SU1661839A2 - Запоминающее устройство с коррекцией ошибок - Google Patents

Запоминающее устройство с коррекцией ошибок Download PDF

Info

Publication number
SU1661839A2
SU1661839A2 SU884448908A SU4448908A SU1661839A2 SU 1661839 A2 SU1661839 A2 SU 1661839A2 SU 884448908 A SU884448908 A SU 884448908A SU 4448908 A SU4448908 A SU 4448908A SU 1661839 A2 SU1661839 A2 SU 1661839A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
blocks
syndromes
memory
block
outputs
Prior art date
Application number
SU884448908A
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Николаевич Рогов
Николай Борисович Нифонтов
Лидия Алексеевна Карева
Владимир Леонидович Сафронов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2431
Московский Физико-Технический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2431, Московский Физико-Технический Институт filed Critical Предприятие П/Я В-2431
Priority to SU884448908A priority Critical patent/SU1661839A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1661839A2 publication Critical patent/SU1661839A2/ru

Links

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении высоконадежных запоминающих устройств, сохран ющих работоспособность в случае неисправности одного из блоков пам ти. Цель изобретени  - расширение области применени  устройства за счет выдачи дополнительной информации о наличии неисправности и ее характере. Устройство содержит регистр 1 адреса, рабочие блоки 2, 3 пам ти, резервные блоки 4, 5 пам ти, блоки 6 - 9 вычислени  синдромов, блоки 10 - 13 коррекции, блоки 14 - 17 преобразовани  синдромов, блок 18 диагностики. Устройство позвол ет при считывании информации с помощью блоков преобразовани  синдромов и блока диагностики вы вл ть неисправности блоков пам ти и выдавать информацию об этих неисправност х. 3 табл., 3 ил.

Description

Изобретение относитс  к области вычислительной техники, может быть использовано при построении высоконадежных запоминающих устройств, сохран ющих работоспособность в случае неисправности одного из блоков пам ти и  вл етс  усовершенствованием технического решени  по авт. св. № 1564696.
Цель изобретени  - расширение области применени  устройства за счет выдачи дополнительной информации о наличии неисправности и ее характере.
На фиг. 1 изображена функциональна  схема устройства дл  16-разр дного формата данных, в котором применены БИС ЗУ с байтовой организацией; на фиг. 2 - функциональна  схема одного из четырех однотипных блоков преобразовани  синдромов; на фиг. 3 - функциональна  схема блока диагностики .
На фиг. 1-3 инверси  данных обозначена кружочком.
Устройство содержит регистр 1 адреса, рабочие блоки 2 и 3 пам ти, резервные блоки 4 и 5 пам ти, блоки 6-9 вычислени  синдромов, блоки 10-13 коррекции,, блоки 14-17 преобразовани  синдромов, блок 18 диагностики, контрольные выходы 19 устройства , элементы 5ИЛИ 20 - 32, элементы ЮИЗЗ-36. элементы 4ИЛИ 37-45, элемент 5И 46, элемент 2И 47.
Разр дность каждого блока пам ти и число входов каждого блока вычислени  синдрома равно восьми. Число выходов каждого блока вычислени  синдрома равно числу входов каждого блока преобразовани  синдрома и равно п ти, а число выходов каждого блока преобразовани  синдрома и число выходов каждого блока коррекции равно четырем. Число входов блока диагностики равно шестнадцати, а число его выходов - шести. Число входов каждого блока коррекции равно дев ти.
Устройство работает следующим образом .
При неисправности одного из блоков пам ти или при их правильной работе на выходе каждого блока 6-9 .вычислени  синдромов формируетс  один из тринадцати синдромов S1-S5. Обознача  информационные разр ды, поступающие на каждый
блок вычислени  синдрома, как F1-F4, а контрольные разр ды - R1-R4, можно каждому из этих тринадцати синдромов сопоставить ошибочные разр ды. Разр ды F1 и
F2 соответствуют первому рабочему блоку 2 пам ти, разр ды F3 и F4 - второму рабочему блоку 3 пам ти, разр ды R1 и R2 - первому резервному блоку 4 пам ти, а разр ды R3 и R4 - второму резервному блоку 5 пам ти.
Соответствие между значени ми синдромов, ошибочными разр дами и номером неисправного блока пам ти приведено в табл. 1. Дл  каждого синдрома в соответствующем ему блоке 14 преобразовани  синдрома вырабатываетс  4-разр дное слово ai, bi, ci, di, в блоке 15 преобразовани  синдрома - 32, 02, С2. d2, в блоке 16 преобразовани  синдрома - аз. оз, сз, ds, в блоке 17 преобразовани  синдрома - 34, Ьм, С4, d4.
Так как структура всех блоков 14-17 преобразовани  синдромов одинакова, то дальнейшее изложение будет вестись на примере формировани  слова а, Ь, с, d, в блоке 14 преобразовани  синдрома.
Значени  битов а, Ь, с. d определ ютс  следующим образом:
S1 S2 S3 S4 S5 синдром S1-S5 не совпадает ни с одним из синдромов, приведенных в табл. bi
ci di 1;
синдром S1-S5 совпадает с одним из ненулевых синдромов, содержащихс  в табл. 1. Один из разр дов ai, bt, ci, di равен 1, а три остальных равны б, причем комбинации означают следующе:
aibicidi
1000 Неисправен первый рабочий
блок 2 пам ти; 0 1 О О Неисправен второй рабочий
блок 3 пам ти; 0010 Неисправен первый резервный
блок 4 пам ти; 0001 Неисправен второй резервный
блок 5 пам ти.
Исход  из сказанного, можно записать
услови , при которых каждый из разр дов ai, bi, ci, di равен О. Эти услови  приведены в табл. 2,
i 0 при одном из следромов:
S5
0
1
0
0
0
1
1
1
0
0
следующих значений
следующих значений
следующих значений
  разр дов ai, bi, ci, услови м табл. 2, притой схеме каждый из соответствует одному омов, приведенных в совпадает с одним из чений, то выход соотта 5ИЛИ принимает
0 значение О, а выходы всех остальных элементов - 1. Если синдром не совпадает ни с одним из синдромов из табл. 1, то выходы всех элементов 5ИЛИ 20-32 принимают значение 1. Выходы элементов 5ИЛИ 20-
5 32 соединены с соответствующими входами элементов 10И 33-36, на выходах которых вырабатываютс  значени  битов ач, bi, ci, d i соответственно. Прослежива  логику работы этих элементов 10И 33-36, можно пол0 учить зависимость между значени ми синдрома и значени ми битов ai, bi, ci, di (табл. 3).
Аналогично получаютс  значени  32. Ь2, С2, da в блоке 15 преобразовани  синдрома,
5 аз, Ьз. сз, ds в блоке 16 преобразовани  синдрома, 34, 04, С4, d4 в блоке 17 преобразовани  синдрома.
Сигналы а 1-34, , , di-d4поступают на элементы 4ИЛИ 37-40 блока 18
0 диагностики. На входы элемента 4 ИЛИ 37 поступают сигналы ai, 32, аз, а, на входы элемента 4 ИЛИ 38- сигналы bi, b2, Ьз, b4. на входы элемента 4 ИЛИ 39 - ci, 02, сз. С4 и на входы элемента 4 ИЛИ 40 - di, d2, ds, d4
5 Элементы 37-40 выполн ют логическую функцию ИЛИ, и на их выходах получаютс  логические сигналы а, Ь, с, d соответственно , которые поступают на входы элементов 4ИЛИ 41-45. Значени  сигналов а, Ь, с, d
0 св заны уже с обработкой всех четырех синдромов , образующихс  в блоках 6-9 вычислени  синдромов. При правильной работе всех блоков пам ти и при неисправности только одного из них может получитьс  одно
5 из следующих п ти значений слова а, Ь, с, d, отражающего соответствующую ситуацию: abed
0000 Нет неисправности, 1000 Неисправен блок 2,
0 0 1 О О Неисправен блок 3; 0010 Неисправен блок 4; 0001- Неисправен блок 5
Если значени  сигналов а, Ь, с, d не совпадают с этими значени ми, то на выхо5 де элемента 5 И 46 вырабатываетс  высокий потенциал, который свидетельствует о том, что неисправны два или более блоков пам ти . Этот высокий потенциал  вл етс  сигналом Неисправна ошибка и его выработка обеспечиваетс  логикой работы элементов 4ИЛИ 41-45 и элемента 5И 46
Если сигнал Неисправна ошибка не возникает и хот  бы один из синдромов отличен от нулевого, то на выходе элемента 2И 47 вырабатываетс  высокий потенциал, который свидетельствует о корректируемой ошибке и указывает на неисправность в одном из блоков пам ти,  вл  сь сигналом Исправна ошибка Логика выработки этого сигнала обеспечиваетс  работой элементов 4ИЛИ 45, 5И 46 и 2И 47.
Если все блоки пам ти исправны, то все четыре синдрома нулевые, значени  сигналов а, Ь, с, d также равны нулю, и выходы элементов 5И 46 и 2И 47 имеют низкий потенциал , т.е. сигналы Неисправна ошибка и Исправна ошибка не выдаютс .
Таким образом, данное изобретение по сравнению с известным позвол ет в высоконадежном резервированном запоминающем устройстве расширить функциональные возможности за счет выдачи дополнительной информации о наличии неисправности и ее характере.
5

Claims (1)

  1. Формула изобретени  Запоминающее устройство с коррекцией ошибок по авт. ев № 1564696, отличающеес  тем, что, с целью расширени  области применени  устройства за счет выдачи информации о наличии неисправности и ее характере, в устройство введены блоки преобразовани  синдромов и блок диагностики , входы каждого блока преобразовани  синдромов соединены с выходами соответствующего блока вычислени  синдромов, выходы каждого блока преобразовани  синдромов соединены с соответствующими входами блока диагностики, выходы которого  вл ютс  контрольными выходами устройства.
    Таблица1
    Таблица2
    ТаблицчЗ
    Продолжение таблицы 3
    S1-55
    У1
    81
    35
    C1
    36
    dl
    Фиг. 2
    ФигЗ
    На регистр состо ни 
SU884448908A 1988-06-27 1988-06-27 Запоминающее устройство с коррекцией ошибок SU1661839A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884448908A SU1661839A2 (ru) 1988-06-27 1988-06-27 Запоминающее устройство с коррекцией ошибок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884448908A SU1661839A2 (ru) 1988-06-27 1988-06-27 Запоминающее устройство с коррекцией ошибок

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1564696 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1661839A2 true SU1661839A2 (ru) 1991-07-07

Family

ID=21384866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884448908A SU1661839A2 (ru) 1988-06-27 1988-06-27 Запоминающее устройство с коррекцией ошибок

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1661839A2 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1564696, кл. G 11 С 29/00, 1987. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6018817A (en) Error correcting code retrofit method and apparatus for multiple memory configurations
EP0440312B1 (en) Fault tolerant data processing system
US4541094A (en) Self-checking computer circuitry
US5909541A (en) Error detection and correction for data stored across multiple byte-wide memory devices
US5619642A (en) Fault tolerant memory system which utilizes data from a shadow memory device upon the detection of erroneous data in a main memory device
JPH0223889B2 (ru)
US4873685A (en) Self-checking voting logic for fault tolerant computing applications
JPS6273500A (ja) 半導体記憶装置
US5966389A (en) Flexible ECC/parity bit architecture
JPS63115239A (ja) エラ−検査訂正回路
US5784383A (en) Apparatus for identifying SMP bus transfer errors
US4251863A (en) Apparatus for correction of memory errors
US3898443A (en) Memory fault correction system
US4805095A (en) Circuit and a method for the selection of original data from a register log containing original and modified data
JPS62117200A (ja) 自己テスト機能付き半導体メモリおよび自己テスト方法
EP0383899B1 (en) Failure detection for partial write operations for memories
JPS63503100A (ja) 広いメモリ構造のための専用パリティ検出システム
US6055660A (en) Method for identifying SMP bus transfer errors
SU1661839A2 (ru) Запоминающее устройство с коррекцией ошибок
US4035766A (en) Error-checking scheme
JPH05165734A (ja) 主記憶装置の固定障害診断装置
SU951406A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
JPH045213B2 (ru)
RU2028677C1 (ru) Запоминающее устройство с динамическим резервированием
SU970480A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем