SU1690189A1 - Высоковольтный логический элемент - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано, в частности , в устройствах отображени  информации , построенных на газоразр дных панел х посто нного тока, в качестве катодных ключей. Цель изобретени  - повышение надежности работы, снижение мощности рассеивани  и обеспечение контролепригодности высоковольтного логического элемента Высоковольтный логический элемент содержит шесть п-р-п-транзисто- ров, три p-n-n-транзистора, дев ть резисторов , три диода и стабилитрон. Введение трех n-p-n-транзисторов, резистора, двух диодов и стабилитрона позвол ет повысить надежность работы путем обеспечени  требуемой длительности импульса, запирающего выходной транзистор, снизить мощность рассеивани  за счет исключени  внутреннего резистора и обеспечить контролепригодность за счет возможности осуществлени  контрол  состо ни  выходного транзистора. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано, в частности , в устройствах отображени  информации , построенных на газоразр дных панел х посто нного тока, в качестве катодных ключей.

Целью изобретени   вл етс  повышение надежности работы, снижение мощности рассеивани  при сохранении удовлетворительного фронта выключени  выходного транзистора и обеспечение контролепригодности высоковольтного логического элемента.

На чертеже представлена электрическа  схема высоковольтного логического элемента.

Высоковольтный логический элемент содержит четвертый п-р-п-транзистор 1, один эмиттер которого подключен к входу 2, база через дев тый резистор 3 - к положительной шине питани , коллектор - к базе ( п того п-р-п-транзистора 4, коллектор и эмиттер которого подключен к коллектору и базе первого п-р-п-транзистора 5, эмиттер транзистора 5 подключен к общей шине, а коллектор - к базе первого р-п-р-транзи- стора 6, база и эмиттер которого подключены через первый и второй резисторы 7 и 8 к положительной шине питани , первый коллектор подключен к базе второго п-р-п- транзистора 9 и через третий резистор 10 - к его эмиттеру и отрицательной шине питани , коллектор транзистора 9 подключен к базе третьего п-р-п-транзистора 11 и через четвертый резистор 12 - к отрицательной шине питани , база транзистора 11 подключена к коллектору второго р-п-р-транзисто- ра 13, база которого подключена к входу 2, эмиттер подключен к эмиттеру третьего р- п-р-транзистора 14 и через п тый резистор

15 - к положительной шине питани , база транзистора 14 подключена к второму выводу шестого резистора 16 и через первый и третий диоды 17 и 18 - к общей шине, первый вывод резистора 16 подключен к положительной шине питани , коллектор транзистора 14 подключен через стабилитрон 19 к выходу 20 и второму коллектору транзистора 6, коллектор транзистора 14 подключен также через второй диод 21 к базе шестого п-р-п-транзистора 22 и через седьмой резистор 23 - к его эмиттеру и общей шине, а коллектор - к второму эмиттеру транзистора 1, к контрольному выходу 24 и через восьмой резистор 25 - к положительной шине питани .

Высоковольтный логический элемент работает следующим образом.

Пусть на вход 2 подаетс  напр жение UIL 0,4 В низкого уровн , тогда потенциал на базе транзистора 1 не превысит значени  U61 UIL + иэбт 1,1 В (при Т 20°С) и транзисторы 4 и 5 будут закрыты, соответственно , транзисторы 6 и 9 также будут закрыты . Транзистор 13 при этом будет открыт, так как на базе транзистора 14 формируетс  напр жение U614 2Uo 1,4 В. Последний при этом будет закрыт, а коллекторный ток транзистора 13 приводит к открытию транзистора 11 на выходе, при этом формируетс  уровень напр жени , близкий к напр жению на отрицательной шине питани . Диод 21 при этом находитс  в закрытом состо ний, транзистор 22 также закрыт. На контрольном выходе формируетс  высокий уровень напр жени , характеризующий открытое состо ние транзистора 11.

Предположим, что на вход 2 подаетс  высокий уровень напр жени  Uiu 2,0 В, тогда транзистор 13 закрываетс . Учитыва , что на контрольном выходе 24 также высокий уровень напр жени , на базе транзистора 1 формируетс  напр жение Uei - 2,1 В, достаточное дл  открывани  транзисторов 4 и 5. Соответственно, открываетс  транзистор 6, по двум коллекторам которого текут значительные токи, первый из которых открывает транзистор 9, который активно запирает выходной транзистор 11, второй коллекторный ток формирует малый фронт выключени  транзистора 11.

После того, как транзистор 11 закрываетс  и напр жение на его коллекторе повыситс  до значени , близкого к уровню общей шины, происходит открывание транзистора 22, формируетс  напр жение низкого уровн  на коллекторе транзистора 22, а соответственно, и на контрольном выходе 24. При этом транзисторы 4-6 закрываютс ,

коллекторный ток транзистора 6 прекращаетс  (фронт к этому времени уже сформировалс ), транзистор 9 также закрываетс . Низкий уровень напр жени  на контрольном выходе 24 поддерживаетс  током коллектора транзистора 14, который через диод 21 задает ток базы транзистора 22.

Таким образом, формирование длительности импульсного запирающего тока не

0 может быть недостаточным дл  закрывани  транзистора 11,так как его длительность прерываетс  после того, как транзистор f 1 закрываетс , о чем дает информацию схема контрол . Кроме того, не происходит излиш5 него потреблени  тока внутренним резистором , подключенным между выходом 20 и общей шиной, так как фронт формируетс  током транзистора 6, существующим только в момент формировани  фронта.

0 Контрольный выход позвол ет осуществл ть контроль состо ни  выходного транзистора , что бывает крайне необходимо при построении системы.

Использование предлагаемого высоко5 вольтного логического элемента в производстве устройств отображени  информации позволит осуществл ть автоматизированный контроль правильности работы устройств, так как имеетс  возмож0 ность осуществл ть контроль состо ни  транзистора по контрольному выходу схемы , что значительно увеличит возможности введени  самоконтрол  и самотестировани  системы в целом.

5

Claims (1)

1. Формула изобретени  Высоковольтный логический элемент, содержащий семь резисторов, три р-п-р- транзистора, первый п-р-п-транзистор,

   0 эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор через первый резистор соединен с положительной шиной питани  и подключен к базе первого р-п-р-транзистора, эмиттер которого через второй резистор со5 единен с положительной шиной питани , а коллектор подключен к базе второго п-р-п- транзистора, эмиттер которого соединен с отрицательной шиной питани  и через третий резистор с его базой, а коллектор соеди0 нен с базой третьего п-р-п-транзистора, коллектор которого соединен с выходом, а эмиттер - с отрицательной шиной питани  и через четвертый резистор соединен с его базой, котора  подключена к коллектору

   5 второго p-n-p-транзистора, эмиттер которого через п тый резистор соединен с положительной шиной питани , первые выводы шестого и восьмого резисторов соединены с положительной шиной питани , второй вывод шестого резистора соединен с анодом первого диода, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности работы, снижение мощности рассеивани  и повышени  контролепригодности, в него введен четвертый n-p-n-транзистор, база которого через дев тый резистор соединена с положительной шиной питани , первый эмиттер соединен с входом и базой второго p-n-p-транзистора, а коллектор соединен с базой п того n-p-n-транзистора, коллектор и эмиттер которого соединены соответственно с коллектором и базой первого п-р- n-транзистора, второй эмиттер четвертого n-p-n-транзистора присоединены к контрольному выходу: второму выводу восьмого

   0

   5

   резистора и коллектору шестого п-р-п- транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной и через седьмой резистор - с его базой и катодом второго диода, анод которого соединен с коллектором третьего p-n-p-транзистора, эмиттер которого соединен с эмиттером второго р-п-р-транзи- стора, а база подключена к аноду первого диода, катод которого соединен с анодом третьего диода, катод которого соединен с общей шиной, второй коллектор первого p-n-p-транзистора соединен с выходом и анодом стабилитрона, катод которого подключен к коллектору третьего р-п-р- транзистора.