SU1569788A1 - Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses - Google Patents

Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses Download PDF

Info

Publication number
SU1569788A1
SU1569788A1 SU884482266A SU4482266A SU1569788A1 SU 1569788 A1 SU1569788 A1 SU 1569788A1 SU 884482266 A SU884482266 A SU 884482266A SU 4482266 A SU4482266 A SU 4482266A SU 1569788 A1 SU1569788 A1 SU 1569788A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
photomask
strip
substrate
layer
cylindrical lenses
Prior art date
Application number
SU884482266A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Мирослав Павлович Кит
Василий Михайлович Чобанюк
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4671
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4671 filed Critical Предприятие П/Я Г-4671
Priority to SU884482266A priority Critical patent/SU1569788A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1569788A1 publication Critical patent/SU1569788A1/en

Links

Landscapes

  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к области оптического приборостроени , а именно к технологии изготовлени  фокусирующих и корригирующих дифракционных оптических элементов. Цель изобретени  - повышение дифракционной эффективности. Дл  этого рассчитывают и формируют фотошаблон в виде круговой амплитудной бинарной зонной пластины 4, выдел ют посредством диафрагмы 5 симметричную относительно диаметра полосу фотошаблона, формируют с помощью объектива 6 изображение выделенной полосы фотошаблона на слое фоторезиста, нанесенного на подложку 7, и экспонируют слой фоторезиста, перемеща  подложку 7 в направлении, перпендикул рном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, с последующей химической обработкой сло . При этом ширину выделенной полосы фотошаблона выбирают равной 2√2Fλ, где F - фокусное рассто ние фотошаблонаThe invention relates to the field of optical instrumentation, in particular, to the technology of producing focusing and correcting diffractive optical elements. The purpose of the invention is to increase the diffraction efficiency. For this, the photomask in the form of a circular amplitude binary zone plate 4 is calculated, the strip of the photomask is symmetric about the diameter by means of the diaphragm 5, the image of the selected strip of the photomask on the photoresist layer deposited on the substrate 7 is formed with the aid of lens 6, and the photoresist layer is exposed, moving substrate 7 in the direction perpendicular to the axis of symmetry of the selected photomask strip, followed by chemical treatment of the layer. In this case, the width of the selected strip of the photomask is chosen equal to 2√2Fλ, where F is the focal length of the photomask

λ - рабоча  длина волны излучени  дл  изготавливаемых линз. 2 ил.λ is the working wavelength of radiation for manufactured lenses. 2 Il.

Description

Изобретение относитс  k оптическому приборостроению, в частности к технологии изготовлени  фокусирующих и корригирующих дифракционных оптических элементов.The invention relates to optical instrumentation, in particular, to the technology for producing focusing and correcting diffractive optical elements.

Целью изобретени   вл етс  повышение дифракционной эфективности дифракционных цилиндрических линз путем формировани  несимметричного профил  их зон.The aim of the invention is to increase the diffraction efficiency of diffractive cylindrical lenses by forming an asymmetric profile of their zones.

На фиг. 1 представлена оптическа  Схема устройства дл  реализации Предлагаемого способа; на фиг. 2 - фрагмент выделенной полосы фотогааб- Лона, распределение величины экспозиции Е(х) в пределах каждой зоны изготавливаемой линзы и профиль h(x) поверхности дифракционной линзы, изготовленной на слое позитивного фо- торезиста.FIG. 1 shows an optical device diagram for implementing the proposed method; in fig. 2 - a fragment of a dedicated photogaben strip, the distribution of the exposure value E (x) within each zone of the lens produced and the profile h (x) of the surface of the diffractive lens made on the layer of positive photoresist.

Способ заключаетс  в том, что на ЭВМ рассчитывают по параметрам изготавливаемой дифракционной цилиндрической линзы фотошаблон и форми- руют его в виде круговой амплитудной бинарной зонной пластины, выдел ют симметричную относительно ее диаметра полосу, формируют с помощью объектива изображение выделен- ной части фотошаблона на слое фоторезиста , нанесенного на подложку, и экспонируют слой фоторезиста, перемеща  подложку в направлении, перпендикул рном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, на величину , равную образующей изготавливаемой линзы, с последующей химической обработкой сло  фоторезиста. При этом ширину выделенной полосы фотошаблона выбирают равной 2 У 2f A ,, где f - фокусное рассто ние фотошаб лона, Л - рабоча  длина водны излучени  дл  изготавливаемых линз.The method consists in that a computer calculates a photo mask according to the parameters of a diffraction cylindrical lens produced and forms it as a circular amplitude binary zone plate, isolates the band symmetric with respect to its diameter, forms an image of a selected part of a photo mask on a photoresist layer using an objective lens deposited on the substrate, and expose a layer of photoresist, moving the substrate in the direction perpendicular to the axis of symmetry of the selected band of the photomask, by an amount equal to forming from the prepared lens, with the subsequent chemical processing of a layer of photoresist. In this case, the width of the selected strip of the photomask is chosen to be 2 V 2f A ,, where f is the focal distance of the photomask, L is the working length of the water radiation for the lenses being manufactured.

Установленна  из приведенного услови  ширина выдел емой полосы фотошаблона обеспечивает распределение величины экспозиции в пределах каждой зоны по несимметричному заксгну, поскольку величина экспозиции в каждой точке на оси, перпендикул рной направлению движени  фоторезиста , пр мо пропорциональна длине отрезков, образующихс  при гересечении пр мых, параллельных направлению движени  фоторезиста, с пропускающими зонами фотошаблона. Несимметричность закона распределени  величины экспозиции приводитThe width of the selected photomask strip, established from the above condition, ensures that the exposure value within each zone is distributed over the asymmetrical gauge, since the exposure value at each point on the axis perpendicular to the photoresist's direction of movement is directly proportional to the length of the segments formed when the track is straight, parallel to the direction photoresist movements, with the passable zones of the photomask. The asymmetry of the law of exposure

5 0 50

5 Q 5 Q

5 five

5five

00

5five

00

после обработки фоторезиста к образованию несимметричного профил  зон, близкого к идеальному. В зависимости от типа дифракционной цилиндрической линзы (фокусирующа  или рассеивающа ) примен ют позитивный либо негативный фоторезист соответственно.after processing the photoresist to the formation of an asymmetrical profile of the zones close to ideal. Depending on the type of diffractive cylindrical lens (focusing or diffusing), a positive or negative photoresist is used, respectively.

Устройство дл  реализации способа содержит источник 1 излучени , спектральный светофильтр 2, конденсатор 3, фотошаблон 4, диафрагму 5, выдел ющую полосу фотошаблона, объектив 6 и подложку 7 с нанесенным слоем фоторезиста, установленную с возможностью перемещени  в плоскости установки в направлении, перпендикул рном оси симметрии выделенной «полосы фотошаблона.A device for implementing the method comprises a radiation source 1, a spectral light filter 2, a capacitor 3, a photomask 4, a diaphragm 5, a separating strip of the photomask, a lens 6 and a substrate 7 coated with a photoresist layer mounted for movement in an installation plane in a direction perpendicular to the axis symmetry of the selected “photomask strip”.

Способ осуществл ют следующим образом.The method is carried out as follows.

По параметрам изготавливаемой цилиндрической дифракционной линзы на ЭБМ рассчитывают бинарную амплитудную круговую зонную пластину, все размеры которой увеличивают в К раз, где К - кратность примен емого объектива, и изготавливают ее, например, на делительной машине на пленке м гкого металла, нанесенного на кварцевую подложку. Далее с помощью диафрагмы 5 выдел ют симметричную относительно диаметра полосу шириной 2 Г2ГЛ, Излучение источника 1 (например, ртутной лампы), прошедшее через спектральный светофильтр 2, концентрируетс  конденсатором 3 на выделенной диафрагмой 5 полосе фотошаблона 4, изображение которой формируетс  объективом 6 на слое позитивного фоторезиста, нанесенном на подложку 7. Подложка 7 равномерно перемещаетс  в направлении, перпендикул рном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, на рассто ние , определ емое длиной образующей изготавливаемой линзы. Про- экспонированный таким образом слой фоторезиста подвергают химической обработке.Using the parameters of a cylindrical diffractive lens made on an EBM, a binary amplitude circular zone plate is calculated, all dimensions of which are increased by a factor of K, where K is the multiplicity of the lens used, and made it, for example, on a soft metal film on a quartz substrate . Next, using a diaphragm 5, a 2 G2GL width symmetric about the diameter is distinguished. The radiation from a source 1 (for example, a mercury lamp) that passes through a spectral optical filter 2 is concentrated by a capacitor 3 on the band of the photomask 4 selected by a diaphragm 5, the image of which is formed by an objective 6 on a positive layer photoresist deposited on the substrate 7. The substrate 7 is uniformly moved in the direction perpendicular to the axis of symmetry of the selected strip of the photomask, for a distance determined by the length of the forming fabrication ivaemoy lenses. The photoresist layer exposed in this manner is chemically treated.

Пример. Получают образцы дифракционных цилиндрических линз со световым отверстием 5, мм и фокусным рассто нием 30 мм на сло х негативного фоторезиста. Дифракционна  эффективность изготовленных линз составл ет 60-75%. Фотошаблон изготовлен в виде зонной пластины диаметром 52 мм со скважностью штриExample. Samples of diffractive cylindrical lenses with a light hole of 5 mm and a focal length of 30 mm on the layers of negative photoresist are obtained. The diffraction efficiency of the manufactured lenses is 60-75%. The photomask is made in the form of a zone plate with a diameter of 52 mm with a stroke ratio

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Способ изготовления дифракционных цилиндрических линз, заключающийся в том, что рассчитывают и формируют фотошаблон в виде круговой амплитудной бинарной зонной пластины, выделяют симметричную относительно диаметра полосу фотошаблона, форми- лосы фотошаблона на резиста, нанесенного ку, и экспонируют та слое фотона подложслой фоторезис , перемещая подложку в направлении, перпендикулярном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, с последующей химической обработкой слоя, отличаю щ и й с я тем, что, с целью повышения дифракционной эффективности изготавливаемых линз, ширину выделенной полосы фотошаблона выбирают равной 2 V 2fλ , где f фокусное расстояние фотошаблона, ή - рабочая длина волны излученияA method of manufacturing diffractive cylindrical lenses, which consists in calculating and forming a photomask in the form of a circular amplitude binary zone plate, isolating the photomask band symmetrical with respect to the diameter, the photomask formolos on the resist deposited by ku, and exposing that layer of the photon with a substrate photoresis By moving the substrate in the direction perpendicular to the axis of symmetry of the selected strip of the photomask, followed by chemical processing of the layer, the difference is that, in order to increase the diffraction efficiency of the manufactured lenses, the width of the selected band of the photomask is chosen equal to 2 V 2fλ, where f is focal distance of the photomask, ή - working radiation wavelength
SU884482266A 1988-07-01 1988-07-01 Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses SU1569788A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884482266A SU1569788A1 (en) 1988-07-01 1988-07-01 Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884482266A SU1569788A1 (en) 1988-07-01 1988-07-01 Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1569788A1 true SU1569788A1 (en) 1990-06-07

Family

ID=21399087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884482266A SU1569788A1 (en) 1988-07-01 1988-07-01 Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1569788A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0678768A2 (en) * 1994-04-22 1995-10-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus and microdevice manufacturing method
US7623244B2 (en) 2004-08-17 2009-11-24 Giesecke & Devrient Gmbh Apparatus for examining documents

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Автометри , 1485, № 6, с. 12. Голограммные оптические элементы и их применение в промышленности: Тезисы докладов всесоюзного семинара.- Л., 1987, с. 50 и 51. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0678768A2 (en) * 1994-04-22 1995-10-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus and microdevice manufacturing method
US7623244B2 (en) 2004-08-17 2009-11-24 Giesecke & Devrient Gmbh Apparatus for examining documents

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI434144B (en) Exposure method and apparatus, and component manufacturing method
JPH04136854A (en) Photomask and production thereof, formation of pattern by using this method and photomask blank
US3547546A (en) Multiple image forming device
CN101283453A (en) Solid imaging device and production method thereof
JPH0562877A (en) Optical system for lsi manufacturing contraction projection aligner by light
US5170293A (en) Exposure mechanism
SU1569788A1 (en) Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses
JPH06186412A (en) Formation of fine pattern
JPH097937A (en) Exposure device and exposure method by using that device
US6803154B1 (en) Two-dimensional phase element and method of manufacturing the same
JP3008744B2 (en) Projection exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same
US5432588A (en) Semiconductor device and method of making the semiconductor device
JPH06148861A (en) Photomask and its production
EP0499944A1 (en) Method for forming a sloped surface having a predetermined slope
JP2848425B2 (en) Light exposure method
US5252434A (en) Method for forming a sloped surface having a predetermined slope
JPH0527413A (en) Photomask for exposing device
JPH118179A (en) Pattern forming method
JPH06140307A (en) Optical exposure method
KR0123853B1 (en) Photo-lithography and fabrication method of mask
JP2001004818A (en) Diffraction optics and manufacture thereof
JPH02248949A (en) Photomask
JPS6144627A (en) Preparation of fresnel microlens
KR20050110166A (en) Semiconductor apparatus for projection exposure
JPH0329901A (en) Manufacture of grating