RU2721472C1 - Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков - Google Patents
Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков Download PDFInfo
- Publication number
- RU2721472C1 RU2721472C1 RU2019134602A RU2019134602A RU2721472C1 RU 2721472 C1 RU2721472 C1 RU 2721472C1 RU 2019134602 A RU2019134602 A RU 2019134602A RU 2019134602 A RU2019134602 A RU 2019134602A RU 2721472 C1 RU2721472 C1 RU 2721472C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- attenuation coefficient
- dielectric
- excitation
- radial surface
- transverse
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N22/00—Investigating or analysing materials by the use of microwaves or radio waves, i.e. electromagnetic waves with a wavelength of one millimetre or more
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков, и может быть использовано при контроле качества твердых диэлектрических материалов и покрытий. Способ измерения диэлектрической проницаемости материалов включает облучение диэлектрического образца электромагнитной волной за счет возбуждения несимметричной волны Н01р в круглом волноводе, в котором располагают диэлектрический образец, выполненный в виде пластины, ортогонально продольной оси круглого волновода, при этом диэлектрический образец размещают на металлической подложке и последовательно возбуждают в нем радиальные поверхностные электромагнитные волны на двух близких длинах волн генератора λ1 и λ2 при условии, что (λ2-λ1)/λ1<<1, измеряют значения коэффициента затухания каждой их двух поверхностных волн над диэлектрическим образцом в точках вдоль всей длины окружности, с центром, совпадающим с точкой возбуждения радиальных поверхностных волн, с шагом в зависимости от количество точек измерения коэффициента затухания, по длине окружности для каждой длины волны, находят максимальное и минимальное значения коэффициентов затухания направления двух главных осей поперечной анизотропии исследуемого материала и проводят определение значений диэлектрической проницаемости поперечных компонент тензора диэлектрической проницаемости εх, εу и его нормальной компоненты εz путем решения системы дисперсионных уравнений. Повышение точности измерений поперечной анизотропии диэлектрических материалов является техническим результатом изобретения. 2 ил.
Description
Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам для определения поперечной анизотропии диэлектриков в диапазоне СВЧ, и может быть использовано при контроле качества твердых диэлектрических материалов и покрытий в процессе разработки и эксплуатации радиопоглощающих материалов и покрытий, а также в химической, лакокрасочной и других отраслях промышленности.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению (прототипом) является способ измерения диэлектрической проницаемости материалов [Авторское свидетельство SU №1758530 А1, МПК7 G01N 22/00, Заявл. 07.03.1990. Опубл. 30.09.1992. Бюл. №32] заключающийся в облучении диэлектрического образца электромагнитной волной, за счет возбуждения несимметричной волны Н01р в круглом волноводе, в котором располагают диэлектрический образец, выполненный в виде пластины, ортогонально продольной оси круглого волновода, определении минимальной и максимальной частот минимума Kcmv путем вращения пластины в плоскости, ортогональной оси круглого волновода и расчете значений поперечной анизотропии.
Недостатками способа являются низкая точность, достоверность и чувствительность измерений поперечной анизотропии диэлектрических материалов, а также ограниченный частотный диапазон измерений.
Низкая точность, достоверность и чувствительность измерений обусловлена тем, что, в прототипе для проведения измерений необходим специально подготовленный образец в виде круглой пластины, точно соответствующей диаметру круглого волновода. При несоответствии размеров образца диаметру волновода возникают погрешности измерений, связанные с наличием щели между краем образца и стенкой волновода.
При анализе результатов измерения в прототипе предполагается, что в круглом волноводе существует только основная мода электромагнитной волны. Возбуждение высших мод, распространяющихся по волноводу и взаимодействующих с элементами волноводного тракта, является источником дополнительной погрешности.
На погрешность измерений влияет также толщина исследуемого образца. При проведении измерений в круглом волноводе оптическая толщина образца исследуемого диэлектрика должна быть меньше 1/2. Кроме того, в прототипе диапазон частот измерений ограничен геометрическими размерами волновода и не позволяет исследовать поперечную анизотропию диэлектриков в широкой полосе частот. В общую погрешность измерений вносят вклад неоднородности измерительного тракта круглого волновода.
Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение точности, достоверности и чувствительности измерений поперечной анизотропии диэлектрических материалов, а также расширение частотного диапазона измерений.
Указанный технический результат достигается тем, что в известном способе измерения диэлектрической проницаемости материалов, заключающемся в облучении диэлектрического образца электромагнитной волной, за счет возбуждения несимметричной волны Н01р в круглом волноводе, в котором располагают диэлектрический образец, выполненный в виде пластины, ортогонально продольной оси круглого волновода, определении минимальной и максимальной частот минимума Kcmv, путем вращения пластины в плоскости, ортогональной оси круглого волновода и расчете значения поперечной анизотропии, диэлектрический образец размещают на металлической подложке и последовательно возбуждают в нем радиальные поверхностные электромагнитные волны на двух близких длинах волн генератора λ1 и λ2, при условии, что
измеряют значения коэффициента затухания каждой их двух поверхностных волн над диэлектрическим образцом в точках вдоль всей длины окружности, с центром совпадающим с точкой возбуждения радиальных поверхностных волн, с шагом по углу n - количество точек измерения коэффициента затухания, по длине окружности,
для каждой длины волны, из ряда измеренных вдоль окружности значений коэффициентов затухания находят максимальное αmax и минимальное значения αmin,
направления двух главных осей поперечной анизотропии исследуемого материала определяют по двум направлениям: одно задается линией проведенной между центром возбуждения радиальной поверхностной волны и ее максимальным αmax значением коэффициента затухания, а второе линией между центром возбуждения поверхностной волны и ее минимальным αmin значением коэффициента затухания, соответственно, любой из двух длин волн λ1 или λ2,
определение значений диэлектрической проницаемости поперечных компонент тензора диэлектрической проницаемости εx, εу и его нормальной компоненты εz осуществляют путем решения системы дисперсионных уравнений:
где αλ1(max) - максимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ1; αλ1(min) - минимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ1; αλ2(max) - максимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ2; αλ2(min) - минимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ2.
Сущность изобретения состоит в следующем.
Предлагаемый способ позволяет повысить точность, достоверность и чувствительность измерения поперечной анизотропии диэлектрических материалов, а также расширить частотный диапазон измерений.
Сущность изобретения заключается в том, что структура поля радиальной поверхностной волны возбужденной в анизотропном диэлектрике различна по двум направлениям главных осей поперечной анизотропии и определяется ее коэффициентом затухания. Коэффициент затухания радиальной поверхностной волны принимает экстремальные значения вдоль направлений главных осей поперечной анизотропии. При этом, если значение диэлектрической проницаемости поперечной компоненты одной из двух главных осей анизотропии больше значения диэлектрической проницаемости поперечной компоненты другой главной оси анизотропии, коэффициент затухания радиальной поверхностной волны на этой оси в этом случае имеет максимальное значение, а вдоль другой оси минимальное.
Измерение коэффициента затухания радиальной поверхностной волны в точках вдоль окружности, с центром совпадающим с точкой возбуждения радиальных поверхностных волн, позволяет построить зависимость изменения коэффициента затухания в исследуемом диэлектрике вдоль этой окружности и оценить, как он меняется при прохождении главных осей поперечной анизотропии. Это позволяет определить направления поперечных осей анизотропии исследуемого диэлектрика, по направлениям экстремальных значений коэффициента затухания относительно центра возбуждения радиальной поверхностной волны и, кроме того, вычислить компоненты диэлектрической проницаемости тензора диэлектрической проницаемости.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет повысить точность, достоверность и чувствительность проводимых измерений, так как измерения коэффициента затухания относительны и не зависят от расстояния приемной антенны от поверхности, не требуется специальных мер отстройки от зазора и подготовки образца. Образец может быть произвольной формы и размеров, что позволяет проводить измерения непосредственно на объекте контроля. Основным требованием является возможность возбудить радиальные поверхностные электромагнитные волны.
Кроме того, предлагаемый способ, в отличие от прототипа, с одинаковой точностью работают на любых частотах, на которых выполняются условия возбуждения и распространения радиальных поверхностных электромагнитных волн в системе «металлическая подложка-анизотропный диэлектрик». При этом измерения коэффициента затухания возможно проводить на любом высшем типе мод радиальной поверхностной волны. Использование высших типов волн радиальных поверхностных электромагнитных волн основано на том свойстве, что экспоненциальный закон распределения поля поверхностной волны в свободном пространстве над поверхностью сохраняется одинаковым для любого типа волны. Таким образом, расширяется частотный диапазон измерений исследуемых образцов и он не ограничен размерами волноводного тракта.
На фиг. 1 представлен один из возможных вариантов реализации предлагаемого способа определения электрофизических параметров анизотропных диэлектриков, где цифрами обозначено 1 - блок перемещения приемной антенны, 2 - приемная антенна, 3 - блок измерения коэффициентов затухания поля радиальной поверхностной электромагнитной волны, 4 - блок определения направлений главных осей поперечной анизотропии и значений диэлектрической проницаемости поперечных и нормальных компонент тензора диэлектрической проницаемости, 5 - генератор СВЧ, 6 - антенна возбуждения радиальной поверхностной электромагнитной волны, 7 - исследуемый материал, 8 - металлическая подложка.
Назначение элементов схемы. Приемная антенна 2 совместно с блоком измерения коэффициентов затухания поля радиальной поверхностной электромагнитной волны 3 предназначены для измерения коэффициентов затухания поля радиальной поверхностной электромагнитной волны.
Измерение коэффициентов затухания радиальной поверхностной электромагнитной волны не отличается от измерения коэффициентов затухания плоской поверхностной электромагнитной волны и, например, может быть осуществлено по результатам косвенных измерений напряженности поля плоской поверхностной волны Е-типа по нормали к поверхности покрытия [Федюнин П.А., Казьмин А.И. Способы радиоволнового контроля параметров защитных покрытий авиационной техники. М.: Физматлит. 2013. стр. 122].
Блок измерения коэффициентов затухания поля радиальной поверхностной электромагнитной волны 3 может быть реализован, например, на основе детекторных СВЧ-диодов, аналогово-цифрового преобразователя, микроконтроллера и персональной электронной вычислительной машины (ПЭВМ) [Branislav Korenko и Marek Автономный цифровой вольтметр на многоканальном АЦП. Электронный журнал Радиолоцман, 2012, ноябрь. С. 67-70. URL: http://www.rlocman.ru/book/book.html?di=144227 (Дата обращения: 16.09.2019)].
Приемная антенна 2 может быть реализована на основе полуволнового вибратора [Федюнин П.А. Казьмин А.И. Способы радиоволнового контроля параметров защитных покрытий авиационной техники. М.: Физматлит. 2013. стр. 117].
Блок перемещения приемной антенны 1 предназначен для перемещения приемной антенны 2 над исследуемым анизотропным диэлектрическим материалом вдоль окружности с центром совпадающим с точкой возбуждения радиальных поверхностных волн, с целью измерения значений ее коэффициента затухания вдоль окружности с шагом по углу Δθ=2π/n, n - количество точек измерения коэффициента затухания, по длине окружности.
Блок перемещения приемной антенны 1 может быть реализован на основе роботизированной системы с числовым программным управлением [Дж. Вильяме Программируемые роботы. Создаем робота для своей домашней мастерской. М.: NT Press, 2006, С. 127-167].
Назначение блока определения направлений главных осей поперечной анизотропии и значений диэлектрической проницаемости поперечных и нормальных компонент тензора диэлектрической проницаемости 4 следует их названия самого блока.
Направления двух главных осей поперечной анизотропии в блоке 4 определяют по двум направлениям: одно задается линией проведенной между центром возбуждения радиальной поверхностной волны и ее максимальным αmax значением коэффициента затухания, а второе линией между центром возбуждения поверхностной волны и ее минимальным αmin значением коэффициента затухания, соответственно, любой из двух длин волн λ1 или λ2 (фигура 2).
Определение значений диэлектрической проницаемости поперечных компонент тензора диэлектрической проницаемости εх, εу и его нормальной компоненты εz исследуемого материала 7 в блоке 4 может быть реализовано путем решения системы из 4 дисперсионных уравнений:
где αλ1(max) - максимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ1; αλ1(min) - минимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ1; αλ2(max) - максимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ2; αλ2(min) - минимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ2.
Для каждой из главных осей поперечной анизотропии поперечное распределение поля радиальной поверхностной волны совпадает с поперечным распределением для плоской поверхностной волны [с. 561-562 [Харвей А.Ф. Техника сверхвысоких частот. Том 1 / перевод с английского В.И. Сушкевич. М.: Советское радио, 1965. 783 с.]. Таким образом, для каждой длины волны λ1 и λ2 составляется по два дисперсионных уравнения - для максимального и минимального значения коэффициента затухания радиальной поверхностной электромагнитной волны, соответственно. Каждое из дисперсионных уравнений системы (1) составляется с учетом нормальной компоненты диэлектрической проницаемости εz по методике приведенной в [р. 11 [Zhuozhu Chen, Zhongxiang Shen Surface Waves Propagating on Grounded Anisotropic Dielectric Slab / Applied Sciences. 2018. №8(1). DOI:10.3390/app8010102],
Антенна возбуждения радиальных поверхностных электромагнитных волн 6 предназначена для последовательного возбуждения в исследуемом материале 7 радиальных поверхностных электромагнитных волн на двух длинах волн λ1 и λ2.
Антенна возбуждения радиальных поверхностных электромагнитных волн может быть реализована на основе дисковой микрополосковой антенны [Панченко Б.А., Нефедов Е.И. Микрополосковые антенны. М.: Радио и связь, 1986, С. 115-124].
Генератор СВЧ 5 реализует формирование СВЧ сигнала на заданной длине волны для антенны возбуждения радиальной поверхностной электромагнитной волны 6. В качестве генератора СВЧ могут быть использованы стандартные цифровые генераторы СВЧ-сигналов, например типа R&S SMB 100А RF, работающий в диапазоне рабочих частот 100 кГц-40 ГГц с максимальной выходной мощностью +18 дБм [https://www.rohde-schwarz.com/ru/product/smb100a-productstartpage_63493-9379.html].
Устройство работает следующим образом.
С помощью генератора СВЧ 5 и антенны возбуждения радиальной поверхностной электромагнитной волны 6 в исследуемом анизотропном диэлектрике 7 последовательно возбуждают радиальные поверхностные электромагнитные волны на двух близких длинах волн генератора λ1 и λ2, при условии, что (λ2-λ1)/λ1<<1. Данное условие обеспечивает возможность пренебречь частотной дисперсией материала и соответственно позволяет определять направление главных осей поперечной анизотропии на любой длине волны λ1 и λ2.
С помощью приемной антенны 2, блока перемещения приемной антенны 1 и блока измерения коэффициентов затухания поля радиальной поверхностной электромагнитной волны 3 для каждой из двух длинах волн λ1 и λ2 производят измерение значений коэффициента затухания в точках, вдоль всей длины окружности, с центром совпадающим с точкой возбуждения радиальных поверхностных волн, с шагом по углу n - количество точек измерения коэффициента затухания, по длине окружности. По результатам измерения для каждой длины волны получают ряд значений коэффициентов затухания α1, α2, …, αn вдоль длины окружности, с центром совпадающим с точкой возбуждения радиальной поверхностной волны.
В блоке определения направления поперечных осей анизотропии и значений диэлектрической проницаемости поперечных и нормальных компонент тензора диэлектрической проницаемости 4 для каждой длины волны, из ряда измеренных вдоль окружности значений коэффициентов затухания α1, α2, …, αn находят максимальное αmax и минимальное значения αmin.
Из фиг. 2 видно, что коэффициент затухания радиальной поверхностной волны принимает экстремальные значения в момент прохождения главных осей поперечной анизотропии. Максимальное значение коэффициента затухания αmax соответствует большему значению диэлектрической проницаемости поперечной компоненты главной оси анизотропии, а минимальное значение коэффициента затухания αmin меньшему значению.
В блоке определения направлений главных осей поперечной анизотропии и значений диэлектрической проницаемости поперечных и нормальных компонент тензора диэлектрической проницаемости 4 определяют направления двух главных осей (εx, εу) поперечной анизотропии исследуемого материала. Определение главных осей поперечной анизотропии производят по двум направлениям: одно задается линией проведенной между центром возбуждения радиальной поверхностной волны и ее максимальным αmax значением коэффициента затухания, а второе линией между центром возбуждения поверхностной волны и ее минимальным αmin значением коэффициента затухания, соответственно, любой из двух длин волн λ1 или λ2. Запоминаются координаты направлений главных осей поперечной анизотропии относительно центра возбуждения радиальной поверхностной волны (фигура 2).
На основе максимального αmax и минимального amin значений коэффициентов затухания двух длин волн λ1 и λ2 определяют значения диэлектрической проницаемости поперечных компонент тензора диэлектрической проницаемости исследуемого диэлектрика εx, εy и его нормальной компоненты εz, путем решения системы дисперсионных уравнений (1).
При этом, если нормальной анизотропии в диэлектрике нет, то при решении системы уравнений (1) значение нормальной компоненты εz обращается в 1.
Для проверки работоспособности способа проведены экспериментальные исследования по измерению параметров анизотропных диэлектриков.
В качестве примера возможностей способа рассмотрим экспериментальные результаты оценки анизотропии в композиционном материале типа органопластик [с. 157 [Казьмин А.И. Фазорный метод измерения электрофизических параметров и дефектоскопии радиопоглощающих и композиционных материалов. Измерительно-вычислительная система для его реализации // Вестник МАИ. 2016. Т. 23. №2. С. 149-159] толщиной 9 мм.
Возбуждение радиальной поверхностной волны в исследуемом композиционном материале осуществлялось на двух близких длинах волн генератора λ1=0.003329 м и λ2=0.003322 м. Экспериментальные значения коэффициента затухания для длины волны λ1=0.003329 м, измеренные вдоль окружности с центром возбуждения радиальной поверхностной волны с шагом по углу 5 градусов, приведены на графике на фигуре 2.
Проведенные экспериментальные исследования показали, что различие величин εx, εy достигает 10%. Это показывает, что с использованием предложенного способа поперечная анизотропия надежно идентифицируется. Значения коэффициентов затухания на направлениях главных осей поперечной анизотропии соответствуют величинам αλ1(max)=118,5 м-1 и αλ1(min)=110 м-1.
Проведенные экспериментальные исследования параметров диэлектриков на основе предлагаемого способа показали принципиальную возможность измерения поперечных компонент тензора диэлектрической проницаемости εx, εу и его нормальной компоненты εz с погрешностью не более 10%, а также возможность надежного определения направления главных осей поперечной анизотропии.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет повысить точность, достоверность и чувствительность измерений поперечной анизотропии диэлектрических материалов, а также расширить частотный диапазон измерений.
Claims (7)
- Способ измерения диэлектрической проницаемости материалов, заключающийся в облучении диэлектрического образца электромагнитной волной за счет возбуждения несимметричной волны H01p в круглом волноводе, в котором располагают диэлектрический образец, выполненный в виде пластины, ортогонально продольной оси круглого волновода, определении минимальной и максимальной частот минимума Kcmv путем вращения пластины в плоскости, ортогональной оси круглого волновода, и расчете значения поперечной анизотропии, отличающийся тем, что, диэлектрический образец размещают на металлической подложке и последовательно возбуждают в нем радиальные поверхностные электромагнитные волны на двух близких длинах волн генератора λ1 и λ2 при условии, что
- измеряют значения коэффициента затухания каждой их двух поверхностных волн над диэлектрическим образцом в точках вдоль всей длины окружности, с центром, совпадающим с точкой возбуждения радиальных поверхностных волн, с шагом по углу n - количество точек измерения коэффициента затухания по длине окружности,
- для каждой длины волны из ряда измеренных вдоль окружности значений коэффициентов затухания находят максимальное αmax и минимальное значения αmin,
- направления двух главных осей поперечной анизотропии исследуемого материала определяют по двум направлениям: одно задается линией, проведенной между центром возбуждения радиальной поверхностной волны и ее максимальным αmax значением коэффициента затухания, а второе - линией между центром возбуждения поверхностной волны и ее минимальным αmin значением коэффициента затухания, соответственно, любой из двух длин волн λ1 или λ2,
- определение значений диэлектрической проницаемости поперечных компонент тензора диэлектрической проницаемости εх, εy и его нормальной компоненты εz осуществляют путем решения системы дисперсионных уравнений:
- где αλ1(max) - максимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ1; αλ1(min) - минимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ1; αλ2(max) - максимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ2; αλ2(min) - минимальное значение коэффициента затухания на длине волны λ2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019134602A RU2721472C1 (ru) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019134602A RU2721472C1 (ru) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2721472C1 true RU2721472C1 (ru) | 2020-05-19 |
Family
ID=70735185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019134602A RU2721472C1 (ru) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2721472C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1758530A1 (ru) * | 1990-03-07 | 1992-08-30 | Московский Радиотехнический Институт Ан Ссср | Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов |
JP2006226963A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | National Printing Bureau | シートの配向測定方法及び配向測定装置並びにシートの真偽判別方法及び真偽判別装置 |
DE102011076347A1 (de) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | System zur kontaktlosen Leitfähigkeitsmessung von heterogenen Katalysatoren unter Reaktionsbedingungen |
RU2507506C2 (ru) * | 2012-05-23 | 2014-02-20 | Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Свч способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле |
RU2604094C1 (ru) * | 2015-11-23 | 2016-12-10 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Свч способ обнаружения неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металлической подложке |
-
2019
- 2019-10-28 RU RU2019134602A patent/RU2721472C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1758530A1 (ru) * | 1990-03-07 | 1992-08-30 | Московский Радиотехнический Институт Ан Ссср | Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов |
JP2006226963A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | National Printing Bureau | シートの配向測定方法及び配向測定装置並びにシートの真偽判別方法及び真偽判別装置 |
DE102011076347A1 (de) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | System zur kontaktlosen Leitfähigkeitsmessung von heterogenen Katalysatoren unter Reaktionsbedingungen |
RU2507506C2 (ru) * | 2012-05-23 | 2014-02-20 | Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Свч способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле |
RU2604094C1 (ru) * | 2015-11-23 | 2016-12-10 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Свч способ обнаружения неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металлической подложке |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Bakhtiari et al. | Microwave noncontact examination of disbond and thickness variation in stratified composite media | |
Hyde IV et al. | Nondestructive determination of the permittivity tensor of a uniaxial material using a two-port clamped coaxial probe | |
Hosseini et al. | Wideband nondestructive measurement of complex permittivity and permeability using coupled coaxial probes | |
Li et al. | Compact dielectric constant characterization of low-loss thin dielectric slabs with microwave reflection measurement | |
Hyde et al. | A broadband, nondestructive microwave sensor for characterizing magnetic sheet materials | |
Ozturk et al. | Development of measurement and extraction technique of complex permittivity using transmission parameter s 21 for millimeter wave frequencies | |
CN105388442A (zh) | 一种基于可移动短路板的自由空间法校准方法 | |
RU2665593C1 (ru) | Способ измерения диэлектрических свойств материала и устройство для его осуществления | |
Dester et al. | Two-iris method for the electromagnetic characterization of conductor-backed absorbing materials using an open-ended waveguide probe | |
Moll | Damage detection and localization in metallic structures based on jointed electromagnetic waveguides: a proof-of-principle study | |
RU2548064C1 (ru) | Способ измерения диэлектрической проницаемости материалов и устройство для его осуществления | |
Barowski et al. | Millimeter wave material characterization using FMCW-transceivers | |
ur Rahman et al. | Crack detection and corrosion mapping using loaded-aperture microwave probe | |
Nguyen et al. | Measurement of complex permittivity by rectangular waveguide method with simple specimen preparation | |
Bozzetti et al. | Shielding performance of an expanded copper foil over a wide frequency range | |
RU2721472C1 (ru) | Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков | |
You et al. | Non-destructive dielectric measurements and calibration for thin materials using waveguide-coaxial adaptors | |
Zhang et al. | A novel genetic algorithm based method for measuring complex permittivity of thin samples in the compact radar frequency band | |
Ghasr et al. | SAR imaging for inspection of metallic surfaces at millimeter wave frequencies | |
Dvorsky et al. | Microwave surface conductivity measurement using an open-ended circular waveguide probe | |
RU2694110C1 (ru) | Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ | |
Shafi et al. | Super-resolution microwave imaging using small loop loaded with spiral resonator | |
RU2758390C1 (ru) | Способ определения электрофизических параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий с частотной дисперсией в диапазоне свч | |
Dvorsky et al. | Multimodal solution for a circular waveguide radiating into multilayered structures using the axially symmetric modes | |
Li et al. | A modified open-ended rectangular waveguide based reflection approach for dielectric constant characterization of low-loss slab materials |