SU1684909A1

SU1684909A1 - Двухтактный усилитель мощности

Info

Publication number: SU1684909A1
Application number: SU894634968A
Authority: SU
Inventors: Петр Петрович Ларин
Original assignee: Предприятие П/Я В-8332
Priority date: 1989-01-09
Filing date: 1989-01-09
Publication date: 1991-10-15

Abstract

Изобретение относитс к радиотехнике и предназначено дл использовани во вторичных источниках питани , преобразовател х , усилител х. Цель изобретени - повышение выходной мощности. Двухтактный усилитель мощности содержит первый транзистор 1 n-p-n-структуры, второй транзистор 2 n-p-n-структуры, первый транзистор 3 p-n-p-структуры, второй транзистор 4 p-n-p-структуры, четыре источника питани 5, 6, 7, 8, два разв зывающих диода 9, 10, п тый низковольтный источник питани 11. Введение диодов 13, 15, резисторов 12, 14с соответствующими св з ми и источника 11 позвол ет подавать управление только на две базы транзисторов 1, 3, уменьшает необходимый входной сигнал, происходит более полное насыщение всех транзисторов, величина напр жени источников питани определ етс только максимально допустимым напр жением коллектор-эмиттрр транзисторов, что позво лет увеличить напр жение каждого источника, при этом выходна мощность возрастает. По вл етс возможность набирать каждое плечо из неограниченного количества транзисторов, источников питани и разв зывлющих дио дов, что увеличивает КПД и выходную мощность . 1 ил. СЛ С

Description

Изобретение относитс к радиотехнике и предназначено дл использовани во вторичных источниках питани , преобразовател х , усилител х.

Цель изобретени - повышение выходной мощности.

На чертеже представлена электрическа принципиальна схема двухтактного усилител мощности.

Двухтактный усилитель мощности содержит первый транзистор 1 п-р-п-структу- ры, второй транзистор 2 п-р-п-структуры, первый транзистор 3 p-n-p-структуры, второй транзистор 4 p-n-p-структуры, первый- четвертый источники 5-8 питани , первый и второй разв зывающие диоды 9 и 10, п тый низковольтный источник 11 питани , первый резистор 12, первый дополнительный диод 13, второй резистор 14, второй дополнительный диод 15.

Двухтактный усилитель мощности работает следующим образом.

Рассмотрим работу первой плеча схемы .

При подаче сигнала на базу первого транзистора 1 он начинает открырэтьгч в нагрузку по цепи плюс первого источника питани 5 - первый разв зывающий диод 9 - первый транзистор 1 протекает гок Как только напр жение на коллекторе первого транзистора 1 достигает величины, при которой начинает открыватьс второй транзистор 2, т.е. по вл етс ток базы второю транзистора 2 по цепи п тый низкопольтО 00 N О О О

ный источник 11 - первый резистор 12 - первый дополнительный диод 13 - переход база-эмиттер второго транзистора 2 - первый транзистор 1, первый диод 9 закрываетс , ток в нагрузку поступает по цепи второй источник 5 - транзисторы 1 и 2. При дальнейшем возрастании тока базы первого транзистора 1 второй транзистор 2 входит в насыщение, затем входит в насыщение первый транзистор 1.

Второе плечо усилител работает аналогично .

Таким образом, введение последовательно включенных дополнительных диодов 13 и 15, резисторов 12 и 14 в базы транзисторов 2 и 4 и п того низковольтного источника 11 позвол ет подавать управление только на две базы n-p-п- и р-п-р-транзисто- ров 1 и 3. уменьшает необходимый входной сигнал, при этом происходит более полное насыщение всех транзисторов, величина напр жени источников питани определ етс только максимально допустимым напр жением коллектор-эмиттер транзисторов , что позвол ет увеличить напр жение каждого источника, при этом выходна мощность возрастает.

Кроме того, по вл етс возможность набирать каждое плечо из неограниченного количества транзисторов, источников питани и разв зывающих диодов, что увеличивает КПД и выходную мощность.

Claims

Формула изобретени Двухтактный усилитель мощности, содержащий в первом плече первый транзистор , включенный по схеме с общим коллектором n-p-n-структуры, коллектор которого соединен с катодом первого разв зывающего диода, анод которого вл етс входом дл подключени положительной шины первого источника питани и отрицательной шины второго источника питани , и с эмиттером второго транзистора, включенного по схеме с общим коллектором, п-р-п- структуры, коллектор которого вл етс входом дл подключени положительной шины второго источник л -тани , а во втором плече - первый тра . истор, включенный по схеме с общим коллектором, p-n-p-структуры, коллектор которого соединен с анодом второго разв зывающего диода , катод которого вл етс входом дл

подключени отрицательной шины третьего источника питани и положительной шины четвертого источника питани , и с эмиттером второго транзистора, включенного по схеме общим коллектором, р-п-р-структуры,

коллектор которого вл етс входом дл подключени отрицательной шины четвертого источника питани , а также п тый низковольтный источник питани , выполненный со средней точкой, при этом средн точка подключена к точке соединени эмиттеров первых транзисторов и к одному выводу нагрузки, другой вывод которой вл етс входом дл подключени отрицательной шины первого источника питани ,

положительной шины второго источника питани и общей шины, отличающийс тем, что, с целью повышени выходной мощности , введены перва цепь из последовательно соединенных первого резистора и

первого дополнительного диода и втора цепь из последовательно соединенных второго резистора и второго дополнительного диода, при этом катод первого дополнительного диода соединен с базой второго транзистора первого плеча, а соответствующий вывод первого резистора вл етс входом дл подключени положительной шины п того низковольтного источинка питани , анод второго дополнительного диода соединен с базой второго транзистора второго плеча, а соответствующий вывод второго резистора вл етс входом дл подключени отрицательной шины п того низковольтного источника питани .