SU1758530A1 - Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов - Google Patents

Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов Download PDF

Info

Publication number
SU1758530A1
SU1758530A1 SU904817548A SU4817548A SU1758530A1 SU 1758530 A1 SU1758530 A1 SU 1758530A1 SU 904817548 A SU904817548 A SU 904817548A SU 4817548 A SU4817548 A SU 4817548A SU 1758530 A1 SU1758530 A1 SU 1758530A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
dielectric constant
minimum
transverse anisotropy
circular waveguide
dielectric
Prior art date
Application number
SU904817548A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Александрович Колосов
Original Assignee
Московский Радиотехнический Институт Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Радиотехнический Институт Ан Ссср filed Critical Московский Радиотехнический Институт Ан Ссср
Priority to SU904817548A priority Critical patent/SU1758530A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1758530A1 publication Critical patent/SU1758530A1/ru

Links

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике, в частности дл  измерени  поперечной анизотропии диэлектриков в СВЧ-диапазоне. Цель изобретени  - повышение чувствительности и точности измерени  поперечной анизотропии диэлектрической проницаемости. Новым  вл етс  то, что измер емую пластину вращают в плоскости ортогональной оси круглого волновода и определ ют ее положени , соответствующие минимальной и максимальной частотам минимума Кет. По положению пластины относительно плоскости пол ризации волны Hip в этих частотных точках определ ют главные оси поперечной анизотропии , а по частотам определ ют величины диэлектрических проницаемостей вдоль этих направлений. 2 ил.

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано дл  измерени  поперечной анизотропии диэлектрических материалов в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн
Известны способы измерени  диэлектрической проницаемости материалов с помощью измерени  Кс™ в частотной области дл  пластин, расположенных в волноводах и коаксиальных лини х.
Недостатками известных способов  вл ютс  невозможность определени  величин поперечной анизотропии материала и направление главных осей тензора поперечной диэлектрической проницаемости.
Наиболее близким по технической сущности  вл етс  способ измерени  диэлектрической проницаемости материалов, в том числе анизотропных, заключающийс  в облучении диэлектрического образца электромагнитной волной, измерении угла
поворота диэлектрического образца по отношению к плоскости пол ризации электромагнитной волны, определении направлени  главных осей тензора поперечной анизотропии по углу поворота в момент достижени  экстремальных значений и расчете значени  поперечной анизотропии диэлектрической проницаемости.
Недостатками способа  вл етс  высока  трудоемкость, мала  точность и чувствительность измерений поперечной анизотропии.
Целью изобретени   вл етс  повышение чувствительности и точности измерений поперечной анизотропии.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что облучение диэлектрического образца электромагнитной волной осуществл ют путем возбуждени  несимметричной волны Hip в круглом волноводе, о котором располагают диэлектрический образец, выполненный в
X
СЛ 00 О
виде пластины, ортогонально продольной оси круглого волновода, изменение угла поворота осуществл ют путем вращени  пластины в плоскости ортогональной оси круглого волновода, в качестве экстремальных значений выбирают значени  минимальной и максимальной частот минимума KCTV, а расчет величин поперечной анизотропии диэлектрической проницаемости осуществл ют по формулам:
Јх ei(1 + 1/а) + - 1/а);
Ју ei(1 - 1 /а) + ez(1 +1 /а); (1)
+ фт.Н,2: ,5-1/(vip2-1),
где d - толщина пластины, см; R - радиус волновода, см;
vip - корень уравнени  11 (vip) 0;
Ii - производна  функци  Бессел ;
С - скорость света, см/с;
fi, h наименьша  и наибольша  частоты , Гц, соответствующие минимумам KCTV.
На фиг. 1 схематически изображена установка дл  измерени  поперечной анизотропии диэлектрических материалов; на фиг. 2 - расчетные значени  модул  коэффициента отражени , как функции нормированной частоты V (KR/ Vip ) при различных углах Э между осью пластины с наибольшим значением диэлектрической проницаемости и плоскостью пол ризации волны Hip. Измерительна  установка состоит из согласованной нагрузки 1, вращающейс  секции круглого волновода, содержащего измер емую диэлектрическую пластину 2, волноводный переход пр моугольного волновода на круглый 3, направленный ответ- витель 4, коаксиально-волноводный переход 5. детекторы падающей 6 и отраженной 7 волны, генератор качающейс  частоты 8. индикатор КСВН и ослаблени  Я2Р - 67 - 9. На фиг. 2 крива  10 соответствует углу . крива  11 -углу , крива  12 - углу 0 90° при значени х d/R 0,27, ех 11,56, Ју 9,35.
Предлагаемый способ измерени  анизотропии диэлектрической проницаемости материалов реализуетс  следующим образом . С генератора качающейс  частоты 8 СВЧ сигнал через коаксиально-волноводный переход 5 подаетс  на секцию пр моугольного волновода с направленным отаетвителем 4. Часть энергии пр мой волны через направленный ответвитель и детектирующую секцию 6 подаетс  на вход падающей волны индикатора 9, друга  часть энергии через волноводный переход подаетс  на вращающуюс  секцию с измер емой пластиной 2. Отраженна  волна через направленный ответвитель и детектирующую секцию 7 подаетс  на вход отраженной волны индикатора Я2Р - 67.
В общем случае, когда положение осей
тензора поперечной диэлектрической проницаемости и плоскости пол ризации волны Hip произвольно, представим падающую волну в виде суммы двух волн. Пол ризаци  одной из волн совпадает с главной осью
тензора, имеющего наибольшую величину диэлектрической проницаемости, пол ризаци  другой совпадает с другой осью тензора
20
Unln Un(lxCos0+ ysln 0
(2),
где In, Ix, ly - единичные векторы;
0- угол между векторами 1П и 1х. Комплексные коэффициенты отражени  волн с различной пол ризацией вычисл ютс  с помощью формулы
|(Г0/Г - П/Гр) sin(fjd)
2cos(fjd) + |(Го/П + rj/ro)sin(rjd) J-1.2,(3)
где Г0 | К - ( vip /R) - посто нна  распространени  волны Н1р в незаполненном волповоде;
Tj - посто нные распространени  дл  волн с первой и второй пол ризацией в волноводе , заполненном анизотропной средой, которые а первом приближении определ ютс  соотношегги ми
(0.5--г1--)Кг-да.(4)
1
Амплитуда и пол ризаци  отраженной волны равна
UoTloT Un(ixRlCOS0+1yR2Sln 0), (5)
Так как пол ризаци  волны определ етс  пр моугольным волноводом, то амплитуда отраженной волны в пр моугольном волноводе равна
UenfoiTn) - Un(RlCOS2 0+ R2Sln2 0). (6)
а модуль коэффициента отражени 
I R I - Ricos2 0+ Rasln2 0. (7)
Анализ выражени  (7) с учетом (3) показывает, что модуль коэффициента отражени  и св занного с ним значени  Kcrv (1 + I R 1)/(1 - I R I ) принимает минимальные значени  при услови х
Из условий (8) и (9) и формулы (4) получим соотношени  (1), св зывающие частоты минимума KCTV и диэлектрические проницаемости ЕХ и Ју,
Таким образом на экране индикатора Я2Р - 67 в общем случае наблюдаетс  характеристика Кет, аналогична  кривой 11. Враща  измерительную секцию 3, находим ее положение, при котором зависимость КСт от частоты совпадает с кривой 10, Фиксируем положение секции 3 относительно пр моугольного волновода 4 и по частотным меткам определ ем наименьшую частоту. Затем аналогичным образом находим положение измерительной секции относительно пр моугольного волновода, при которой зависимость KCTV от частоты совпадает с кривой 12. Согласно услови м (8) и (9) эти два полевени  соответствуют случа м, когда мэвные оси тензора диэлектрической проницаемости ортогональны широкой стенке пр моугольного волновода. По наименьшей и наибольшей частотам минимума Кс™ с помощью соотношений (1) определ ем величины Јх и Ју в направлени х по главным ос м поперечных компонент тензора диэлектрической проницаемости.
Использование предлагаемого способа измерени  диэлектрической проницаемости позвол ет по сравнению с существующими увеличить точность ы чувствительность измерени  величин поперечной анизотропии и положени  главных осей тензора диэлектрической проницаемости.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ измерени  диэлектрической проницаемости материалов, заключающийс  в
    5 облучении диэлектрического образца электромагнитной волной,изменении угла поворота диэлектрического образца по отношению к плоскости пол ризации электромагнитной волны, определение направлени  главных
    10 осей тензора поперечной анизотропии по углу поворота в момент достижени  экстремальных значений и расчете значени  поперечной анизотропии диэлектрической проницаемости, отличающийс  тем,
    15 что, с целью повышени  чувствительности и точности измерений поперечной анизотропии , облучение диэлектрического образца электромагнитной волной осуществл ют путем возбуждени  несимметричной волны
    20 Hoip в круглом волноводе, в котором располагают диэлектрический образец, выполненный в виде пластины, ортогонально продольной оси круглого волновода, изменение угла поворота осуществл ют путем
    25 вращени  пластины в плоскости, ортогональной оси круглого волновода, в качестве экстремальных значений выбирают значение минимальной и максимальной частот минимума KCTV, а расчет значений попереч30 ной анизотропии диэлектрической прони- цаемости осуществл ют по формулам:
    Сх fi(1 + 1 /а) + ег(1 1 /а) : 35 Ју ei(l - 1/а) + Ј2(1 + 1/а):
    (l/(.J-i.2: .
    40a 0,5-1/(vip2-1),
    где d - толщина пластины, см;
    R - радиус круглого волновода, см; vip - корень уравнени  h1( vip) 0; 45 it1 - производна  функци  Бессел ; С - скорость соета, см/с; fit f2 - измеренна  минимальна  и максимальна  частоты, Гц.
    Ј
    Г./
    4 W У
    U /t U v
SU904817548A 1990-03-07 1990-03-07 Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов SU1758530A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904817548A SU1758530A1 (ru) 1990-03-07 1990-03-07 Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904817548A SU1758530A1 (ru) 1990-03-07 1990-03-07 Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1758530A1 true SU1758530A1 (ru) 1992-08-30

Family

ID=21510060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904817548A SU1758530A1 (ru) 1990-03-07 1990-03-07 Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1758530A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4244638A1 (de) * 1992-11-27 1994-06-16 Gerd Prof Dr Rer Nat Busse Mikrowellenmeßverfahren zur schnellen ortsaufgelösten und zerstörungsfreien Charakterisierung von dielektrischen Werkstoffen hinsichtlich Anisotropie, Dicke und Inhomogenität
RU2721472C1 (ru) * 2019-10-28 2020-05-19 Федеральное государственное казенное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Труды института инженеров по электронике и радиоэлектронике, 1986, № 1, с. 206-225. Авторское свидетельство СССР № 1255904. кл. G 01 N 22/00, 1984. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4244638A1 (de) * 1992-11-27 1994-06-16 Gerd Prof Dr Rer Nat Busse Mikrowellenmeßverfahren zur schnellen ortsaufgelösten und zerstörungsfreien Charakterisierung von dielektrischen Werkstoffen hinsichtlich Anisotropie, Dicke und Inhomogenität
RU2721472C1 (ru) * 2019-10-28 2020-05-19 Федеральное государственное казенное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2331894C1 (ru) Способ измерения диэлектрических характеристик материальных тел и устройство для его реализации
US2798197A (en) Microwave bridge
RU2665593C1 (ru) Способ измерения диэлектрических свойств материала и устройство для его осуществления
WO1994017373A1 (en) Procedure for determining material flow rate
Sanchez et al. Swept frequency reflectometer for correlation studies in the TJ‐I tokamak
SU1758530A1 (ru) Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов
CN112098736B (zh) 一种微波电场相位的测量方法
RU2092874C1 (ru) Способ обнаружения предметов в земле и устройство для его осуществления (варианты)
Lindberg et al. Optimum design of a microwave interferometer for plasma density measurements
RU2207500C2 (ru) Пассивный дистанционный способ определения толщины пленки нефтепродукта, разлитой на водной поверхности
RU2790085C1 (ru) Способ дистанционного измерения комплексной диэлектрической проницаемости плоскослоистых диэлектриков естественного происхождения
RU2009452C1 (ru) Устройство для дистанционного определения параметров вибрирующих объектов
US3532973A (en) Microwave flaw detector
Corona et al. A new technique for free-space permittivity measurements of lossy dielectrics
RU2723987C1 (ru) Способ обнаружения и идентификации взрывчатых и наркотических веществ и устройство для его осуществления
Brady et al. Reflection of Microwaves from Metal‐Plate Media
RU2688588C1 (ru) Способ определения сверхвысокочастотных параметров материала в полосе частот и устройство для его осуществления
SU1744655A1 (ru) Способ определени диэлектрической проницаемости материалов и устройство дл его осуществлени
SU1716321A1 (ru) Способ Щурова измерени скорости механических колебаний объекта
RU2117952C1 (ru) Способ определения коэффициента отражения поверхности вещества
SU1657952A1 (ru) Эллипсометрический способ измерени рассто ни или плоскостности
SU1208496A1 (ru) Способ измерени размера частиц и устройство дл его осуществлени
SU684072A1 (ru) Способ определени анизотропии механической прочности волокнистых материалов
SU1737366A1 (ru) Способ контрол анизотропии диэлектрической проницаемости диэлектрика
Mungall Measurement of the dielectric properties of low loss materials at millimeter wavelengths