Изобретение относитс к электронной технике и может использоватьс дл решени различных задач в радиотехнике и св зи. Известен усилитель, содержащий последовательно соединенные входной выполненный на двух тран каскад, зисторах противоположной структуры , коллекторы которых объединены вместе через резистор, база первого из транзисторов соединена с источником сигнала, а эмиттеры через резисторы соединены с соответствующими шинами источника питани , и выходной каскад, выполненный на двух последовательно соединенных по посто нному току транзисторах противоположной структуры, к точке соединени коллекторов которых подключена нагрузка, транзисторы выходного каскада включены по схеме с общим эмиттером, при этом эмиттер каждого транзистора соединен через резистор с соответствующей шиной источника питани , база первого транзистора Входного каскада через дополнительный резистор, а база второго непосре ственно подключены к эмиттеру транзистора соответствующего плеча выход ного каскада Cl3. Данный усилитель позвол ет получить более высокое выходное сопротив лени , однако в этом усилителе затруднено достижение достаточно высокой стабильности режима по посто нству току, так как дл этого требуетс включение в, цепи эмиттеров транзисторов выходного каскада сравнительно больших сопротивлений, сни жающих усиление по переменному току Наиболее близким к изобретению по технической сущности вл етс усилитель, содержащий входной, jnpoмежуточный и выходной каскады, каждый из которых выполнен на двух сое диненных последовательно по посто н ному току транзисторах, первые их которых имеют р-п-р -структуру, а вто рые -п-р-п -структуру, при этом база первоготранзистора входного кас када, котора вл етс входом усили тел , через первый резистор, а эмит тер первого транзистора промежуточного каскада через второй резистор соединены с эмиттером первого транзистора выходного каскада, база вто рого транзистора входного каскада непосредственно, а эмиттер второго транзистора промежуточного каскада через третий резистор соединены с эмиттером второго транзистора выходного каскада коллекторы первого и второго транзисторов выходного ка када объединены и вл ютс выходом усилител , а базы подключены к.эмит терам соответственно первого и второго транзисторов промежуточного на када, коллекторы которых объединенычерез конденсатор подключены к общей шине и непосредственно к точке соединени первого и второго резисторов смещени , включенных между коллекторами первого и второго транзисторов входного каскада, к которым подключены базы соответственно первого и второго транзисторов промежуточного каскада , а эмиттеры первых и вторых транзисторов входного и выходного каскадов через соответствующие дополнительные резисторы подключены к соответствующим шинам источника питани 27. Однако в известном усилителе затруднено достижение высокой стабильности режимов транзисторов при изменении температуры в относительно больших пределах, например, при работе в полевых услови х. Кроме того, из-за большого разброса параметров транзисторов схема требует начальной Установки их режимов работы путем подбора одного из резисторов схемы. Цель изобретени - повышение стабильности режима по посто нному току. Цель достигаетс тем, что в усилитель , содержащий входной, промежуточный и выходной каскады, каждый из которых выполнен на двух соединенных последовательно по посто нному току транзисторах, первые из которых имеют р-п-р -структуру, а вторые п-р-п-структуру , при этом база первого транзистора входного каскада, коTopag: вл ютс входом усилител , че-рез , первый резистор; .а эмиттер первого транзистора промежуточного каскада через второй резистор соединены с-эмиттером первого транзистора выходного каскада, база второго транзистора выходного каскада непосредственно , а эмиттер второго транзистора промежуточного каскада через третий резистор соединены с эмиттером второго транзистора выходного каскада, колле:кторы первого и второго транзисторов выходного каскада объединены и вл ютс выходом усилител , а базы подключены к эмиттерам соответственно первого и второго транзисторов промежуточного каскада, коллекторы которых объединены и через конденсатор подключены к общей шине и непосредственно к точке соединени первого и второго резисторов смещени , включенных между коллекторами первого и второго транзисторов входного каскада, к которым подключены базы соответственно первого и второго транзисторов промежуточного каскада , а эмиттеры первых и вторых транзисторов входного и выходного каскадов через соответствующие дополнительные резисторы подключены к соответствующим шинам источника питани , введены фильтр нижних частот, первый и второй дополнительные транзисторы и первый и второй токоограничивающие резисторы, причем эмиттеры первого и второго дополнительных транзисторов через соответственно первый и второй токоограничивающие резисторы соединены с эмиттерами соответственно первого и второго транзисторов входного каскада, коллекторы - с эмиттерами соответственно второго и первого транзисторов выход ного каскада, а базы объединены и подключены к выходу фильтра нижних частот, вход которого соединен с выходом усилител , при этом первый и второй дополнительные транзисторы имеют структуру одинаковую с первыми и вторыми транзисторами усилител соответственно. На чертеже представлена принципиальна электрическа схема усилител Усилитель содержит входной каскад 1, промежуточный каскад 2, выходной каскад 3, первой и второй транзисторы 4 и 5 входного каскада 1, первый и второй транзисторы б и 7 промежуточного каскада 2, первый и второй транзисторы 8 и 9 выходного каскада 3, первый и второй дополнительные транзисторы 10 и 11, первый, второй и третий резисторы 12 - 14, первый и второй резисторы 15 и 16 смещени дополнительные резисторы 17 - 20, первый и второй токоограничивающие резисторы 21 и 22, фильтр нижних час тот (ФНЧ) 23, конденсатор 24, шины 25 и 26 источника питани . Усилитель работает следующим образом . В случае локального увеличени температуры, например, второго Тран зистора 9 выходного каскада 3, умен шаетс напр жение между его базой и эмиттером. Это приводит к увеличе нию тока коллектора второго транзис тора 9 выходного каскада 3 и к резкому уменьшению напр жени между ег коллектором и эмиттером, а напр жение между коллектором и эмиттером первого транзистора 8 выходного кас када 3 соответственно возрастает. В результате ток базы второго дополни тельного транзистора 11 уменьшаетс а ток базы первого дополнительного транзистора 10 возрастает. Уменьшаютс токи эмиттера и коллектора вто рого дополнительного транзистора 11 Это приводит к уменьшению падени н пр жени на дополнительных резисторах 18 и 19. При уменьшении напр жени на дополнительном резисторе 18 ток колле тора второго транзистора 5 входного каскада 1 возрастет, так как напр жение между базой этого транзистора и шиной 25 источника питани не тол ко не уменьшаетс , а нескол1 ко увеличиваетс в результате возрастани падени напр жени на дополнительном резисторе 20 за счет увеличени тока коллектора, а следовательно, и эмиттера второго транзистора 9 выходного каскада 3. Увеличение тока коллектора второго транзистора 5 входного каскада 1 приводит к уменьшению напр жени между его коллектором и шиной 25 источника питани , а это, в свою очередь, приводит к уменьшению токов баз, эмиттеров и коллекторов второго транзистора 7 промежуточного каскада 2 и второго транзистора 9 выходного каскада 3. В результате напр жение между коллектором и эмиттером второго транзистора 9 выходного каскада 3 увеличиваетс -. При уменьшении напр жени на дополнительном резисторе 19 ток коллектора первого транзистора 4 входного каскада 1 уменьшаетс , а токи баз, эмиттеров и коллекторов первого транзистора б промежуточного каскада 2 и первого транзистора 8 выходного каскада 3 увеличиваетс , что приводит к уг еньшению напр жени между коллектором и эмиттером первого транзистора 8 выходного каскада 3. Увеличиваютс токи коллектора и эмиттера первого дополнительного транзистора 10. Это приводит к увеличению падений напр жений на дополнительных резисторах 17 и 20. При увеличении напр жени на дополнительном резисторе 17 ток коллектора первого транзистора 4 входного каскада 1 уменьшаетс , а токи баз, коллекторов и эмиттеров первого транзистора 6 промежуточного каскада 2 и первого транзистора 8 выходного каскада 3 возрастают, при этом напр жение между коллектором и эмиттером первого транзистора 8 выходного каскада 3 уменьшаетс . При увеличении напр жени на дополнительном резисторе 20 токи базы, коллектора и эмиттера второго транзистора 5 входного каскада 1 возрастают , а второго транзистора 7 промежуточного каскада 2 и второго транзистора 9 выходного каскада 3 - уменьшаютс . В результате напр жение между коллектором и эмиттером второго транзистора 9 выходного каскада 3 возрастает. Таким образом, с помощью первого и второго дополнительных транзисторов 10 и 11 по вл етс дополнительна возможность повысить стабильность рабочей точки усилител . При этом управление осуществл етс одиовремекно по цеп м эмиттеров и коллекторов транзисторов.
Токоограничивающие резисторы 21 и 22 определ ют токи эмиттеров дополнительных транзисторов 10 и 11.
Сопротивление резистора ФНЧ 23 может быть относительно большим, так
как токи без дополнительных транзис:торов 10 и 11 протекают через него в противоположных направлени х. В качестве дополнительных транзисторов 10 и 11 целесообразно использовать составные, либо полевые транзисторы.