SU1695970A1 - Способ изготовлени мембран - Google Patents

Способ изготовлени мембран Download PDF

Info

Publication number
SU1695970A1
SU1695970A1 SU894676018A SU4676018A SU1695970A1 SU 1695970 A1 SU1695970 A1 SU 1695970A1 SU 894676018 A SU894676018 A SU 894676018A SU 4676018 A SU4676018 A SU 4676018A SU 1695970 A1 SU1695970 A1 SU 1695970A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
pores
barrier layer
aluminum
anodizing
voltage
Prior art date
Application number
SU894676018A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Николаевич Говядинов
Иван Леонтьевич Григоришин
Галина Николаевна Лысенко
Петр Петрович Мардилович
Олег Александрович Мостовлянский
Original Assignee
Институт электроники АН БССР
Институт физико-органической химии АН БССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт электроники АН БССР, Институт физико-органической химии АН БССР filed Critical Институт электроники АН БССР
Priority to SU894676018A priority Critical patent/SU1695970A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1695970A1 publication Critical patent/SU1695970A1/ru

Links

Landscapes

  • Pistons, Piston Rings, And Cylinders (AREA)

Description

1
(21)4676018/26 (22) 10.03.89 (4б)07.12.91.Бюл. №45
(71)Институт электроники АН БССР и Институт физико-органической химии АН БССР
(72)А.Н.Гов динов, И.Л.Григоришин, Г.Н.Лысенко, П.П.Мардилович и О.А.Мос- товл нский
(53)661.357.4(088.8)
(56)Европейска  за вка
№ 0178831, кл. В 01 D 13/04, 1986.
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕМБРАН
(57)Способ изготовлени  ультрафильтрационных мембран относитс  к мембранной технологии. Целью изобретени   вл етс  повышение производительности мембран
за счет равномерного вскрыти  пор в барьерном слое. Сущность изобретени  состоит в том что на поверхность анодного оксида алюмини  со стороны барьерного сло  нанос т дополнительное покрытие из вентильного материала, анодный оксид которого допускает селективное отделение от анодного оксида алюмини , а формирование сквозных пор провод т анодно в том же электролите при напр жении не менее конечного напр жени  анодировани  алюмини , причем дополнительное покрытие выполн ют толщиной не менее а Уф , где а - посто нна  анодировани ; U ф - конечное напр жение анодировани . 1 табл.
Изобретение относитс  к мембранной технологии и может быть использовано при создании мембран дл  опреснени  морских и солоноватых вод, концентрировани  растворов высокомолекул рных веществ, диализа , электродиализа, в качестве фильтров дл  очистки газов, а также дл  микроканальных пластин электронно-оптических преобразователей , подложек акуумных и гибридных интегральных схем с объемными резисторами и контактирующими элементами и в других устройствах, где используютс  тонкие пористые пластины из анодного оксида алюмини  (АОА) со сквозной проницаемостью .
Наличие в АОА пр мых малоразветвленных пор, размеры которых достаточно надежно могут контролироватьс , высока  термическа  и химическа  стойкость делает их предпочтительными по сравнению с полимерными и другими типами керамических мембран.
Цель изобретени  - увеличение проницаемости мембраны за счет вскрыти  пор в барьерном слое.
На поверхность анодированного оксида алюмини  со стороны барьерного сло  нанос т дополнительное покрытие из вентиль- нога материала, анодный оксид которого допускает селективное отделение от анодного оксида алюмини , а формирование сквозных пор провод т анодно в том же электролите при напр жении не менее конечного напр жени  анодировани  алюмини , причем дополнительное покрытие выполн ют толщиной не менее а Уф , где а - посто нна  анодировани ; 1)ф - конечное напр жени  анодировани .
Известно, что при анодировании алюмини  в слабораствор ющих электролитах
О
о ел о
vj О
на его поверхности образуетс  оксидна  пленка, состо ща  из плотноупаксшанных оксидных  чеек в виде гексагональных призм, направленных по нормали к поверхности и спа нных по боковым гран м. Кажда   чейка состоит из центрально-расположенной пары, оксидных стенок и беспористого сло  - барьерного сло . Таким образом основными параметрами сформированного анодного оксида на алюминии  вл ютс  толщина барьерного сло , толщина пористого сло , диаметр пор и диаметр оксидной  чейки . Определ ютс  эти параметры трем  основными факторами: напр жением, при котором формируетс  пленка, временем анодировани  и характером электролита (природой, концентрацией, температурой), а при использовании одного и того же электролита - концентрацией и температурой.
Диаметр пор в структуре АОА существенно зависит от природы электролита и может принимать значение 10-120 нм.
Нанесение дополнительного покрыти  и подача напр жени  не менее конечного напр жени  анодировани  в анодном включении такой системы приводит к протеканию процесса анодировани , но теперь уже не алюмини , а провод щего покрыти . При этом основное то ко прохождение сосредотачиваетс  в области барьерного сло  на дне пор. Это вызывает его растворение в этих местах и продвижение фронта анодировани  в дополнительном покрытии. Дл  предотвращени  протекани  электрохимических процессов со свободной стороны
провод щего материала, которые подавл ют процесс растворени  барьерного сло ,
эту сторону защищают слоем электроизол ционного материала или предотвращают его контакт с электролитом. Если примен ть в качестве дополнительного покрыти  вентильные материалы, такие, как Mo, W, Re, Os, S , Ga, As и т.д., то процесс имеет высокий потенциал, сравнимый с потенциалом выращивани  барьерного сло , и при вскрытии части пор барьерного сло  оксида алюмини , произойдет незначительное перераспределение тока по порам анодного оксида алюмини , что способствует выравниванию фронта анодировани  и равномерному вскрытию пор. При толщине дополнительного покрыти  меньше толщины барьерного сло  наблюдаетс  неполное вскрытие пор в барьерном слое оксида алюмини  при полном сквозном анодировании дополнительного покрыти .
В принципе возможно применение в качестве дополнительного покрыти  им Nb,Ti, Та. Zr и т.д. Но при вскрытии пор образуетс  барьерна  пленка оксидов NlbaOs, TfOa,
Ta20s, Zr02 и т.д. которые имеют высокую адгезию к оксиду алюмини  и раствор ютс  в травител х, в которых травитс  анодный оксид алюмини . Это же касаетс  и дополнительного покрыти  из алюмини . Таким образом об зательным отличием анодных оксидов вентильных металлов  вл етс  их селективное отделение от АЬОз. Например, при анодировании Мо, V, Os, Re, W образуютс  их высшие оксиды МоОз, VaOs и т.д., которые хорошо раствор ютс  в воде, в растворах кислот и слабых щелочей. Необходима  величина напр жени  при локальном удалении барьерного сло  не менее конечного напр жени  формировани  анодного оксида обусловлена тем, что при меньших напр жени х барьерный слой на дне пор преп тствует процессу анодировани  дополнительного покрыти  и весь процесс
сводитс  к обычному химическому травлению АОА в электролите анодировани .
Пластину из алюминиевой ленты, котора  служит в качестве анода, анодируют в слабораствор ющем анодный оксид электролите . При этом растет оксидный слой, состо щий из барьерного сло , толщина которого определ етс  конечной величиной формирующего напр жени , и пористого сло  с порами. Далее непроанодированный
алюминий ,дал ют. На поверхность АОА с внешней стороны барьерного сло  нанос т дополнительное покрытие толщиной не менее толщины барьерного сло  и защищают это покрытие от воздействи  электролита с
помощью электроизол ционного материала , В качестве дополнительного прЪвод ще- го покрыти  используют вентильные металлы, анодные оксиды которых допускают селективное отделение от анодного ок-.
сида алюмини . Затем анодирование продолжают в том же электролите, в котором провод т анодирование алюминиевой пластины, при напр жении не менее конечного формирующего напр жени  Уф . Теперь анодный процесс происходит уже не на алюминии, а в дополнительном провод щем покрытии.
Доступ электролита к внутренней по- верхности барьерного сло  осуществл етс  через поры. В местах соприкосновени  с электролитом происходит растворение барьерного сло  и продвижение фронта анодировани  в дополнительном покрытии, причем отдельные оксидные  чейки имеют вид полусферы выпуклостью в сторону провод щего покрыти . Таким образом через некоторое врем  в результате воздействи  электролита постепенно и непрерывно по- ры в пористом слое продвигаютс  в барьерный слой, а вентильный металл превращаетс  в его анодный оксид.
Далее удал ют электроизол ционное покрытие и анодный оксид дополнительного покрыти  и получают мембрану.
П р и м е р 1, Алюминий марки А99 толщиной 60 мкм анодируют в щавелевокислом электролите при мА/см в течение 60 мин. При этом образуетс  пориста  пленка толщиной около 60 мкм. Конечное напр жение 80 В. Ее отдел ют от непро- анодированного алюмини  в 20%-ной НС с добавкой CuCl2. На барьерную сторону АОА ионно-плазменным распылением нанос т пленку молибдена толщиной 0,4 мкм, кото- -рую защищают от контакта с раствором и предотвращени  анодировани  молибдена со стороны электролита электроизол ционным лаком ХСЛ. Далее помещают мембрану в раствор щавелевой кислоты и продолжают анодирование при В в течение 3-5 мин, при этом практически весь молибден оказываетс  в виде анодного оксида. Процесс прекращают, удал ют защитный лак ХСЛ и смывают оксид молибдена в растворе Н202. Проницаемость такой мембраны 30 мл/см мин при разности давлений 1 атм по азоту.
П р и м е р 2, Алюминий марки А99 толщиной 60 мкм анодируют в щавелево- кислом электролите при мА/см в течение 3 ч. Непроанодированный алюминий удал ют в растворе HCI с добавкой CuCte. На барьерную сторону АОА термическим напылением в вакууме нанос т V толщиной 40 нм и защищают его поверхность фоторезистом Фп-383. Провод т вскрытие пор в тение 1-2 мин при напр жении 1)ф до прекращени  протекани  тока и удал ют фоторезист в растворе H2U2 с моноэтаноламином.
Проницаемость такой мембраны 40 мл/см2 мин.
ПримерЗ. Алюминий марки А99 толщиной 60 мкм анодируют в 20%-ном рас- творе серной кислоты при плотности тока 20 мА/см2 в течение 1 ч. При этом образуетс  пленка толщиной около 40 мкм. Конечное Напр жение около 15В. Непроанодированный алюминий удал ют в растворе сол ной кислоты с добавкой хлорида меди. На барьерную сторону АОА термическим напылени- ем нанос т кремний толщиной 0,2 мкм и защищают его поверхность фоторезистом ФП-383. Мембрану помещают в раствор серной кислоты и продолжают анодирование при посто нном напр жении 18 В в течение 10 мин. Процесс прекращают, мембрану отжигают на воздухе при температуре около 600°С. При этом кремний с анодным оксидом кремни  отстает от АОА.
Проницаемость такой мембраны 30 мл/см мин.
П р и м е р 4. Алюминий марки А99 анодируют в 5%-ном растворе хромовой кислоты при 5 мА/см2 в течение 1,5 ч. Конечное напр жение около 40 В. Удал ют непро- анодированный алюминий и на барьерную сторону АОА нанос т молибден толщиной 0,2 мкм и защищают его поверхность фоторезистом ФП-383. Провод т процесс вскрытие пор при посто нной плотности тока 5 мА/см в течение 2-4 мин и удал ют фоторезист и остатки молибдена в растворе Н202 с моноэтаноламином.
Проницаемость такой мембраны 45 мл/см мин.
П р и м е р 5. Алюминий марки А99 анодируют в растворе щавелевой кислоты при 30 мА/см в течение 1,5 ч. Непроанодированный алюминий удал ют и термическим напылением нанос т слой титана толщиной 0,3 мкм. Провод т вскрытие пор при посто нном напр жении 85 В до прекращени  протекани  тока. Мембрану отжигают на воздухе при 600°С, при этом оксид титана отдел етс  от АОА,
Проницаемость такой мембраны составл ет около120 мл/ см2 мин.
Известен способ изготовлени  мембран , заключающийс  в формировании на поверхности алюмини  пористого анодного оксида, например, в растворе H2S04, непрерывном либо скачкообразном уменьшении напр жени  анодировани  на величину предпочтительно менее 3 В так, чтобы обеспечить частичное или полное растворение барьерного сло , и отделении непроаноди- рованного алюмини , например, в растворе НзР04. В результате получаетс  мембрана, пластина из анодного оксида алюмини , содержаща  систему пр мых параллельных пор диаметром 120-50 нм, переход щих в систему сильно разветвленных пор с диаметром 50-30 нм.
Однако полное удаление барьерного сло  в области пор невозможно, так как при уменьшении напр жени  анодировани  скорости процессов роста пористой пленки и растравливани  барьерного сло  уменьшаютс , при напр жении, близком к нулю, скорость роста тоже стремитс  к нулю, а скорость растравливани  приближаетс  к скорости химического травлени  АОА в электролите анодировани  и врем  утонь- шени  барьерного сло  очень велико. При таком времени, составл ющем около 50 мин, одновременно с травлением барьерного сло  происходит травление пор с увеличением их диаметра, изменени  их однородности . Кроме того, полное удаление барьерного сло  по атому способу невозможно, так как на алюминии всегда присутствует пленка естественного оксида толщиной 1,7-80 нм, котора  по свойствам идентична барьерному слою, что потребует ее химического травлени  при изготовлении мембраны.
В таблице приведены данные по проницаемости мембран по предлагаемому и из- вестному способам.
По сравнению с прототипом увеличение производительности мембран достигает 100-15 раз. При получении мембран по прототипу действительно образуетс  разветв- ленна  система пор с выходными диаметрами. Однако пр мые электронно- микроскопические исследовани  таких мембран показывают, что новообразовавшиес  поры не соединены с транспортными порами и между собой. Таким образом, они не участвуют в процессах массопереноса при работе мембраны, а транспортные поры такой мембраны сужаютс  к выходу, что вместе с неравномерным вскрытием барь-
ерного сло  приводит к существенному уменьшению ее проницаемости.

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Способ изготовлени  мембран из анодного оксида алюмини , включающий электрохимическое анодирование алюмини  в растворах кислот, отделение образовавшегос  анодного оксида алюмини  от непроа- нодированного алюмини  и формировани  сквозных пор в барьерном слое, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  проницаемости мембраны за счет равномерного вскрыти  пор в барьерном слое, перед формированием сквозных пор на барьерный слой износ т покрытие из вентильного материала толщиной а -Уф , где 11ф - конечное напр жение анодировани , а- посто нна  анодировани . Формирование сквозных пор ведут анодированием в растворах тех же кислот при напр жении не менее конечного напр жени  анодировани  алюмини  с последующим удалением покрыти  из вентильного материала.
SU894676018A 1989-03-10 1989-03-10 Способ изготовлени мембран SU1695970A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894676018A SU1695970A1 (ru) 1989-03-10 1989-03-10 Способ изготовлени мембран

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894676018A SU1695970A1 (ru) 1989-03-10 1989-03-10 Способ изготовлени мембран

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1695970A1 true SU1695970A1 (ru) 1991-12-07

Family

ID=21440457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894676018A SU1695970A1 (ru) 1989-03-10 1989-03-10 Способ изготовлени мембран

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1695970A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7393391B2 (en) Fabrication of an anisotropic super hydrophobic/hydrophilic nanoporous membranes
US4687551A (en) Porous films and method of forming them
US7631769B2 (en) Fluid control device and method of manufacturing the same
US8939293B2 (en) Composite membrane with integral rim
US7267859B1 (en) Thick porous anodic alumina films and nanowire arrays grown on a solid substrate
Rigby et al. An anodizing process for the production of inorganic microfiltration membranes
US9359195B2 (en) Method of forming a nano-structure
US7713397B2 (en) Method for the production of a metal membrane filter
CN103194778A (zh) 一种超薄多孔氧化铝模板的转移方法
JPH02258620A (ja) 両表面微細孔形アルミナ多孔質膜及びその製造方法
SU1695970A1 (ru) Способ изготовлени мембран
Zhao et al. Preparation of open-through anodized aluminium oxide films with a clean method
US4722771A (en) Process for manufacturing a partially permeable membrane
US4717455A (en) Process for manufacturing a microfilter
US20220093341A1 (en) Fabrication of capacitors and recovery of capacitor fabrication materials
JP2005272886A (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法
JP4788880B2 (ja) バルブ金属酸化物ナノ構造体の製造方法
JPS6171804A (ja) 多孔性酸化アルミニウム膜
JP2009299188A (ja) 陽極酸化ポーラスアルミナおよびその製造方法
WO1996001684A1 (en) Permeable anodic alumina film
Batalova et al. Dependence of the Pore Wall Thickness on the Anodizing Process Parameters for Nanoporous Alumina Membranes
JP3392613B2 (ja) イオン水生成装置、イオン水生成方法及び半導体装置の製造方法
US10273592B2 (en) Method of forming local nano/micro size structures of anodized metal
Vorob’eva et al. Homogeneous deposition of nickel in pores of the ordered thin aluminum oxide
Sumtong et al. Nanoporous Anodic Aluminum Oxide (AAO) Thin Film Fabrication with Low-Grade Aluminium