, служаЩ 1М ДЛЯ пропускап   элсчтро.тюмипоспепции тюка у ра лепп  /10П1адь О с }ече1П Я . EXTREME 1E 1 IN OLU ROVODN 1 xO 50th electr omi 1 sys 1 gnogo 1transformation el5 ;. A semiconductor is formed about the i3 crystal;

Такое вь нолиепие ycTpoCicrtia ;:(.|звол ег уирост1 ть его коьч:трук ипо п пов 1сить 1адеж ОСТЪ в ЭКС1 Луата иП1.This is the case of ycTpoCicrtia;: (.. Zvol his way of doing it: trucking the first stop of the OST in EKS1 Luat iP1.

На фиг. 1 редставлен разрез полупроводп кового электролю ннеспентНО о реобразовател  (ИЭП); на фпг, 2 - вольтамперпа  характер 1стика электрол1О.минес 1,ситпого п-нерехода; па фиг. 3 - записи элект )ических сшпалов на фотопленку.FIG. 1 shows a section of a semiconductor electrolyte unresident about a transformer (IEP); on phpg, 2 - voltampera, the character of 1 poem of electrone-O.mines 1, sitpogo p-nerehod; pas figs. 3 - records of electronic sleepers on the film.

правлепии посредством контактов 2 и .3 с выводами . В этом случае при протекании пр мото тока кристалл люминесцнрует почти однородно но всей площади. Область 4 кристалла  вл ете  н lзкoo нoй и ее, следовательно, считать зквинотен 1иально |. Область 5 более высокоом.ча и вдоль ее поверхности между контактами 3 и 6 имеетс  небольшое падеппе напр жен ш, не вызывающее, однако, зал етного снада  ркости электролюминесценц 1 1 в па11равлен 1н к контакту 6.Rlapia through contacts 2 and .3 with conclusions. In this case, when the motor current flows, the crystal luminesces almost uniformly but the entire area. The region 4 of the crystal is non-crystalline and, therefore, it is assumed to be quenched 1 and |. Region 5 is higher and along its surface between contacts 3 and 6 there is a small padep voltage w, which does not cause, however, a good brightness of the electroluminescent 1 1 in equal to 1 n to contact 6.

Из вольтамперной характеристики видно, что ток через р-/г-иереход равен 1рактпческ 1 нр 1анр жен)и (на (-переходе), ,ень,ем контакт 1ой разносги 1оте пи1алои (гк). Ирп 1роиускании тока между коптактa :и - 6 )а у равле 1 ) в таком 1 а |завЛеП , ПрОПСХОД ЛО ПОТеНИ1 ала ia ко1 Такте о io отпои е 1 К) к облает 4. вдоль обллсг 5 будет меть место напр же ;   частЧ) р-/г-перехода од , (к окажетс  ie свет щейс .It is clear from the current-voltage characteristic that the current through the p- / r-i-junction is equal to 1pactic 1 nr 1anr female) and (on (-transition), day, I’m contacting the 1st spawn 1p1 p1 (3) 6) a) 1) in this 1 a | zavLeP, PROsHOD LO LO SUMMER 1 ia co1 Tact of io back 1 K) to area 4. along the main 5 will mark the place forwards; Frequently) p- / r-junction od, (to turn out to be ie light of current.

Положе 1 е раздела евет нт,ейс  несвет щеГ с  частом кристалла (свегово коорд 1 аты ) завис т от тока управлспн  ПЭИ и 1ропорп 10 ально ему.Putting on the 1st section of the EUNT, it is not bright with a part of the crystal (its coordinate is 1) depends on the current of the PEI control and the propion current to it.

SU1218624A 1968-02-16 Device for recording electrical signals on film SU245892A1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU245892A1 true SU245892A1 (en) 1969-06-11

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS543480A (en) Manufacture of semiconductor device
FR2386145A1 (en) SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DEVICE
JPS57177237A (en) Operation voltage supply device
SU245892A1 (en) Device for recording electrical signals on film
SE7710950L (en) PHOTOGRAPHIC DATA MARKING DEVICE
JPS5721838A (en) Semiconductor device
JPS5376679A (en) Semiconductor device
DE3869558D1 (en) POWER SUPPLY FOR AN ELECTRONIC DEVICE WITH CAPACITOR BUFFER.
SE7707251L (en) SEMICONDUCTOR CIRCUIT DIP
JPS5228277A (en) Non-voltatile semiconductor memory device
GB945736A (en) Improvements relating to semiconductor circuits
ES484353A1 (en) Method of making a thin-film photovoltaic cell and photovoltaic cell made by this method.
JPS5336184A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS53136977A (en) Driving circuit
JPS52115669A (en) Semiconductor memory device
JPS5367388A (en) Memory semiconductor device
JPS52151576A (en) Semiconductor device
SE7707068L (en) SEMICONDUCTOR CIRCUIT DIP
GB1258146A (en)
ES392402A1 (en) Semiconductor device with isolated circuit elements
JPS5357775A (en) Semiconductor ingegrated circuit device
JPS53147486A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS52142974A (en) Semiconductor device
JPS52106687A (en) Semiconductor device
JPS5348568A (en) Electronic watch