SU1617525A1 - Device for overvoltage protection of transistor gate - Google Patents

Device for overvoltage protection of transistor gate Download PDF

Info

Publication number
SU1617525A1
SU1617525A1 SU884480194A SU4480194A SU1617525A1 SU 1617525 A1 SU1617525 A1 SU 1617525A1 SU 884480194 A SU884480194 A SU 884480194A SU 4480194 A SU4480194 A SU 4480194A SU 1617525 A1 SU1617525 A1 SU 1617525A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
output
capacitor
resistor
collector
Prior art date
Application number
SU884480194A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Игоревич Эпштейн
Наталия Викторовна Новикова
Original Assignee
Ленинградское Производственное Электромашиностроительное Объединение "Электросила" Им.С.М.Кирова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ленинградское Производственное Электромашиностроительное Объединение "Электросила" Им.С.М.Кирова filed Critical Ленинградское Производственное Электромашиностроительное Объединение "Электросила" Им.С.М.Кирова
Priority to SU884480194A priority Critical patent/SU1617525A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1617525A1 publication Critical patent/SU1617525A1/en

Links

Landscapes

  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано дл  защиты от перенапр жений, возникающих при работе транзисторных инверторов, на индуктивную нагрузку. Цель изобретени  - расширение области применени  при одновременном улучшении массогабаритных показателей. Поставленна  цель достигаетс  включением между коллектором и базой транзисторного ключа 1 цепочки из последовательно соединенных конденсатора 2, шунтированного резистором 3, диода 4 и порогового элемента 5. 1 ил.The invention relates to electrical engineering and can be used to protect against overvoltages arising from the operation of transistor inverters on inductive loads. The purpose of the invention is to expand the scope of application while improving the weight and size parameters. The goal is achieved by connecting between the collector and the base of the transistor switch 1 of a chain of a series-connected capacitor 2, shunted by a resistor 3, a diode 4 and a threshold element 5. 1 Il.

Description

99

СПSP

дел етс  эквивалентным значением емкости конденсатора , равной:is made equivalent to the value of the capacitor capacitance, equal to:

С„в С (р+ 1),С „to С (р + 1),

J где р - коэффициент усилени  транзистора по току.J where p is the current gain of the transistor.

После передачи энергии, запасенной в индуктивности нагрузки, в зар д конденсатора 2 и в тепло; рессеиваеИзобретение-относитс  к электротехнике и может быть использовано дл  защиты от перенапр жений, возникающих при работе транзисторных инверторов на индуктивную нагрузку.After transferring the energy stored in the load inductance, to the charge of the capacitor 2 and to heat; Receiving Invention is electrical engineering and can be used to protect against overvoltages that occur when transistor inverters operate on inductive loads.

Целью изобретени   вл етс  расширение области применени  при одновременном улучшении массогабаритных показателей .,0 мое пороговым элементом 5, транзистоНа чертеже показана принципиальна  ром 1 и активной составл ющей сопро- схема устройства.The aim of the invention is to expand the field of application while simultaneously improving the mass and size parameters. 0, my threshold element 5, the transistor on the drawing is shown by the principle 1 and the active component of the device's circuit.

Устройство дл  защиты от перенапр жений транзисторного ключа 1 содержит включенную между его коллектором и , базой цепочку из последовательно соединенных конденсатора 2, шунтированного резистором 3, диода 4 и порого - вого элемента 5. Величина пороговогоThe overvoltage protection device of transistor switch 1 contains an interconnected capacitor 2 connected between its collector and its base, a series of capacitors 2 connected in series, shunted by a resistor 3, a diode 4 and a threshold element 5. The magnitude of the threshold

тивлени  нагрузки, подвод щих проводов и пр., ток через транзистор прерываетс , а конденсатор 2 разр жаетс  5 через резистор 3. Причем, если на интервале его разр да тра нзистор 1 будет открыт напр жением от источника управл ющего сигнала la.; то это не повли ет на режим разр да конденсатонапр жени  элемента 5 выбираетс  рав- 20 РЗ 2, так как диод 4 будет преп тстной рабочему напр жению транзистора 1, конденсатор 2 используетс  низковольтный , требуема  величина его емкости тем меньше, чем больше коэффициент усилени  ключа 1, который в наиболее 25 веро тном случае использовани  составного транзистора будет 100-1000. Выбор величины резистора 3 определ етс  соображени ми, сох ласно которым посвовать замыканию цепи через транзистор 1, источник управл ющего сигнала, пороговый элемент 5.power supply, lead wires, etc., the current through the transistor is interrupted, and the capacitor 2 is discharged 5 through the resistor 3. Moreover, if in the interval of its discharge the resistor 1 is opened by the voltage from the control signal source la .; then this will not affect the discharge mode of the condensate voltage of the element 5 is chosen equal to 20 PZ 2, since diode 4 will be the fault of the working voltage of transistor 1, capacitor 2 is used low voltage, the required value of its capacitance 1, which in the most likely 25 cases of using a composite transistor will be 100-1000. The choice of the value of the resistor 3 is determined by considerations, which are to be devoted to the closure of the circuit through the transistor 1, the source of the control signal, the threshold element 5.

Таким образом, снижение перенапр жений на транзисторе в предлагаемом устройстве обеспечиваетс  при использовании малогабаритных компонентов экономично, надежно и независимо от схемы включени  транзисторов в инверто нна  времени должна быть пример- зо торе,что расшир ет область применени Thus, the reduction in overvoltages on the transistor in the proposed device is ensured by using small components economically, reliably and independently of the switching circuit of the transistors in inverted time should be approximate, which expands the range of application

но в 3 раза мецьше периода переключени  транзистора 1. Диод 4 может быть выбран слаботочным и низковольтным.but 3 times less than the switching period of transistor 1. Diode 4 can be selected as low-voltage and low-voltage.

Устройство -работает следующим образом .The device works as follows.

Claims (1)

При включении транзистора 1 ЭДС индуктивности в цепи его нагрузки измен ет знак, стрем сь поддержать ток на уровне, соответствующем предкоммуустройства при одновременном улучшении массогабаритных показателей. Формула изобретени  Устройство дл  защиты от перенап- le р жений транзисторного ключа, содержащее предназначенную дл  подключени  к коллектору транзисторного ключа цепочку из последовательно включенных конденсатора и диода, обща  точкаWhen the transistor 1 is turned on, the emf of the inductance in its load circuit changes sign, trying to maintain the current at a level corresponding to the precommand device while simultaneously improving the weight and size parameters. Claims An overvoltage protection device for a transistor switch, comprising a chain for connecting a transistor switch to a collector of a series-connected capacitor and a diode, a common point тационному интервалу. Однако в момент дО которых подклкнена к первому выводуtactile spacing. However, at the time of DO that is connected to the first conclusion резистора, отличающеес  тем, что, с целью расширени  области применени  при одновременном улучшении массогабаритных показателей, оноresistor, characterized in that, in order to expand the scope of application while improving the weight and size parameters, it достижени  напр жением на коллекторе транзистора 1 порогового значени  элемента 5 последний открьшаетс  и ток через предварительно разр женный конденсатор 2 и открытый диод 4, про- 45 снабжено пороговым элементом, один тека  через управл ющий переход тран- вывод которого подключен к свободному зистора 1, переводит его в активный режим работы. В результате часть тока нагрузки ответвл етс  в коллекторную цепь транзистора 1. Приращение напр жени  на конденсаторе при этом опреСоставитель В.Жмуркоwhen the voltage across the collector of the transistor 1 reaches the threshold value of the element 5, the latter opens and the current through the pre-discharged capacitor 2 and the open diode 4, is pro-45, is equipped with a threshold element, one of which is connected to the free transistor 1 through a control junction, translates its in active mode. As a result, a portion of the load current is branched into the collector circuit of transistor 1. The voltage increment on the capacitor, in this case, is the component V.Zmurko Техред М.ДидыкTehred M. Didyk 5050 выводу диода, а другой вывод предназначен дл  подключени  к базе транзисторного ключа, при этом второй.вывод резистора предназначен дл  подключени  к коллектору транзисторного ключаthe output of the diode, and the other output is designed to connect to the base of the transistor switch, while the second. The output of the resistor is designed to connect to the collector of the transistor switch Редактор 0.СпесивыхEditor 0.Speedyh Корректор Л.БескидProofreader L. Beskid дел етс  эквивалентным значением емкости конденсатора , равной:is made equivalent to the value of the capacitor capacitance, equal to: С„в С (р+ 1),С „to С (р + 1), где р - коэффициент усилени  транзистора по току.where p is the current gain of the transistor. После передачи энергии, запасенной в индуктивности нагрузки, в зар д конденсатора 2 и в тепло; рессеиваемое пороговым элементом 5, транзистором 1 и активной составл ющей сопро- After transferring the energy stored in the load inductance, to the charge of the capacitor 2 and to heat; reversible by the threshold element 5, the transistor 1 and the active component тивлени  нагрузки, подвод щих проводов и пр., ток через транзистор прерываетс , а конденсатор 2 разр жаетс  через резистор 3. Причем, если на интервале его разр да тра нзистор 1 будет открыт напр жением от источника управл ющего сигнала la.; то это не повли ет на режим разр да конденсатововать замыканию цепи через транзистор 1, источник управл ющего сигнала, пороговый элемент 5.power supply, lead wires, etc., the current through the transistor is interrupted, and the capacitor 2 is discharged through the resistor 3. Moreover, if in the interval of its discharge the resistor 1 is opened by the voltage from the control signal source la .; This will not affect the discharge mode to condense the closure of the circuit through transistor 1, the source of the control signal, the threshold element 5. Таким образом, снижение перенапр жений на транзисторе в предлагаемом устройстве обеспечиваетс  при использовании малогабаритных компонентов экономично, надежно и независимо от схемы включени  транзисторов в инверустройства при одновременном улучшении массогабаритных показателей. Формула изобретени  Устройство дл  защиты от перенап- р жений транзисторного ключа, содержащее предназначенную дл  подключени  к коллектору транзисторного ключа цепочку из последовательно включенных конденсатора и диода, обща  точкаThus, the reduction of the overvoltages on the transistor in the proposed device is achieved by using small components economically, reliably and independently of the transistor incorporation scheme into the inverters, while at the same time improving the weight and size parameters. Claims An overvoltage protection device for a transistor switch, comprising a chain for connecting a transistor switch to a collector switch of a series-connected capacitor and a diode, a common point резистора, отличающеес  тем, что, с целью расширени  области применени  при одновременном улучшении массогабаритных показателей, оноresistor, characterized in that, in order to expand the scope of application while improving the weight and size parameters, it снабжено пороговым элементом, один вывод которого подключен к свободному equipped with a threshold element, one output of which is connected to the free снабжено пороговым элементом, один вывод которого подключен к свободному equipped with a threshold element, one output of which is connected to the free выводу диода, а другой вывод предназначен дл  подключени  к базе транзисторного ключа, при этом второй.вывод резистора предназначен дл  подключени  к коллектору транзисторного ключа,the output of the diode, and the other output is designed to connect to the base of the transistor switch, while the second. The output of the resistor is designed to connect to the collector of the transistor switch, Корректор Л.БескидProofreader L. Beskid
SU884480194A 1988-09-07 1988-09-07 Device for overvoltage protection of transistor gate SU1617525A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884480194A SU1617525A1 (en) 1988-09-07 1988-09-07 Device for overvoltage protection of transistor gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884480194A SU1617525A1 (en) 1988-09-07 1988-09-07 Device for overvoltage protection of transistor gate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1617525A1 true SU1617525A1 (en) 1990-12-30

Family

ID=21398205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884480194A SU1617525A1 (en) 1988-09-07 1988-09-07 Device for overvoltage protection of transistor gate

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1617525A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Электронна техника в автомати- ке. Под ред. Ю.И.Конева. М.: Радио и св зь, 1984, вып. 15, с. 98-104, рис.1. Патент DE № 2724741, кп. Н 02 Н 7/122, 1977. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE9500761D0 (en) Protection circuit for series-connected power semiconductors
US4041331A (en) Solid state relay circuit
JP2000333441A (en) Gate control circuit for insulated gate semiconductor device
SU1617525A1 (en) Device for overvoltage protection of transistor gate
JPS61261920A (en) Overcurrent protecting circuit for conductive modulation type mosfet
KR920010738A (en) Circuit for operating the discharge lamp
JP3658597B2 (en) Surge protector
SU520631A1 (en) Device for forcing the active inductive load
JPH02123962A (en) Gate driving circuit
RU2023344C1 (en) Power transistor key
SU1210191A1 (en) Recrifier unit
SU1585860A1 (en) Method of protecting static converters
SU760066A1 (en) Power supply source protecting device
JPS6098722A (en) Electronic switch
SU1576966A1 (en) Device for overvoltage protection of load connected to power supply source
SU1374332A1 (en) Arrangement for overload protection of electronic load
JPS5842971B2 (en) Proximity switch
SU1684873A1 (en) Device for control over triac
SU1624680A1 (en) Dc key
SU1322457A1 (en) Transistor switch
SU1102024A1 (en) Pulse generator
SU1439724A1 (en) Control device with short-circuiting protection
SU1495962A2 (en) Transistor inverter
KR900009472Y1 (en) Over voltage protective circuit
SU1105989A1 (en) Unit for adjusting and protecting semiconductor selector switch