SU1788700A1 - Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке - Google Patents

Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке

Info

Publication number
SU1788700A1
SU1788700A1 SU4683512/26A SU4683512A SU1788700A1 SU 1788700 A1 SU1788700 A1 SU 1788700A1 SU 4683512/26 A SU4683512/26 A SU 4683512/26A SU 4683512 A SU4683512 A SU 4683512A SU 1788700 A1 SU1788700 A1 SU 1788700A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
carbon source
temperature
side adjacent
reaction cell
seed
Prior art date
Application number
SU4683512/26A
Other languages
English (en)
Inventor
И.С. Белоусов
А.А. Будяк
С.А. Ивахненко
Г.В. Чипенко
Original Assignee
Институт сверхтвердых материалов АН УССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт сверхтвердых материалов АН УССР filed Critical Институт сверхтвердых материалов АН УССР
Priority to SU4683512/26A priority Critical patent/SU1788700A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1788700A1 publication Critical patent/SU1788700A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Использование: для выращивания крупных кристаллов алмаза ювелирного качества. Сущность изобретения: синтез монокрисаллов алмаза на затравке осуществляют путем создания заданного перепада температуры между алмазной затравкой и источником углерода, разделенных массой металлического катализатора-растворителя, заключающегося в приложении высокого давления и температуры к размещенным послойно в реакционной зоне источника углерода, металлическому катализатору-растворителю и кристаллу-затравке. При этом алмазную затравку нагревают до температуры, близкой к минимальной для данного температурного перепада, и одновременно источник углерода нагревают до температуры, близкой к максимальной для данного температурного интервала. Процесс ведут при постоянном перепаде температуры между источником углерода и выращиваемым монокристаллом, равном его первоначальному значению. Постоянный перепад температуры создают путем увеличения мощности дополнительного источника тепла, подключенного внутри реакционной ячейки со стороны источника углерода и/или уменьшения мощности источника тепла, подключенного внутри реакционной ячейки со стороны алмазной затравки, в процессе роста монокристала, либо путем увеличения мощности дополнительного источника тепла, подключенного внутри реакционной ячейки со стороны источника углерода и дополнительного охлаждения реакционной ячейки со стороны затравки, либо за счет уменьшения мощности указанного дополнительного источника тепла и уменьшением охлаждения реакционной ячейки со стороны источника углерода, либо изменяя электрический потенциал, подаваемый дополнительно на боковую поверхность трубчатого нагревателя в том сечении, где расположен источник углерода. 4 з. п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
SU4683512/26A 1989-04-25 1989-04-25 Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке SU1788700A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4683512/26A SU1788700A1 (ru) 1989-04-25 1989-04-25 Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4683512/26A SU1788700A1 (ru) 1989-04-25 1989-04-25 Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1788700A1 true SU1788700A1 (ru) 1996-02-20

Family

ID=60521821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4683512/26A SU1788700A1 (ru) 1989-04-25 1989-04-25 Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1788700A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2580743C1 (ru) * 2012-03-15 2016-04-10 Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед Процесс производства синтетического монокристаллического алмазного материала
RU2752346C1 (ru) * 2020-12-11 2021-07-26 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный комплекс "АЛМАЗ" Способ получения сверхтвёрдых материалов

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2580743C1 (ru) * 2012-03-15 2016-04-10 Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед Процесс производства синтетического монокристаллического алмазного материала
RU2752346C1 (ru) * 2020-12-11 2021-07-26 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный комплекс "АЛМАЗ" Способ получения сверхтвёрдых материалов
WO2022124947A1 (ru) * 2020-12-11 2022-06-16 Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственный Комплекс "Алмаз" (Ооо "Нпк "Алмаз") Способ получения сверхтвёрдых материалов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3063178D1 (en) Improved method of making diamond compacts for rock drilling
DE3776333D1 (de) Anordnung zur zuechtung profilierter monokristalle.
JPS6472984A (en) Apparatus for producing single crystal
DE3069056D1 (en) Polycrystalline diamond body and method of making same
ES8706573A1 (es) Procedimiento para transformar hidrato de alumina en un producto a base de alumina anhidra conteniendo alumina alfa
MY113637A (en) Rapid cooling of cz silicon crystal growth system
AU559627B2 (en) Process and furnace for making silicon carbide
GB1499289A (en) Silicon crystal growing
SU1788700A1 (ru) Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке
JPS6418986A (en) Single crystal-lifting unit
JPS56100122A (en) Diamond synthesizing method
ES2062625T3 (es) Procedimiento para la obtencion de acido fosforoso.
JPS5580713A (en) Production of silicon carbide based on mainly beta-type crystal
US2893838A (en) Continuous electrothermic production of boric oxide
JPS5669212A (en) Synthesis of diamond
JPS63143813A (ja) 半導体材料の高純度シリコンの製造方法およびその装置
JPS5711896A (en) Production of single crystal
JPS5515939A (en) Production of single crystal
JPS6472990A (en) Crystal growing device by molecular beam of gaseous source
JPS6414189A (en) Growing device for crystal of semiconductor
Nicoarâ et al. Bridgman growth in a shaped graphite furnace
SU1406971A1 (ru) Способ получения алмаза
JPS5738400A (en) Growing method for gallium-phosphorus semiconductor crystal
JPS55104445A (en) Manufacture of composite material
Hedges et al. Cubic Boron Nitride Manufacture