SU1495962A2 - Transistor inverter - Google Patents

Transistor inverter Download PDF

Info

Publication number
SU1495962A2
SU1495962A2 SU864125898A SU4125898A SU1495962A2 SU 1495962 A2 SU1495962 A2 SU 1495962A2 SU 864125898 A SU864125898 A SU 864125898A SU 4125898 A SU4125898 A SU 4125898A SU 1495962 A2 SU1495962 A2 SU 1495962A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
thyristor
diode
shunted
turns
Prior art date
Application number
SU864125898A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Васильевич Кашканов
Original Assignee
Волжское объединение по производству легковых автомобилей
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Волжское объединение по производству легковых автомобилей filed Critical Волжское объединение по производству легковых автомобилей
Priority to SU864125898A priority Critical patent/SU1495962A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1495962A2 publication Critical patent/SU1495962A2/en

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и м.б использовано при проектировании вторичных источников питани . Цель - повышение надежности путем уменьшени  перегрузок транзисторов при включении. Устр-во выполнено по мостовой схеме, каждое плечо которой содержит транзистор 1, зашунтированный обратным диодом 2. К транзистору 1 подсоединена цепочка защиты от перегрузок 5 при переключении, содержаща  токоограничительный резистор 6, инерционный диод 8, зашунтированный тиристором 7, и нелинейный элемент 9. В устройстве сначала включаетс  тиристор 7, принимающий на себ  весь ток коммутации, после чего включаетс  соответствующий транзистор 1. В результате этого к тиристору 7 прикладываетс  запирающее напр жение, т.к. инерционный диод 8 смещаетс  в положительном направлении. Мгновенна  мощность, выдел ема  на транзисторе при включении и выключении не достигает больших значений. 1 ил.The invention relates to electrical engineering and can be used in the design of secondary power sources. The goal is to increase reliability by reducing the transistor overload on power up. The device is made according to a bridge circuit, each arm of which contains a transistor 1 shunted by a reverse diode 2. An overload protection circuit 5 is connected to transistor 1 when switched, containing a current-limiting resistor 6, an inertial diode 8, shunted by a thyristor 7, and a nonlinear element 9. The device first turns on the thyristor 7, which takes over all the switching current, after which the corresponding transistor 1 turns on. As a result, a blocking voltage is applied to the thyristor 7, since the inertia diode 8 is shifted in a positive direction. The instantaneous power emitted by the transistor during switching on and off does not reach large values. 1 il.

Description

Изобретение относитс  к электротехнике , может быть использовано при проектировании вторичных источников и  вл етс  усовершенствованием изобретени  по авт.св. 1437959,The invention relates to electrical engineering, can be used in the design of secondary sources and is an improvement of the invention according to the author. 1437959,

Цель изобретени  - повьшение на- дежности путем уменьшени  перегру- зок транзисторов при включении.The purpose of the invention is to increase reliability by reducing the transistor overload when turned on.

На чертеже изображена принципи- альна  схема инвертора.The drawing shows a schematic diagram of the inverter.

Инвертор содержит несколько стоек кажда  из которых имеет транзисторы 1, зашунтированные обратными диодами 2, блок 3 управлени , источник питани  которого используетс  также дл  образовани  дополнительного источника , 4 смещени , вход щего в состав цепи 5 запрета от перегрузок при переключении. Цепь 5 запрета включа- ет в себ  токоограничительный резистор 6, тиристор 7, включенный встречно-параллельно инерционному диоду 8, и нелинейный элемент 9, выполненный в виде последовательно соединенных по меньшей мере трех диодов или стабилитрона ,, имеющего напр жение стабилизации не-менее трех вольт и вьщер- живающего дес тки микросекундные импульсы тока нагрузки.The inverter contains several racks, each of which has transistors 1, shunted by reverse diodes 2, control unit 3, the power source of which is also used to form an additional source, 4 bias included in the overload inhibit circuit 5 when switching. The inhibitor circuit 5 includes a current limiting resistor 6, a thyristor 7 connected in parallel to the inertial diode 8, and a nonlinear element 9 made in the form of serially connected at least three diodes or a zener diode having a voltage stabilizing not less than three volts and ten-fold microsecond load current pulses.

В транзисторном инверторе обеспечиваетс , такой алгоритм работы каждой стойки, при котором дл  пере- 1ключени  тока нагрузки с силового (диода 2, например, нижнего ключа на силовой транзистор-7, в результате включени  которого происходит рассасывание зар да восстановлени  обрат- .ного диода 2 нижнего ключа по цепи положительный зажим + источника пи тани  транзисторного инвертора - тиристор 7 - нелинейный элемент 9 - диод 2 нижнего ключа - отрицательный зажим - источника питани  транзисторного инвертора., Через врем , равное времени рассасывани  зар да восстановлени  диода 2 нижнего ключа, ток нагрузки пере содит на, тиристорIn the transistor inverter, such an algorithm is provided for each rack, in which to switch off the load current from the power supply (diode 2, for example, the lower key to the power transistor-7, as a result of which the reverse charge diode 2 is absorbed. the lower key along the circuit positive terminal + power source of the transistor inverter - thyristor 7 - nonlinear element 9 - diode 2 lower key - negative terminal - power source of the transistor inverter., After a time equal to the time resolved and charge recovery diode 2 of the lower key, load current reloading, thyristor

7и нелинейный элемент 9, после чего подают импульс упрайлени  На базу транзистора 1 верхнего ключа, в результате включени  которого к тиристору 7 прикладываетс  запирающее напр жение , так как инерционный диод 8 смещаетс  в положительном направлени по цепи плюсовой вывод дополнительного источника 4 смещени  - резистор7 and a nonlinear element 9, after which an impinging pulse is applied. The base of the transistor 1 of the upper key causes a switching voltage to be applied to the thyristor 7, since the inertial diode 8 is displaced in a positive direction along the circuit the positive terminal of the additional bias source 4 - the resistor

6 - низкочастотный инерционный диод6 - low frequency inertial diode

8- транзистор Т верхнего ключа - минусовой вывод источника 4. Через врем , большее или равное времени восстановлени  запир ающих свойств тиристора 7, силовой транзистор 1 верхнего ключа может быть выключен, при этом ток нагрузки, ответвл  сь в цепь: диод - нелинейный элемент8-transistor T of the upper key is the negative terminal of source 4. After a time greater than or equal to the recovery time of the locking properties of the thyristor 7, the power transistor 1 of the upper key can be turned off, while the load current is connected to the circuit: diode is a non-linear element

9- нагрузка, запирает диод 8, Следовательно , мгновенна  мощность, выдел юща с  на силовом транзисторе, как на этапах выключени , так и на этапах включени  не достигает больших з-начений. 9- load, closes the diode 8; Consequently, the instantaneous power released by the power transistor, both at the switching-off stages and at the switching-on stages, does not reach large sigma.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Транзисторный инвертор, по авт. св. № 1437959, о т л и ч а ю щ и и - с   тем, что, с целью повьшени  надежности путем уменьшени  перегрузок транзисторов при включении, встречно параллельно инерционному диоду подключен введенный тиристор, управл ющий электрод которого подсоединен к блоку управлени , выполненному обеспечиваюш1им формирование отпираю-- щего тиристор сигнала раньше, чем формирование отпирающего сигнала дл  транзистора.Transistor inverter, by author. St. No. 1437959, that is, so that, in order to increase reliability by reducing transistor overloads when turned on, the inserted thyristor, parallel to the inertial diode, is connected in parallel, the control electrode of which is connected to the control unit, which ensures the formation The unlocking thyristor signal is earlier than the formation of the unlocking signal for the transistor.
SU864125898A 1986-09-29 1986-09-29 Transistor inverter SU1495962A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864125898A SU1495962A2 (en) 1986-09-29 1986-09-29 Transistor inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864125898A SU1495962A2 (en) 1986-09-29 1986-09-29 Transistor inverter

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1437959 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1495962A2 true SU1495962A2 (en) 1989-07-23

Family

ID=21259718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864125898A SU1495962A2 (en) 1986-09-29 1986-09-29 Transistor inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1495962A2 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1437959, 17.06.87. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1495962A2 (en) Transistor inverter
US4213164A (en) Electronic protection circuit incorporating voltage divider sensing, gating and triggering
SU1124412A1 (en) Device for protecting switching transistor
SU834794A1 (en) Timer
SU1310939A1 (en) Device for protecting elements of switch sources of secondary electric power supply against overvoltage in a.c.network
SU1267529A1 (en) Device for overload protection of electric equipment
SU484627A1 (en) Relaxation generator of two-stage pulses
SU432559A1 (en) DEVICE FOR INDICATION
SU1102024A1 (en) Pulse generator
SU1637019A1 (en) Power transistor switch with emitter circuit commutation
SU1200406A1 (en) Device for switching capacitor
SU847304A2 (en) High-voltage power supply source
SU1339884A1 (en) Transistor gate with overload protection
SU1697167A1 (en) Device for control over d c load with protection against overload and short-circuit
SU1701941A1 (en) Spark-preventing device
SU1181080A1 (en) Voltage converter
SU769711A1 (en) Pulse generator
SU1467659A1 (en) Protection device for self-excited voltage invertor
SU429509A1 (en) SINGLE VIBRATOR
SU1617525A1 (en) Device for overvoltage protection of transistor gate
SU847496A1 (en) Submodulator
SU875574A1 (en) Thyristorized device for control of high-voltage cathode-ray rectifier
SU1539943A2 (en) Transistor inverter
SU627591A1 (en) Switching apparatus
SU1272397A1 (en) Device for protection of voltage converter