SU1647045A1

SU1647045A1 - Process for growing cs iodide crystals

Info

Publication number: SU1647045A1
Application number: SU884650652A
Authority: SU
Inventors: Полина Нафтульевна Цирульник
Original assignee: Предприятие П/Я А-1705
Priority date: 1988-12-05
Filing date: 1988-12-05
Publication date: 1991-05-07

Abstract

Изобретение относитс к области выращивани кристаллов, конкретно щелочнога- лоидных кристаллов йодистого цези , и позвол ет уменьшить пластичность кристаллов . В тигле расплавл ют шихту соли йодистого цези . Кристалл выт гивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси 100 . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикул рно оси роста, достигают предела текучести 1 кг/мм2.The invention relates to the field of growing crystals, specifically alkali-halide crystals of cesium iodide, and reduces the plasticity of the crystals. The crucible melts the mixture of cesium iodide salt. The crystal is drawn from the melt onto a seed that is oriented along the axis 100. Laser windows cut from a crystal perpendicular to the growth axis reach a yield strength of 1 kg / mm2.

Description

Изобретение относитс к выращиванию кристаллов, конкретно к технологии выращивани щелочногалоидных кристаллов.The invention relates to the growth of crystals, specifically to the technology of growing alkali halide crystals.

Целью изобретени вл етс уменьшение пластичности кристалла.The aim of the invention is to reduce the plasticity of the crystal.

Пример. Кристалл йодистого цези выращивают из расплава на затравку произвольного направлени . Подшлифовывают несколько участков кристалла, расположенных под произвольными углами по отношению к направлению роста и по фигурам укола, наход т плоскость {001}, на которой фигура укола имеет форму креста. Затем параллельно этой плоскости отпиливают пластину, по толщине равную длине затравки - пор дка 40 мм. Полученную пластину распиливают перпендикул рно плоскости {001} на пр моугольные параллелепиды размером 15x20x40 мм. Таким образом получают затравки, ориентированные вдоль направлени 100.Example. The cesium iodide crystal is grown from melt in a seed of an arbitrary direction. Several sections of the crystal are ground, located at arbitrary angles with respect to the direction of growth and according to the prick figures, and the {001} plane is found on which the prick shape has the shape of a cross. Then, parallel to this plane, a plate is cut off, the thickness of which is equal to the length of the seed — in the order of 40 mm. The resulting plate is sawn perpendicularly to the {001} plane into rectangular parallelepids 15x20x40 mm in size. In this way, seedings oriented along direction 100 are obtained.

Ориентированную затравку креп т к кристаллодержателю, охлаждаемому водой . Рост Кристалла осуществл ют в воздушной атмосфере в вертикальной муфельной печи из платинового тигел с расплавом соли йодистого цези , Печь закрывают керамической крышкой со смотровым окном. Перед началом цикла выращивани соль расплавл ют, отжигают при 680° С. Через смотровое окно опускают кристаллодержатель с затравкой под крышку печи. Прогретую в течение 3-5 мин затравку опускают до прикосновени с поверхностью расплава. Затравку оплавл ют , затем рост кристалла провод т за счет отвода тепла через затравку и поверхность кристалла. Температуру в процессе роста кристалла непрерывно снижают за цикл на 20° С.The oriented seed is attached to a water cooled crystal holder. Crystal growth is carried out in an air atmosphere in a vertical muffle furnace of a platinum crucible with a melt of cesium iodide salt. The furnace is closed with a ceramic lid with a viewing window. Before the beginning of the growing cycle, the salt is melted, annealed at 680 ° C. The crystal holder is lowered through the viewing window and the seed is placed under the furnace lid. Heated for 3-5 minutes, the seed is lowered to touch with the surface of the melt. The seed is melted, then the crystal growth is carried out due to heat removal through the seed and the surface of the crystal. The temperature in the process of crystal growth is continuously reduced per cycle by 20 ° C.

Кристзллодержатель с кристаллом в процессе роста вращают со скоростью 8 об/мин. Выращенный кристалл перенос т в печь отжига, нагретую до 500° С, затем температуру в печи снижают до комнатной со скоростью 20 град/ч. Фиксируют, что полученный таким образом кристалл имеетThe crystal holder with the crystal in the process of growth rotate at a speed of 8 rpm. The grown crystal is transferred to an annealing furnace heated to 500 ° C, then the temperature in the furnace is reduced to room temperature at a rate of 20 degrees / hour. It is recorded that the crystal thus obtained has

ЁYo

ОABOUT

ЬB

VIVI

gg

елate

Claims

001 orientation along the growth axis, discs, claims

used as windows for lasers. A method of growing crystals and iodized cuts perpendicular to the growth axis, cesium from the melt to the seed, does not have a yield point of 1000 t / mm, which is

four times higher than the known method of crystal plasticity 5, the seed is oriented in the direction 100.