SU1831966A3 - Интегральный биполярный транзистор - Google Patents
Интегральный биполярный транзисторInfo
- Publication number
- SU1831966A3 SU1831966A3 SU4692526/25A SU4692526A SU1831966A3 SU 1831966 A3 SU1831966 A3 SU 1831966A3 SU 4692526/25 A SU4692526/25 A SU 4692526/25A SU 4692526 A SU4692526 A SU 4692526A SU 1831966 A3 SU1831966 A3 SU 1831966A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- region
- bipolar transistor
- contacts
- integrated bipolar
- symmetry
- Prior art date
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
Использование: проектирование аналоговых и аналого-цифровых базовых матричных кристаллов на основе биполярных транзисторов, обеспечивающих программируемость параметров для аналоговых схем. Сущность изобретения: по каждому из радиальных направлений расположены по одной эмиттерной области симметрично относительно центрально расположенной области. Между контактами к эмиттерным областям расположены по одному контакту к базовой области. По периферии коллекторной области симметрично расположены контакты к коллекторной области на определенном расстоянии друг от друга и от базовой области. 1 з.п.-флы, 2 ил., 2 табл.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4692526/25A SU1831966A3 (ru) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | Интегральный биполярный транзистор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4692526/25A SU1831966A3 (ru) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | Интегральный биполярный транзистор |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1831966A3 true SU1831966A3 (ru) | 1995-05-10 |
Family
ID=60537371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4692526/25A SU1831966A3 (ru) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | Интегральный биполярный транзистор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1831966A3 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2492546C1 (ru) * | 2012-04-05 | 2013-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Способ изготовления самосовмещенного высоковольтного интегрального транзистора |
RU2492551C1 (ru) * | 2012-04-05 | 2013-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор |
-
1989
- 1989-05-16 SU SU4692526/25A patent/SU1831966A3/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2492546C1 (ru) * | 2012-04-05 | 2013-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Способ изготовления самосовмещенного высоковольтного интегрального транзистора |
RU2492551C1 (ru) * | 2012-04-05 | 2013-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK1269546T3 (da) | Bipolar MOSFET indretning | |
KR910013576A (ko) | 반도체 장치 및 그 제법 | |
SE8703269D0 (sv) | Forbettrad konstruktion hos sos-transistor | |
DE69128364T2 (de) | Lateraler Bipolartransistor | |
JPS56131955A (en) | Semiconductor device | |
KR890004466B1 (en) | Semiconductor device | |
JPS5515299A (en) | Large power transistor | |
EP0322041A3 (en) | Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage mos power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process | |
EP0386413A3 (en) | Complementary transistor structure and method for manufacture | |
KR910007129A (ko) | 입력보호회로를 구비한 반도체장치 | |
GB1153497A (en) | Improvements in and relating to Semiconductor Devices | |
MY104983A (en) | Vertical bipolar transistor. | |
SU1831966A3 (ru) | Интегральный биполярный транзистор | |
EP0310047A3 (en) | Double-diffused mos fet | |
HUP0104030A2 (hu) | Tranzisztor tömb | |
MY104863A (en) | Semiconductor device | |
KR890017793A (ko) | 반도체 장치 | |
EP0309772A3 (en) | Vertical semiconductor device having a sidewall emitter | |
EP0231740A3 (en) | A polysilicon self-aligned bipolar device and process of manufacturing same | |
GB1529216A (en) | Lateral bipolar transistor | |
MY110261A (en) | Bipolar bump transistor and method of manufacturing the same. | |
JPS5615068A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
JPS54104779A (en) | Semiconductor device | |
SE8304013D0 (sv) | Multipel transistor | |
SU1393264A1 (ru) | Мощный планарный транзистор |