SU1607014A1

SU1607014A1 - Элемент пам ти

Info

Publication number: SU1607014A1
Application number: SU884627341A
Authority: SU
Inventors: Николай Иванович Хцынский; Владимир Анатольевич Ярандин; Владимир Павлович Сидоренко; Анатолий Мефодиевич Прокопенко; Вера Андреевна Тальнова; Вера Васильевна Рыжкова
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5737
Priority date: 1988-12-27
Filing date: 1988-12-27
Publication date: 1990-11-15

Abstract

Изобретение относитс к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано дл хранени адреса дефектного элемента в запоминающих устройствах на основе МОП-структур с резервированием, в программируемых посто нных запоминающих устройствах, в источниках опорных напр жений, автогенераторах, усилител х с электронной подстройкой напр жени , частоты и коэффициента усилени . Цель изобретени - увеличение выхода годных элементов пам ти. Поставленна цель достигаетс тем, что элемент пам ти содержит второй провод щий слой 7 из поликремни . Второй диэлектрический слой 6 вл еетс туннельно-тонким. Запись информации производитс путем его пробо напр жением, подаваемым на слой 7 и первую диффузионную область 2. Это позвол ет совместить технологию изготовлени элемента пам ти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано для хранения адреса дефектного элемента в запоминающих устройствах на основе МОП-структур с резервированием, в программируемых Постоянных запоминающих устройствах, в источниках опорных напряжений, автогенераторах, усилителях с электронной подстройкой напряжения, частоты и Коэффициента усиления.

Целью изобретения является увеличение выхода годных.

На чертеже представлена структура элемента памяти, разрез;

Элемент памяти содержит.полупроводниковую подложку 1 первого типа Проводимости, первую 2 и вторую 3 диффузионную области второго типа Проводимости, первый диэлектрический Слой 4, первый проводящий слой 5, второй диэлектрический слой 6, второй проводящий слой 7. На чертеже обозначены также программирующая шина 8, управляющая шина 9, шина 10 нулевого потенциала.

Для программирования элемента памяти используется пробой туннельнотонкого слоя 6 (исходное сопротивление элемента 10^ кОм, записанное состояние элемента 1,0 - 30 кОм).

Элемент памяти работает следующим Образом,

Режим программирования. Пусть элемент памяти не выбран. Это означает, что на управляющей шине 9 напряжение низкого уровня, между областями 2, 3 канала не образуется, напряжение программирования от программирующей шины 8 не поступает на первую диффузионную область 2. Пробой второго диэлектрического слоя 6 не происходит, элемент памяти остается в исходном состоянии (высокое сопротивление) .

Элемент памяти выбран. Это означает, что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2, 3 образуется канал, напряжение программирования от программирующей шины 8 поступает на первую, диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7 и первой диффузионной областью 2 фор мируется низкоомное соединение, элемент запрограммирован (записанное состояние - низкое сопротивление).

Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих элементов в процессе высокотемпературных операций сборки и термополевых обработок: в процессе эксплуатации отсутствие эффекта зарастания с течением времени, характерного для плавких перемычек, нечувствительность состояния элемента памяти (пробит не пробит) к воздействию радиационных эффектов.

Claims

Формула изобретения

1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, две диффузионные области второго типа проводимости, расположенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, первый диэлектрический слой, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки между первой и второй диффузионными областями с перекрытием края второй диффузионной области,первый проводящий слой, расположенный на поверхности первого диэлектрического слоя,второй диэлектрический слой, который является туннельно-тонким и расположен на поверхности полупроводниковой подложки над первой диффузионной областью, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных, элемент памяти содержит второй проводящий слой из поликремния', расположенный на втором диэлектрическом слое, а первый диэлектрический слой расположен с перекрытием края первой диффузионной области.
2. Элемент памяти по п.1, о т личающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления элемента памяти, второй диэлектрический слой выполнен из диоксида кремния или из оксинитрида кремния, или композиции из диоксида кремния, нитрида кремния, оксинитрида кремния.