SU1653548A3 - Прострельный анод рентгеновской трубки и способ его изготовлени - Google Patents

Прострельный анод рентгеновской трубки и способ его изготовлени Download PDF

Info

Publication number
SU1653548A3
SU1653548A3 SU904796974A SU4796974A SU1653548A3 SU 1653548 A3 SU1653548 A3 SU 1653548A3 SU 904796974 A SU904796974 A SU 904796974A SU 4796974 A SU4796974 A SU 4796974A SU 1653548 A3 SU1653548 A3 SU 1653548A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
ring
layer
anode
diamond
target
Prior art date
Application number
SU904796974A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Владимирович Спицын
Александр Евгеньевич Алексенко
Анатолий Алексеевич Ботев
Леонид Леонидович Буйлов
Валерий Павлович Ефанов
Борис Дмитриевич Рафаилов
Валерий Никитович Шевелев
Original Assignee
Spitsyn Boris V
Aleksenko Aleksandr E
Botev Anatolij A
Bujlov Leonid L
Efanov Valerij P
Rafailov Boris D
Shevelev Valerij N
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Spitsyn Boris V, Aleksenko Aleksandr E, Botev Anatolij A, Bujlov Leonid L, Efanov Valerij P, Rafailov Boris D, Shevelev Valerij N filed Critical Spitsyn Boris V
Priority to SU904796974A priority Critical patent/SU1653548A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1653548A3 publication Critical patent/SU1653548A3/ru

Links

Landscapes

  • X-Ray Techniques (AREA)

Description

1
(21)4796974/25
(22)22,01,90
(46) 30.05.91,, Бюл„ N° 20
(76) Б„Во Спицын, А.Е.Алексренко,
А.А„ Ботев, Л„Л„ Буйлов, В0П„ Ефанов,
Рафаилов и В„Н0 Шевелев (SU)
(53)621,386 „21,7(088,8)
(56)За вка ФРГ f 2653547, кл„ II 01 J 35/08, 1977.
Авторское свидетельство СССР № 869500, кл0 II 01 J 35/12, 1979„
(54)ПРОСТРЕЛЫ1ЫП АНОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ТРУБКИ II СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
(57)Изобретение относитс  к рентге- нотехнике и может использоватьс 
при изготовлении микрофокусных рентгеновских трубок с прострельным анодом „ Цель изобретени  - повышение механической прочности анода Анодный узел содерхит сформированный на несущем кольце 1 из вольфрама самонесу - щий теплоотвод щий слой 2 из поли- кристалличсского алмаза, на всю внутреннюю свободную поверхность которого нанесен активный слой 3 из материала рентгеновской мишени0 При нанесении сло  2 используют технологическую опору из молибдена, имеющего малую адгезию с алмазомо Нанесение сло  производ т из газовой фазы после чего технологическую опору убирают 2 с0 и 1 з.п-ф-лы,, 4 ил.
о
СП
ОО СЛ 4
00
см
Изобретение относитс  к рентгенотехнике и может использоватьс  при изготовлении микрофокусных рентгеновских трубок с прострельными анодами
Известен прострельный анод рентгеновской трубки, содержащий несущее .кольцо, герметично приклеенную к нему бериллиевую пластину с нанесенной на часть ее свободной поверхности со стороны несущего кольца мишенью„
Недостатком известного анода  вл етс  его невысока  нагрузочна  способность из-за отсутстви  эффективных средств отвода тепла и, как следствие возможность потери механической прочности с
Извесч ен анод рентгеновской трубки , содержащий алмазный теплоотвод, в котором утоплена мишень, причем ал- мазный тёгшоотвод крепитс  в несущей частио
Способ изготовлени  такого анода заключаетс  в соединении несущей части , алмазного теплоотвода и мишени„
Недостатком известного способа  вл етс  недостаточна  механическа  прочность изготовл емого анодного узл вследствие недостаточной лдгезии алмазного теплоотвода и несущей части Цель изобретени  - повышение леха- нической прочности прострельного анода .
Согласно изобретению, поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе изготовлени  прострельного анода рентгеновской трубки, заключающемс  п соединении несущей части, алмазного тепло- отвода и мишени, несущую часть выпол- н ют в виде несущего кольца из туго- плавкого материала с высокой адгезионной способностью по отношению к материалу теплоотвода, устанавливают несущее кольцо со скольз щей посадкой на выступ технологической опоры, изго- товленной из тугоплавкого материала с низкой адгезионной способностью по отношению к материалу теплоотвода, а на поверхност х несущего кольца и выступа технологической опоры, уставов- ленных в одной плоскости, методом нанесени  из газовой фазы наращивают слой поликристаллического алмаза,удал ют технологическую опору и по меньшей мере на одну из поверхностей сло  поликристаллического алмаза нанос т слой материала мишени,,
В качестве материала несущего кольца используют, например, вольфрам,
Q
с
0
5
,. о
5
5
имеющий высокую адгезию с алмазом и близкий к нему коэффициент теплового расширени , что обеспечивает надежное соединение несущей части и алмазного теплоотвода, изготовленного в виде счо  поликристаллического алмаза. В качестве материала технологической опоры используют, например, молибден, имеющий низкую адгезионную способность по отношению к алмазу, что обеспечивает свободное отделение технологической опоры от алмазного таплоот- вода„
После отделени  технологической опоры алмазный теплоотвод оказываетс  соединенным только с несущим кольцом и лоликристаллический слой алмаза  вл етс  по существу алмазной пластиной, прикрепленной к несущему кольцу и выполн ющем самонесущие функции по отношению к слоей центральной части Толщина лоликристаллического алмазного сло  должна быть достаточной дл  обеспечени  его самонесущих свойств, а также дл  обеспечени  его свойств в качестве теплоотвода.
Нанесение мншеки может проводитьс  только на внутреннюю поверхность алмазного сло , то есть со стороны несущего кольца„ При этом дл  повышени  механической прочности анодного узла нанесение мишени проводитс  на всю свободную внутреннюю поверхность алмазного сло  так, что обеспечиваетс  адгезионное сцепление несущего кольца с краем мишени„
Изготовленный таким способом прострельный анод рентгеновской трубки , содержащий несущее кольцо, прикрепленную к нему пластину из прозрачного дл  рентгеновского излучени  материала и мишень, нанесенную на свободную поверхность пластины со стороны несущего кольца, характеризуетс  тем, что пластина из прозрачного дл  рентгеновского излучени  материала выполнена в виде самонесущего сло  поликристаллического алмаза, адгезионно сцепленного с поверхностью несущего ко-г ьца из вольфрама, а мишень нанесена на всю свободную поверхность сло  полихристаллического алмаза со стороны пасущего кольца так, как обеспечиваетс  адгезионное сцепление несущего кольца с краем мишени
На фиг„ 1 показан прострельный анод рентгеновской трубки, разрез; на Лигс 2-4 по сн ютс  этапы технологического процесса изготовлени  такого анодного уэла„
Прострельнын анод рентгеновской трубки содержит несущее кольцо 1 из материала с высокой адгезионной способностью относительно сформированного на нем самонесущего теплоотвод - щего сло  2 из поликристаллического алмаза. На свободную внутреннюю поверхность тешюотвод щего сло  2 со стороны кольца 1 нанесен активный слой 3 (мишень)„ В качестве материала несущего кольца 1 использован вольфрам . Активный слон 3 нанесен так,
что он имеет краевое сцепление с материалом кольца 1„
Несущее кольцо 1 герметично крепитс  в анодном окончании 4 трубки путем пайки или сварки„
Анод изготавливают следующим образом „
Несущее кольцо 1 устанавливают со скольз щей посадкой на выступ технологической опоры 5, изготовленной из материала с низкой адгезионной способностью по отношению к алмазу, например молибдена, меди и др„, таким образом, чтобы их соответствующие поверхности находились в одной плоскости Затем производ т наращивание сло  2 из полукристаллического алмаза методом осаждени  из углеводорол-во- дородной газовой фазы при температуре 900-1100°С. Толщина сло  2 может составл ть 20-200 мкм„ Полученна  конструкци  показана на фиго 2„
После осаждени  сло  2 технологическую опору 5 удал ют, в результате чего образуетс  полуфабрикат, показанный на фиго 30
Затем на всю внутреннюю поверхност теплоотвод щего алмазного сло  2 нанос т активчый слой 3 из материала мипени, например вольфрама, так, что обеспечиваетс  адгезионное сцепление несущего кольца с краем мишени. При такой конструкции анодного узла активный слой 3 в значительной мере предотвращает взаимодействие электронного пучка с материалом теплоотвод щего сло  2 и, кроме того, слой 3 обеспечивает вклад в конструкционную прочност анодного узла как дополнительна  внутренн   опора дл  теплоотвод щего сло  2.
Описанный анодный узел прострель- ного типа может работать с фокусным п тном диаметром 0,5-50 мкм. При этом
5
0
5
0
0 5
5
0
S
диаметр отверсти  в несущем кольце может составл ть от 100 до 2000 мкм. Отвод тепла в .таком узле в 5-30 раз превышает теплоотвод в реально существующих конструкци х прострельных анодов с использованием бериллиевого окна в качестве подложки дл  активного сло о

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    1,Простредьный анод рентгеновской трубки, содержащий несущее кольцо, прикрепленную к нему пластину из прозрачного дл  рентгеновского излучени  материала и мишень, нанесенную
    на свободную поверхность пластины со стороны несущего кольца, отличающийс  тем, что, с целью повышени  механической прочности анода, . пластина из прозрачного дл  рентгеновского излучени  материала выполнена в виде самонесущего сло  поликристаллического алмаза, адгезионно сцепленного с поверхностью несущего кольца, выполненного из вольфрама, при этом материал мишени нанесен на всю свободную поверхность пластины со стороны несущего кольца„
    2,Способ изготовлени  прострель- ного анода рентгеновской трубки, заключающийс  в соединении несущей части , алмазного теплоотводаи мишени, отличающийс  тем, что несущую часть выполн ют в виде кольца из тугоплавкого материала с высокой адгезионной способностью по отношению к материалу теплоотвода, устанавливают несущее кольцо со скольз щей посадкой на выступ технологической опоры, изготовленной из тугоплавкого материала с низкой адгези- - онной способностью по отношению к материалу теплоотвода, а на поверхность несущего кольца и выступа технологической опоры, установленных в одной плоскости, методом нанесени  из газовой фазы наращивают слой полнкристал- лического алмаза, удал ют технологи- ческую опору и по меньшей мере на
    одну из поверхностей сло  поликристаллического алмаза нанос т слой материала мишени.
    3,Способ по п. 2, отличающийс  тем, что в качестве материала технологической опоры используют молибден.
    Фиг.З 23
    „, . Л fl ,,- , ,
    ШГПШ
    $
    Фиг. 2
    $
    Фиг Л
SU904796974A 1990-01-22 1990-01-22 Прострельный анод рентгеновской трубки и способ его изготовлени SU1653548A3 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904796974A SU1653548A3 (ru) 1990-01-22 1990-01-22 Прострельный анод рентгеновской трубки и способ его изготовлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904796974A SU1653548A3 (ru) 1990-01-22 1990-01-22 Прострельный анод рентгеновской трубки и способ его изготовлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1653548A3 true SU1653548A3 (ru) 1991-05-30

Family

ID=21499153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904796974A SU1653548A3 (ru) 1990-01-22 1990-01-22 Прострельный анод рентгеновской трубки и способ его изготовлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1653548A3 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160020061A1 (en) * 2014-07-16 2016-01-21 Canon Kabushiki Kaisha Transmission-type target for x-ray generating source, and x-ray generator and radiography system including transmission-type target

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160020061A1 (en) * 2014-07-16 2016-01-21 Canon Kabushiki Kaisha Transmission-type target for x-ray generating source, and x-ray generator and radiography system including transmission-type target
US10229808B2 (en) * 2014-07-16 2019-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Transmission-type target for X-ray generating source, and X-ray generator and radiography system including transmission-type target

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5008918A (en) Bonding materials and process for anode target in an x-ray tube
JP2599836B2 (ja) X線管ターゲット
US20110249803A1 (en) Attachment of a high-z focal track layer to a carbon-carbon composite substrate serving as a rotary anode target
JP3040132B2 (ja) グラフアイトと高融点金属から成る複合体
US5148463A (en) Adherent focal track structures for X-ray target anodes having diffusion barrier film therein and method of preparation thereof
US5204891A (en) Focal track structures for X-ray anodes and method of preparation thereof
US4567110A (en) High-temperature brazed ceramic joints
JPS63211547A (ja) X線管ターゲットおよびその製法
JPH02199074A (ja) セラミックチユーブの真空密的密封方法
US4978051A (en) X-ray tube target
SU1653548A3 (ru) Прострельный анод рентгеновской трубки и способ его изготовлени
JPH01209640A (ja) X線管用の複合材料製回転アノード
GB2062953A (en) Rotary-anode x-ray tube
US4847883A (en) Support for rotary target of x-ray tubes
US4573185A (en) X-Ray tube with low off-focal spot radiation
US4431709A (en) Beryllium to metal seals and method of producing the same
US4335327A (en) X-Ray tube target having pyrolytic amorphous carbon coating
JPS6258105B2 (ru)
US3790838A (en) X-ray tube target
US4706872A (en) Method of bonding columbium to nickel and nickel based alloys using low bonding pressures and temperatures
JPS63112095A (ja) 黒鉛と金属材料との接合材及び接合方法
US3736650A (en) Method for making metal-to-ceramic seals
JPH06131934A (ja) 絶縁碍子
RU2105645C1 (ru) Способ пайки изделий
EP0185598B1 (fr) Anode tournante pour tube à rayons X