SU1613978A1 - Method and apparatus for measuring thermal resistance of digital integral circuits - Google Patents
Method and apparatus for measuring thermal resistance of digital integral circuits Download PDFInfo
- Publication number
- SU1613978A1 SU1613978A1 SU874336240A SU4336240A SU1613978A1 SU 1613978 A1 SU1613978 A1 SU 1613978A1 SU 874336240 A SU874336240 A SU 874336240A SU 4336240 A SU4336240 A SU 4336240A SU 1613978 A1 SU1613978 A1 SU 1613978A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- integrated circuit
- logical
- input
- thermal resistance
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технике измерени параметров интегральных микросхем и может быть использовано дл контрол качества цифровых интегральных микросхем на основе ТТЛ и ТТЛШ логических элементов. Целью изобретени вл етс повышение точности измерений путем уменьшени вли ни паразитного сопротивлени в цепи питани микросхем на результат измерени . Сущность способа по сн етс на примере измерени теплового сопротивлени микросхемы, содержащей два элемента И-НЕ и паразитные сопротивлени , соответствующие сопротивлени м внутренних общих шин питани . 2 с.п. ф-лы, 3 ил.The invention relates to a technique for measuring the parameters of integrated circuits and can be used to control the quality of digital integrated circuits based on TTL and TTLS logic elements. The aim of the invention is to improve the measurement accuracy by reducing the influence of the parasitic resistance in the power supply circuit of the microcircuits on the measurement result. The essence of the method is illustrated by the example of measuring the thermal resistance of a microcircuit containing two IS-NOT elements and parasitic resistances corresponding to the resistances of the internal common power supply lines. 2 sec. f-ly, 3 ill.
Description
Изобретение относитс к технике измерени параметров интегральных микросхем и может быть использовано дл контрол качества цифровых интегральных микросхем на основе ТТЛ и ТТЛШ логических элементов (ЛЭ).The invention relates to a technique for measuring the parameters of integrated circuits and can be used to control the quality of digital integrated circuits based on TTL and TTLS logic elements (LE).
Цель изобретени - повышение точности измерений за счет уменьшени НЛИЯ1ШЯ паразитного сопротивлени в цепи питани микросхем на результат измерени „The purpose of the invention is to improve the measurement accuracy by reducing the NLI of the parasitic resistance in the power supply circuit of the microcircuits by the measurement result.
На фиг о 1 приведена структурна схема устройства; на фиг„ 2 - эквивалентна схема ЛЭ при осуществлении способа; на фиг. 3 - схема базового ЛЭ..Fig about 1 shows the block diagram of the device; Fig 2 is equivalent to the scheme of LE in the implementation of the method; in fig. 3 is a diagram of the base LE.
Сущность способа по снена на примере измерени теплового сопротивлени микросхемы, содержащий два ЛЭ- И-НЕ и паразитные сопротивлени , соответствующие сопротивлени м внутренних общих шин питани (фиг 2). В качестве напр жени термочувствительного параметра выбираетс изменение напр жени ди, ЛЭ № 1 на сопротивлении нагрузки RH, которое фиксируетс вольтметром PV. Разогрев микросхемы осуществл етс при неизменном логическом состо нии грею- . щего ЛЭ № 2 за счет коммутации его выхода, имеющего низкий логический уровень, через ограничительное сопротивление Rjjrp с положительной шиной питани коммутатором S. Из схемы базового ЛЭ (фиг. 3) видно, что при уровне, логической единицы на выходеThe essence of the method is illustrated by the example of measuring the thermal resistance of a microcircuit, which contains two LE-AND-NOT and parasitic resistances corresponding to the resistances of the internal common supply rails (Fig. 2). As the voltage of the temperature-sensitive parameter, the change in voltage di, LE No. 1 on the load resistance RH is selected, which is recorded by a voltmeter PV. The heating of the microcircuit is carried out at a constant logical state of grey-. LE 2 by switching its output, which has a low logic level, through the limiting resistance Rjjrp with a positive power bus by switch S. From the basic LE diagram (Fig. 3), it can be seen that at the level of the logical unit at the output
СОWITH
:о :about
0000
ЛЭ № 1, ток потреблени ij,,, развет вл етс на переход база-эмиттер мно- гоэмиттерного транзистора - внешн обща шина питани 1, в одном направ- лении и на эмиттерный повторитель выходного каскада - сопротивление нагрузки Кц - внешн обща шина питани 14 в другом. Сопротивление исключено из цепи прохождени тока I noT поэтому оно полностью приведе- но к греющему ЛЭ № 2. Ток 1„ат ЛЭ № 2 при подаче греющей мощности изменитс на величину изменени , базового тока выходного транзистора, наход щегос в режиме насьш1ени . Изменитс падение напр жени &U пар R р, которое из-за малой величины изменени тока базы будет незначительным и составл ет не более 5 мВ при изменении напр жени полезного сигнала .л/200 мВ, что составл ет менее 2,5% оPE No. 1, the current consumption ij ,,, branch is on the base-emitter transition of a multi-emitter transistor - external common power bus 1, in one direction and to the emitter follower of the output stage - load resistance Cc - external common power bus 14 in another. The resistance is excluded from the current path I noT, so it is completely reduced to heating element No. 2. Current 1, type LE No. 2, when heating power is applied, will change by the amount of change in the base current of the output transistor, which is in the end state. The voltage drop & U pairs R p will change, which, due to the small value of the base current change, will be insignificant and will not exceed 5 mV when the voltage of the useful signal is l / 200 mV, which is less than 2.5% o
Устройство содержит источник питани 3, исследуемую микросхему 2, коммутаторы 3 и 4 установки напр жений логической единицы на выходе негреющего ЛЭ и логического нул на выходе греющего ЛЭ, вольтметр посто нного напр жени 5 дл измерени на пр жени термочувствительного параметра , вольтметр посто нного напр жени 6, миллиамперметр посто нного тока 7, коммутатор 8, ограничительное сопротивление 9 и сопротивление The device contains a power source 3, the investigated chip 2, switches 3 and 4 of the installation of voltages of a logical unit at the output of a non-heating LE and a logical zero at the output of a heating LE, a constant voltage voltmeter 5 for measuring a heat-sensitive parameter on the voltage, a voltmeter of constant voltage 6, DC milliammeter 7, switch 8, limiting resistance 9 and resistance
нагрузки 10.load 10.
Устройство работает следуюпщм образом .„The device works in the following way. „
При переключении коммута.торов JWhen switching commutators. J
и 4 фиксируют напр жение « выхо де негреющего ЛЭ и Ugw- на выходе греющего ЛЭ.and 4 fix the voltage of the output of the non-heating non-heating LE and Ugw-at the output of the heating heating PE.
Вольтметр посто нного напр жени 5 измер ет напр жение Ugp,x холодной микросхемы. При замыкании контактов коммутатора 8 начинаетс разогрев микросхемы за счет протекани тока I от положительной шины питани через миллиамперметр посто нного тока Ограничительное сопротивление 9, коммутатор 8, на выходной транзисто ЛЭ фиксирукугс показани миллиамперметра посто нного тока 7 (1р) и вольтметра посто нного напр жени 6 A constant voltage voltmeter 5 measures the voltage Ugp, x of a cold microcircuit. When the contacts of the switch 8 are closed, the microcircuit starts to warm up due to the flow of current I from the positive power bus through the milliammeter of direct current. Restrictive resistance 9, switch 8 to the output transistor LE fixed by readings of 7 ampere meter and voltmeter constant voltage 6
I 1 л - -----I 1 l - -----
(и ). Вольтметром посто нного на- пр1жени 5 определ етс приращение напр жени термочувствительного параметра . По полученным результатам(and). A constant-voltage voltmeter 5 determines the voltage increment of the temperature-sensitive parameter. According to the results
определ ют тепловое сопротивление микросхемы R с помощью выражени determine the thermal resistance of the chip R by the expression
п ЛУва1-. г TKU-IpUlb,x p luva1-. g TKU-IpUlb, x
деЛи У - приращение напр жени термочувствительногоdeLi U - the increment of the heat-sensitive voltage
параметра;parameter;
тки - температурный коэффициент термочувствительного параметра; 1 . ufu.v - приращение греющей мощо бЫлTkk - temperature coefficient of heat-sensitive parameter; one . ufu.v - increment of the heating power was
TJnr« TtT TJnr "TtT
НОСТИ.THE BOWL.
ФормулFormulas
иand
3 обретени 3 gains
1. Способ измерени теплового со- дротивлени цифровых интегральных микросхем, заключаюйрйс в том, что на контролируемую интегральную микросхему подают напр жени питани , устанавливают первьй логический элемент интегральной микросхемы в заданное состо ние, задают величину разогревающей мощности, измер ют выходные термочуствитепьные параметры первого логического элемента, по результатам измерений определ ют тепловое сопротивление интегральной микросхемы , -отличающийс тем,, что, с целью повьш1ени точности измерений, теплового сопротивлени за счет исключени вли ни паразитных сопротивлений интегральной микросхемы первый логический элемент интегральной микросхемы устанавливают в состо ние логической единицы на выходе, в качестве выходного термочувствительного параметра принимают величину напр жени логической единицы, вторые логические элементы интегральной микросхемы устанавливают в состо ние логического .нул на выходе, а величину разогревающей мощности задают путем пропускани тока через выходы вторых логических элементов интегральной микросхемы.1. A method for measuring the thermal resistance of digital integrated circuits, concluded that the controlled integrated circuit is supplied with voltage, the first logic element of the integrated circuit is set to a predetermined state, the heating power is measured, the output thermal parameters of the first logic element are measured , the measurement results determine the thermal resistance of the integrated circuit, which is distinguished by the fact that, in order to increase the measurement accuracy, the thermal For example, by eliminating the influence of the parasitic resistances of the integrated circuit, the first logic element of the integrated circuit is set to the state of a logical unit at the output, the output voltage of the logical unit is taken as the output temperature-sensitive parameter, the second logic elements of the integrated chip are set to output, and the amount of heating power is set by passing a current through the outputs of the second logic elements of the integral micr oshemy.
.2, Устройство дл измерени теплового сопротивлени цифровых интегралных микросхем, содержащее источник питани , миллиамперметр посто нного тока, первый вывод которого соединен с источником питани , два .вольтметра посто нного напр жени , вход первого из которых соединен с шиной питани интегральной микросхемы, а вхо второго с выходом первого логического элемента интегральной микросхе5u ..2, A device for measuring the thermal resistance of digital integrated circuits containing a power source, a milliammeter of direct current, the first output of which is connected to a power source, two constant-voltage voltmeters, the input of the first of which is connected to the power supply bus of the integrated circuit, and the second with the output of the first logical element of the integrated microcircuit 5u.
мы, к которому подключен первый BI.I- вод резистора нагрузки, второй вывод которого соединен с общей тайной первого коммутатора, выход которого сое динен с входом второго логического элемента интегральной микросхемы, первый вход коммутатора соединен с общей шиной, отличаю щее- с тем, что, с целью повышени точности измерений теплового сопротивлени за счет исключени вли ни паразитных сопротивлений интегральной микросхемы, в. него введены второй иwe, to which the first BI.I is connected to the load resistor, the second output of which is connected to the common secret of the first switch, the output of which is connected to the input of the second logic element of the integrated circuit, the first input of the switch is connected to the common bus, that, in order to increase the accuracy of thermal resistance measurements by eliminating the influence of the parasitic resistances of the integrated circuit, c. he entered the second and
1347813478
третий коммутаторы н orpaFmMnre bHHM резистор , второй вывод милпиампермет- ра через ограничительный резистор и второй коммутатор соединен с выходом второго логического элемента , интегральной микросхемы, входы третьего коммутатора подключены к общей щине и пине питани the third switches n orpaFmMnre bHHM resistor, the second terminal of the miliampermeter through the limiting resistor and the second switch is connected to the output of the second logic element, integrated circuit, the inputs of the third switch are connected to the common bus and pin power
соответственно, а выход соединен с входом первого логического элемента интегральной микросхемы, второй вход первого коммутатора соединен с шиной питани .accordingly, the output is connected to the input of the first logic element of the integrated circuit, the second input of the first switch is connected to the power bus.
Фиг.гFigg
О 1About 1
//
XX
-й/г.Зth / gz
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874336240A SU1613978A1 (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Method and apparatus for measuring thermal resistance of digital integral circuits |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874336240A SU1613978A1 (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Method and apparatus for measuring thermal resistance of digital integral circuits |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1613978A1 true SU1613978A1 (en) | 1990-12-15 |
Family
ID=21339341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874336240A SU1613978A1 (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Method and apparatus for measuring thermal resistance of digital integral circuits |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1613978A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2490657C2 (en) * | 2011-10-28 | 2013-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" | Method for determination of heat-transfer resistance for digital integrated circuits |
RU2813107C2 (en) * | 2019-08-16 | 2024-02-06 | Иллумина, Инк. | Method for measuring thermal resistance between thermal component of device and consumable part |
-
1987
- 1987-11-30 SU SU874336240A patent/SU1613978A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 1310754, кло G 01 R 31/28, 1985. Закс Д.И о Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем М.: Радио и св зь 1983, с. 31-32. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2490657C2 (en) * | 2011-10-28 | 2013-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" | Method for determination of heat-transfer resistance for digital integrated circuits |
RU2813107C2 (en) * | 2019-08-16 | 2024-02-06 | Иллумина, Инк. | Method for measuring thermal resistance between thermal component of device and consumable part |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6786639B2 (en) | Device for sensing temperature of an electronic chip | |
Blackburn et al. | Power MOSFET temperature measurements | |
US5006809A (en) | Apparatus for measuring the electrical resistance of a test specimen | |
SU1613978A1 (en) | Method and apparatus for measuring thermal resistance of digital integral circuits | |
KR0169088B1 (en) | Circuit for measuring the internal resistance of a lambda sensor | |
JPS59182535A (en) | On-chip voltage monitor and method of using same | |
JPH06281693A (en) | Measuring method for thermal resistance of semiconductor device | |
US2254400A (en) | Concentration testing system and method | |
US5115188A (en) | Resistance sensor and switch | |
JP4295896B2 (en) | CMOS integrated circuit and timing signal generator using the same | |
JP3084857B2 (en) | Method for measuring thermal resistance of power semiconductor device | |
PL234140B1 (en) | Method and the system for measuring thermal resistance and optical radiation intensity of the LED power diode | |
DE69006162T2 (en) | ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC CIRCUIT. | |
US20210208197A1 (en) | On-chip current sensor | |
US4686462A (en) | Fast recovery power supply | |
KR900002765B1 (en) | Checking circuit of temprature of semiconductor | |
JPS6452298A (en) | Semiconductor memory device | |
JP2679977B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
SU1649473A1 (en) | Device for nondestructive control of quality of connection of semiconductor crystal to body | |
Vard et al. | The measurement of transistor characteristics using on-chip switching for the connection of instrumentation | |
SU1057890A1 (en) | Device for measuring semiconductor gate transitional thermal characteristic | |
Ebli et al. | Transient junction temperature measurements of power MOSFETs in the μs range | |
SU238660A1 (en) | MEASUREMENTS OF SMALL RESISTANCES | |
JPH0366622B2 (en) | ||
SU472346A1 (en) | Monitoring device for contacting probe installations |