SU1569788A1 - Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses - Google Patents
Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses Download PDFInfo
- Publication number
- SU1569788A1 SU1569788A1 SU884482266A SU4482266A SU1569788A1 SU 1569788 A1 SU1569788 A1 SU 1569788A1 SU 884482266 A SU884482266 A SU 884482266A SU 4482266 A SU4482266 A SU 4482266A SU 1569788 A1 SU1569788 A1 SU 1569788A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- photomask
- strip
- substrate
- layer
- cylindrical lenses
- Prior art date
Links
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области оптического приборостроени , а именно к технологии изготовлени фокусирующих и корригирующих дифракционных оптических элементов. Цель изобретени - повышение дифракционной эффективности. Дл этого рассчитывают и формируют фотошаблон в виде круговой амплитудной бинарной зонной пластины 4, выдел ют посредством диафрагмы 5 симметричную относительно диаметра полосу фотошаблона, формируют с помощью объектива 6 изображение выделенной полосы фотошаблона на слое фоторезиста, нанесенного на подложку 7, и экспонируют слой фоторезиста, перемеща подложку 7 в направлении, перпендикул рном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, с последующей химической обработкой сло . При этом ширину выделенной полосы фотошаблона выбирают равной 2√2Fλ, где F - фокусное рассто ние фотошаблонаThe invention relates to the field of optical instrumentation, in particular, to the technology of producing focusing and correcting diffractive optical elements. The purpose of the invention is to increase the diffraction efficiency. For this, the photomask in the form of a circular amplitude binary zone plate 4 is calculated, the strip of the photomask is symmetric about the diameter by means of the diaphragm 5, the image of the selected strip of the photomask on the photoresist layer deposited on the substrate 7 is formed with the aid of lens 6, and the photoresist layer is exposed, moving substrate 7 in the direction perpendicular to the axis of symmetry of the selected photomask strip, followed by chemical treatment of the layer. In this case, the width of the selected strip of the photomask is chosen equal to 2√2Fλ, where F is the focal length of the photomask
λ - рабоча длина волны излучени дл изготавливаемых линз. 2 ил.λ is the working wavelength of radiation for manufactured lenses. 2 Il.
Description
Изобретение относитс k оптическому приборостроению, в частности к технологии изготовлени фокусирующих и корригирующих дифракционных оптических элементов.The invention relates to optical instrumentation, in particular, to the technology for producing focusing and correcting diffractive optical elements.
Целью изобретени вл етс повышение дифракционной эфективности дифракционных цилиндрических линз путем формировани несимметричного профил их зон.The aim of the invention is to increase the diffraction efficiency of diffractive cylindrical lenses by forming an asymmetric profile of their zones.
На фиг. 1 представлена оптическа Схема устройства дл реализации Предлагаемого способа; на фиг. 2 - фрагмент выделенной полосы фотогааб- Лона, распределение величины экспозиции Е(х) в пределах каждой зоны изготавливаемой линзы и профиль h(x) поверхности дифракционной линзы, изготовленной на слое позитивного фо- торезиста.FIG. 1 shows an optical device diagram for implementing the proposed method; in fig. 2 - a fragment of a dedicated photogaben strip, the distribution of the exposure value E (x) within each zone of the lens produced and the profile h (x) of the surface of the diffractive lens made on the layer of positive photoresist.
Способ заключаетс в том, что на ЭВМ рассчитывают по параметрам изготавливаемой дифракционной цилиндрической линзы фотошаблон и форми- руют его в виде круговой амплитудной бинарной зонной пластины, выдел ют симметричную относительно ее диаметра полосу, формируют с помощью объектива изображение выделен- ной части фотошаблона на слое фоторезиста , нанесенного на подложку, и экспонируют слой фоторезиста, перемеща подложку в направлении, перпендикул рном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, на величину , равную образующей изготавливаемой линзы, с последующей химической обработкой сло фоторезиста. При этом ширину выделенной полосы фотошаблона выбирают равной 2 У 2f A ,, где f - фокусное рассто ние фотошаб лона, Л - рабоча длина водны излучени дл изготавливаемых линз.The method consists in that a computer calculates a photo mask according to the parameters of a diffraction cylindrical lens produced and forms it as a circular amplitude binary zone plate, isolates the band symmetric with respect to its diameter, forms an image of a selected part of a photo mask on a photoresist layer using an objective lens deposited on the substrate, and expose a layer of photoresist, moving the substrate in the direction perpendicular to the axis of symmetry of the selected band of the photomask, by an amount equal to forming from the prepared lens, with the subsequent chemical processing of a layer of photoresist. In this case, the width of the selected strip of the photomask is chosen to be 2 V 2f A ,, where f is the focal distance of the photomask, L is the working length of the water radiation for the lenses being manufactured.
Установленна из приведенного услови ширина выдел емой полосы фотошаблона обеспечивает распределение величины экспозиции в пределах каждой зоны по несимметричному заксгну, поскольку величина экспозиции в каждой точке на оси, перпендикул рной направлению движени фоторезиста , пр мо пропорциональна длине отрезков, образующихс при гересечении пр мых, параллельных направлению движени фоторезиста, с пропускающими зонами фотошаблона. Несимметричность закона распределени величины экспозиции приводитThe width of the selected photomask strip, established from the above condition, ensures that the exposure value within each zone is distributed over the asymmetrical gauge, since the exposure value at each point on the axis perpendicular to the photoresist's direction of movement is directly proportional to the length of the segments formed when the track is straight, parallel to the direction photoresist movements, with the passable zones of the photomask. The asymmetry of the law of exposure
5 0 50
5 Q 5 Q
5 five
5five
00
5five
00
после обработки фоторезиста к образованию несимметричного профил зон, близкого к идеальному. В зависимости от типа дифракционной цилиндрической линзы (фокусирующа или рассеивающа ) примен ют позитивный либо негативный фоторезист соответственно.after processing the photoresist to the formation of an asymmetrical profile of the zones close to ideal. Depending on the type of diffractive cylindrical lens (focusing or diffusing), a positive or negative photoresist is used, respectively.
Устройство дл реализации способа содержит источник 1 излучени , спектральный светофильтр 2, конденсатор 3, фотошаблон 4, диафрагму 5, выдел ющую полосу фотошаблона, объектив 6 и подложку 7 с нанесенным слоем фоторезиста, установленную с возможностью перемещени в плоскости установки в направлении, перпендикул рном оси симметрии выделенной «полосы фотошаблона.A device for implementing the method comprises a radiation source 1, a spectral light filter 2, a capacitor 3, a photomask 4, a diaphragm 5, a separating strip of the photomask, a lens 6 and a substrate 7 coated with a photoresist layer mounted for movement in an installation plane in a direction perpendicular to the axis symmetry of the selected “photomask strip”.
Способ осуществл ют следующим образом.The method is carried out as follows.
По параметрам изготавливаемой цилиндрической дифракционной линзы на ЭБМ рассчитывают бинарную амплитудную круговую зонную пластину, все размеры которой увеличивают в К раз, где К - кратность примен емого объектива, и изготавливают ее, например, на делительной машине на пленке м гкого металла, нанесенного на кварцевую подложку. Далее с помощью диафрагмы 5 выдел ют симметричную относительно диаметра полосу шириной 2 Г2ГЛ, Излучение источника 1 (например, ртутной лампы), прошедшее через спектральный светофильтр 2, концентрируетс конденсатором 3 на выделенной диафрагмой 5 полосе фотошаблона 4, изображение которой формируетс объективом 6 на слое позитивного фоторезиста, нанесенном на подложку 7. Подложка 7 равномерно перемещаетс в направлении, перпендикул рном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, на рассто ние , определ емое длиной образующей изготавливаемой линзы. Про- экспонированный таким образом слой фоторезиста подвергают химической обработке.Using the parameters of a cylindrical diffractive lens made on an EBM, a binary amplitude circular zone plate is calculated, all dimensions of which are increased by a factor of K, where K is the multiplicity of the lens used, and made it, for example, on a soft metal film on a quartz substrate . Next, using a diaphragm 5, a 2 G2GL width symmetric about the diameter is distinguished. The radiation from a source 1 (for example, a mercury lamp) that passes through a spectral optical filter 2 is concentrated by a capacitor 3 on the band of the photomask 4 selected by a diaphragm 5, the image of which is formed by an objective 6 on a positive layer photoresist deposited on the substrate 7. The substrate 7 is uniformly moved in the direction perpendicular to the axis of symmetry of the selected strip of the photomask, for a distance determined by the length of the forming fabrication ivaemoy lenses. The photoresist layer exposed in this manner is chemically treated.
Пример. Получают образцы дифракционных цилиндрических линз со световым отверстием 5, мм и фокусным рассто нием 30 мм на сло х негативного фоторезиста. Дифракционна эффективность изготовленных линз составл ет 60-75%. Фотошаблон изготовлен в виде зонной пластины диаметром 52 мм со скважностью штриExample. Samples of diffractive cylindrical lenses with a light hole of 5 mm and a focal length of 30 mm on the layers of negative photoresist are obtained. The diffraction efficiency of the manufactured lenses is 60-75%. The photomask is made in the form of a zone plate with a diameter of 52 mm with a stroke ratio
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884482266A SU1569788A1 (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884482266A SU1569788A1 (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1569788A1 true SU1569788A1 (en) | 1990-06-07 |
Family
ID=21399087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884482266A SU1569788A1 (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1569788A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0678768A2 (en) * | 1994-04-22 | 1995-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and microdevice manufacturing method |
US7623244B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-11-24 | Giesecke & Devrient Gmbh | Apparatus for examining documents |
-
1988
- 1988-07-01 SU SU884482266A patent/SU1569788A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Автометри , 1485, № 6, с. 12. Голограммные оптические элементы и их применение в промышленности: Тезисы докладов всесоюзного семинара.- Л., 1987, с. 50 и 51. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0678768A2 (en) * | 1994-04-22 | 1995-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and microdevice manufacturing method |
US7623244B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-11-24 | Giesecke & Devrient Gmbh | Apparatus for examining documents |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI434144B (en) | Exposure method and apparatus, and component manufacturing method | |
JPH04136854A (en) | Photomask and production thereof, formation of pattern by using this method and photomask blank | |
US3547546A (en) | Multiple image forming device | |
CN101283453A (en) | Solid imaging device and production method thereof | |
JPH0562877A (en) | Optical system for lsi manufacturing contraction projection aligner by light | |
US5170293A (en) | Exposure mechanism | |
SU1569788A1 (en) | Method of manufacturing diffraction cylindrical lenses | |
JPH06186412A (en) | Formation of fine pattern | |
JPH097937A (en) | Exposure device and exposure method by using that device | |
US6803154B1 (en) | Two-dimensional phase element and method of manufacturing the same | |
JP3008744B2 (en) | Projection exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same | |
US5432588A (en) | Semiconductor device and method of making the semiconductor device | |
JPH06148861A (en) | Photomask and its production | |
EP0499944A1 (en) | Method for forming a sloped surface having a predetermined slope | |
JP2848425B2 (en) | Light exposure method | |
US5252434A (en) | Method for forming a sloped surface having a predetermined slope | |
JPH0527413A (en) | Photomask for exposing device | |
JPH118179A (en) | Pattern forming method | |
JPH06140307A (en) | Optical exposure method | |
KR0123853B1 (en) | Photo-lithography and fabrication method of mask | |
JP2001004818A (en) | Diffraction optics and manufacture thereof | |
JPH02248949A (en) | Photomask | |
JPS6144627A (en) | Preparation of fresnel microlens | |
KR20050110166A (en) | Semiconductor apparatus for projection exposure | |
JPH0329901A (en) | Manufacture of grating |