SU1677749A1 - Силовой полупроводниковый блок - Google Patents

Силовой полупроводниковый блок Download PDF

Info

Publication number
SU1677749A1
SU1677749A1 SU894738027A SU4738027A SU1677749A1 SU 1677749 A1 SU1677749 A1 SU 1677749A1 SU 894738027 A SU894738027 A SU 894738027A SU 4738027 A SU4738027 A SU 4738027A SU 1677749 A1 SU1677749 A1 SU 1677749A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
elements
diameter
power semiconductor
spherical elements
heat
Prior art date
Application number
SU894738027A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Михайлович Каликанов
Андрей Тарасович Туник
Original Assignee
Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева filed Critical Мордовский государственный университет им.Н.П.Огарева
Priority to SU894738027A priority Critical patent/SU1677749A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1677749A1 publication Critical patent/SU1677749A1/ru

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к силовой полупроводниковой технике, в частности к силовым полупроводниковым модул м, предназначенным дл  эксплуатации в статических преобразовател х электрической энергии. Цель - повышение эффективности охлаждени  и надежности модул . Цель достигаетс  тем, что силовые полупроводниковые приборы 1, расположенные между теплоотвод щими элементами 2 и токове- дущими шинами 3, размещены в герметичной емкости 4, частично заполненной легкокип щей диэлектрической жидкостью 5, например фреоном 113. Сверху расположен конденсатор 6, соединенный с герметичной емкостью 4. Токоотвод щие элементы 2 имеют боковые полости 7, выполненные из металлической решетки 8-с круглыми отверсти ми 9. Внутри полостей расположены плавающие шарообразные элементы 10. Удельный вес материала шарообразных элементов равен удельному весу диэлектрической жидкости, а диаметр шарообразных элементов равен rims 1,1 dote, где с1шэ - диаметр шарообразных элементов; dote - диаметр отверстий решетки. 1 ил. С

Description

Изобретение относитс  к силовой полупроводниковой технике, в частности к силовым полупроводниковым модул м, предназначенным дл  эксплуатации в статических преобразовател х электрической энергии.
Цель изобретени  - повышение эффективности охлаждени  и надежности.
Изобретение по сн етс  чертежом.
Силовые полупроводниковые приборы 1, расположенные между теплоотвод щими элементами 2 и токоведущими шинами 3, размещены в герметичной емкости 4, заполненной легкокип щей диэлектрической жидкостью 5, например фреоном 113, Сверху расположен конденсатор 6, соединенный
о
с герметичной емкостью 4. Теплоотвод щие элементы 2, имеют боковые полости 7, выполненные из металлической решетки 8 с круглыми отверсти ми 9. Внутри полостей расположены плавающие шарообразные элементы 10.
Силовой полупроводниковый блок работает следующим образом.
При подводе электрического тока к силовым полупроводниковым приборам 1 с помощью токоведущих шин тепло, выдел емое приборами, передаетс  теплоотвод - щим элементам 2. Легкокип ща  диэлектрическа  жидкость 5 закипает на боковых поверхност х теплоотвод щих элементов 2, наступает пузырьковый режим киXI
4.
Ю
пени . Пары жидкости из герметичной емкости 4 поступают в конденсатор 6, конденсируютс , конденсат стекает обратно в герметичную емкость.
При дальнейшем увеличении тока через полупроводниковые приборы увеличиваютс  тепловые потери, пузырьковый режим кипени  переходит в пленочный, теплоотдача (охлаждение полупроводниковых приборов ) ухудшаетс . Дл  исключени  этого используютс  плавающие шарообразные элементы 10, наход щиес  внутри боковых полостей 7. Под воздействием кип щей жидкости и паровых пузырей, которые совершают пульсирующие движени  около боковых поверхностей теплоотвод щих элементов, шарообразные элементы приход т в движение, периодически соприкаса-i ютс  этими боковыми поверхност ми и разрушают при этом образующуюс  паровую пленку на них. Это позвол ет увеличить отводимые тепловые потоки от теплоотвод щих элементов и, соответственно, от силовых полупроводниковых приборов. За счет того, что диаметр отверстий 9 в металлической решетке 8 меньше, чем диаметр плавающих шарообразных элементов, шарообразные элементы не могут выходить за пределы боковых полостей 7.
Использование данного изобретени  дл  охлаждени  мощных отечественных силовых полупроводниковых приборов на токи 630-1600 А позвол ет существенно снизить тепловое сопротивление охлаждающей системы и, следовательно, полное тепловое сопротивление полупроводникова  структура - окружающа  среда, что, в
свою очередь приводит к увеличению нагрузочной способности приборов. Повышение нагрузочной способности приборов, т.е. вышение максимально допустимого тока в
открытом состо нии позвол ет снизить количество полупроводниковых приборов в силовых схемах статических преобразователей электрической энергии, соответственно снизить такое же количество
охладителей, что приведет к экономии доро- госто щих силовых полупроводниковых приборов, остродефицитных материалов охлаждающих систем: меди, олова, алюмини  и т.д.
Ф о р м у л а и з о б р е т е н и  
Силовой полупроводниковый блок, содержащий конденсатор, соединенный с герметичной емкостью, частично заполненной легкокип щей диэлектрической жидкостью,
в которую погружены мощные полупроводниковые приборы с теплоотвод щими элементами между ними и токоведущими шинами, отличающийс  тем, что, с целью повышени  эффективности охлаждени  и надежности блока, каждый теп- лоотвод щий элемент снабжен боковыми полост ми, ограниченными металлической решеткой, полости содержат плавающие шарообразные элементы, при этом удельный вес материала шарообразных элементов равен удельному весу диэлектрической жидкости, а диаметр шарообразных элементов равен
«i 1,1doTB,
где d шэ -диаметр шарообразных элементов;
йотв - диаметр отверстий решетки.
-5
-г -ю -i
1 j
9
8

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Силовой полупроводниковый блок, содержащий конденсатор, соединенный с герметичной емкостью, частично заполненной легкокипящей диэлектрической жидкостью, в которую погружены мощные полупроводниковые приборы с теплоотводящими элементами между ними и токоведущими шинами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения и надежности блока, каждый теплоотводящий элемент снабжен боковыми полостями, ограниченными металлической решеткой, полости содержат плавающие шарообразные элементы, при этом удельный вес материала шарообразных элементов равен удельному весу диэлектрической жидкости, а диаметр шарообразных элементов равен бшэ ~ 1,1 doTB, где d шэ - диаметр шарообразных элементов;
    ботв - диаметр отверстий решетки.
SU894738027A 1989-06-14 1989-06-14 Силовой полупроводниковый блок SU1677749A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894738027A SU1677749A1 (ru) 1989-06-14 1989-06-14 Силовой полупроводниковый блок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894738027A SU1677749A1 (ru) 1989-06-14 1989-06-14 Силовой полупроводниковый блок

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1677749A1 true SU1677749A1 (ru) 1991-09-15

Family

ID=21470047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894738027A SU1677749A1 (ru) 1989-06-14 1989-06-14 Силовой полупроводниковый блок

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1677749A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент JP № 51-47580, кл. Н01 L 23/34, 1973. Патент JP № 51-47576, кл. Н01 L 23/34. 1973. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3229572B1 (en) Immersion cooling systems and methods
US4145708A (en) Power module with isolated substrates cooled by integral heat-energy-removal means
US3270250A (en) Liquid vapor cooling of electrical components
KR20000069515A (ko) 열전 모듈 유니트
GB2295264A (en) High temperature battery having cells in a thermally insulating case and immersed in a cooling liquid flowing around the cells to provide evaporative cooling
EP2351058B1 (en) Annular capacitor with power conversion components
US3852803A (en) Heat sink cooled power semiconductor device assembly having liquid metal interface
PT2161745E (pt) Unidades de empilhamento contendo dispositivos semicondutores
CN111916872A (zh) 一种户用储能恒温电池系统
SU1677749A1 (ru) Силовой полупроводниковый блок
US4899211A (en) Semiconductor cooling mechanisms
CN202996592U (zh) 一种电容器
JPS63116452A (ja) 半導体素子冷却装置
RU1790014C (ru) Силовой полупроводниковый модуль
SU1534558A1 (ru) Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением
JPH0897338A (ja) 電力用半導体機器の冷却装置
CN219802169U (zh) 一种微型逆变器
RU2142660C1 (ru) Силовой полупроводниковый блок с испарительным охлаждением
RU2151448C1 (ru) Статический преобразователь с испарительно-конвективным охлаждением
SU1129673A1 (ru) Силовой полупроводниковый блок с принудительным охлаждением
CN219679091U (zh) 一种微型逆变器的散热结构
JP7314748B2 (ja) コンデンサ冷却構造
CN221599661U (zh) 一种温差发电杯
CN212116026U (zh) 一种逆变器散热结构
CN209729953U (zh) 一种高导热率氮化铝led集成电路基片