SU1788700A1 - Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке - Google Patents
Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравкеInfo
- Publication number
- SU1788700A1 SU1788700A1 SU4683512/26A SU4683512A SU1788700A1 SU 1788700 A1 SU1788700 A1 SU 1788700A1 SU 4683512/26 A SU4683512/26 A SU 4683512/26A SU 4683512 A SU4683512 A SU 4683512A SU 1788700 A1 SU1788700 A1 SU 1788700A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- carbon source
- temperature
- side adjacent
- reaction cell
- seed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Использование: для выращивания крупных кристаллов алмаза ювелирного качества. Сущность изобретения: синтез монокрисаллов алмаза на затравке осуществляют путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающегося в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источника углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке. При этом алмазную затравку нагревают до температуры, близкой к минимальной для данного температурного перепада, и одновременно источник углерода нагревают до температуры, близкой к максимальной для данного температурного интервала. Процесс ведут при постоянном перепаде температуры между источником углерода и выращиваемым монокристаллом, равном его первоначальному значению. Постоянный перепад температуры создают путем увеличения мощности дополнительного источника тепла, подключенного внутри реакционной ячейки со стороны источника углерода и/или уменьшения мощности источника тепла, подключенного внутри реакционной ячейки со стороны алмазной затравки, в процессе роста монокристала, либо путем увеличения мощности дополнительного источника тепла, подключенного внутри реакционной ячейки со стороны источника углерода и дополнительного охлаждения реакционной ячейки со стороны затравки, либо за счет уменьшения мощности указанного дополнительного источника тепла и уменьшением охлаждения реакционной ячейки со стороны источника углерода, либо изменяя электрический потенциал, подаваемый дополнительно на боковую поверхность трубчатого нагревателя в том сечении, где расположен источник углерода. 4 з. п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4683512/26A SU1788700A1 (ru) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4683512/26A SU1788700A1 (ru) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1788700A1 true SU1788700A1 (ru) | 1996-02-20 |
Family
ID=60521821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4683512/26A SU1788700A1 (ru) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1788700A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2580743C1 (ru) * | 2012-03-15 | 2016-04-10 | Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед | Процесс производства синтетического монокристаллического алмазного материала |
RU2752346C1 (ru) * | 2020-12-11 | 2021-07-26 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный комплекс "АЛМАЗ" | Способ получения сверхтвёрдых материалов |
-
1989
- 1989-04-25 SU SU4683512/26A patent/SU1788700A1/ru active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2580743C1 (ru) * | 2012-03-15 | 2016-04-10 | Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед | Процесс производства синтетического монокристаллического алмазного материала |
RU2752346C1 (ru) * | 2020-12-11 | 2021-07-26 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный комплекс "АЛМАЗ" | Способ получения сверхтвёрдых материалов |
WO2022124947A1 (ru) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственный Комплекс "Алмаз" (Ооо "Нпк "Алмаз") | Способ получения сверхтвёрдых материалов |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3063178D1 (en) | Improved method of making diamond compacts for rock drilling | |
DE3776333D1 (de) | Anordnung zur zuechtung profilierter monokristalle. | |
JPS6472984A (en) | Apparatus for producing single crystal | |
DE3069056D1 (en) | Polycrystalline diamond body and method of making same | |
ES8706573A1 (es) | Procedimiento para transformar hidrato de alumina en un producto a base de alumina anhidra conteniendo alumina alfa | |
MY113637A (en) | Rapid cooling of cz silicon crystal growth system | |
AU559627B2 (en) | Process and furnace for making silicon carbide | |
GB1499289A (en) | Silicon crystal growing | |
SU1788700A1 (ru) | Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке | |
JPS6418986A (en) | Single crystal-lifting unit | |
JPS56100122A (en) | Diamond synthesizing method | |
ES2062625T3 (es) | Procedimiento para la obtencion de acido fosforoso. | |
JPS5580713A (en) | Production of silicon carbide based on mainly beta-type crystal | |
US2893838A (en) | Continuous electrothermic production of boric oxide | |
JPS5669212A (en) | Synthesis of diamond | |
JPS63143813A (ja) | 半導体材料の高純度シリコンの製造方法およびその装置 | |
JPS5711896A (en) | Production of single crystal | |
JPS5515939A (en) | Production of single crystal | |
JPS6472990A (en) | Crystal growing device by molecular beam of gaseous source | |
JPS6414189A (en) | Growing device for crystal of semiconductor | |
Nicoarâ et al. | Bridgman growth in a shaped graphite furnace | |
SU1406971A1 (ru) | Способ получения алмаза | |
JPS5738400A (en) | Growing method for gallium-phosphorus semiconductor crystal | |
JPS55104445A (en) | Manufacture of composite material | |
Hedges et al. | Cubic Boron Nitride Manufacture |