SU1688319A1 - СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре - Google Patents

Description

Изобретение опюсигс  к технике СВЧ и может быть использовано дл  создани  термостабильных линий задержки, фильтров и резонаторов на магнитостатических волнах.

Целью изобретени   вл етс  повышение термостабильности за счет создани  в пленке иттриевого феррограната напр жени  раст жени  при температуре выше номинальной и напр жени  сжати  при температуре ниже номинапьной.

На чертеже представлен СВЧ-элемснт на эпитаксиалыюй ферритовой структуре.

СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре содержит подложку 1, на одчой стороме которой размещена пленка 2 итгриевого феррограната, а на другой ее стороне закреплена термобиметаллическа 

пластина 3. температурный коэффициент расширени  которой со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширени  другой с троны

СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом .

При изменении температуры измен етс  намагниченность насыщени  пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напр жени  на границе подложка 1 - пленка 2. Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2: размагничивающего пол , эффективного пол  кристаллографической магнитной анизотропии и пол  одноосной анизотропии, вызванного упругими напр жени ми, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей

О 00

оо

ы

ю

частоты магнитостатической волны, распростран ющейс  в пленке 2. Однако, при изменении температуры термобиметаллическа  пластина 3 изгибаетс  и вызывает изгиб закрепленной на ней эпитаксиальной ферритовой структуры - подложки 1 и пленки 2. В результате за счет выбора температурного коэффициента расширени  термобиметаллической пластины 3 со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширени  другой ее стороны в пленке 2 при повышении температуры возникает механическое напр жение раст жени , а при снижении температуры ниже номинальной - напр жение сжати , создающие в пленке 2 дополнительное поле одноосной анизотропии, компенсирующее температурное смещение рабочей частоты.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре, содержащий подложку,

   на одной стороне которой размещена пленка иттриевого феррограната, отличающийс  тем, что, с целью повышени  термостабильности за счет создани  в пленке иттриевого феррограната напр жени 

   раст жени  при температуре выше номинальной и напр жени  сжати  при температуре ниже номинальной, в него введена термобиметаллическа  пластина, котора  закреплена на другой стороне подложки и

   температурный коэффициент расширени  которой со стороны подложки больше температурного коэффициента расширени  другой стороны.

   }