SU1549917A1 - Method of purifying silicon dioxide - Google Patents
Method of purifying silicon dioxide Download PDFInfo
- Publication number
- SU1549917A1 SU1549917A1 SU884414996A SU4414996A SU1549917A1 SU 1549917 A1 SU1549917 A1 SU 1549917A1 SU 884414996 A SU884414996 A SU 884414996A SU 4414996 A SU4414996 A SU 4414996A SU 1549917 A1 SU1549917 A1 SU 1549917A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- reactor
- silica
- flow rate
- product
- quartz
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к способам очистки диоксида кремни , примен емого дл производства кварцевых или оптических стекол, и позвол ет повысить чистоту продукта за счет снижени содержани гидроксильных групп и углерода в продукте, а также снизить энергозатраты. В кварцевый вращающийс реактор загружают диоксид кремни и нагревают до 120-250°С. Затем через реактор пропускают трифторид хлора. После окончани продувки CLF3 через реактор пропускают сухой аргон. Диоксид кремни в сухом боксе собирают и анализируют. Эксперименты провод т в проточном реакторе на порошкообразных образцах массой 50 г. Врем пропускани реагента над диоксидом кремни марки OC4 составл ет 3 мин при скорости потока 3 г/мин. При обработке SIO2, полученного из тетраэтоксисилана, скорость потока 0,5 г/мин при том же времени. 1 табл.The invention relates to methods for purifying silica used for the production of quartz or optical glasses, and it allows to increase the purity of the product by reducing the content of hydroxyl groups and carbon in the product, as well as to reduce energy costs. Silica is charged to a quartz rotating reactor and heated to 120-250 ° C. Then chlorine trifluoride is passed through the reactor. After CLF 3 purging is complete, dry argon is passed through the reactor. The silica in the dry box is collected and analyzed. The experiments were carried out in a flow reactor on powder samples weighing 50 g. The passing time of the reagent over OC4 silica was 3 minutes at a flow rate of 3 g / min. When processing SIO 2 obtained from tetraethoxysilane, the flow rate is 0.5 g / min at the same time. 1 tab.
Description
Изобретение относитс к способам очистки диоксида кремни , примен емого дл производства кварцевых или оптических стекол.This invention relates to methods for purifying silica used for the production of quartz or optical glasses.
Целью изобретени вл етс повышение чистоты продукта за счет снижени содержани гидроксильных групп и углерода в продукте, а также снижение энергозатрат.The aim of the invention is to increase the purity of the product by reducing the content of hydroxyl groups and carbon in the product, as well as reducing energy consumption.
Пример 1. Во вращающийс конической кварцевый реактор засыпают 50 г диоксида кремни марки ОСЧ. Содержание гидроксильных групп в образце 1,2 мас.%. Реактор нагревают до 220 С в течение 3 мин. При скорости 3 г/мин через реактор продувают C1F3. После окончани подачи ClF5 реактор охлаждают в токе сухого аргона. ВыходExample 1. In a rotating conical quartz reactor, 50 g of silica of the OFS brand are poured. The content of hydroxyl groups in the sample is 1.2 wt.%. The reactor is heated to 220 ° C. for 3 minutes. At a speed of 3 g / min, C1F3 is flushed through the reactor. After the end of the supply of ClF5, the reactor is cooled in a stream of dry argon. Output
SiO 99,3%. Содержание гидроксильных групп после обработки 2-10 мас.%. Углерод отсутствует.SiO 99.3%. The content of hydroxyl groups after processing 2-10 wt.%. Carbon is missing.
П р и м е р 2. Эксперимент провод т аналогично примеру 1, только используют диоксид кремни , полученный гидролизом тетраэтоксисилана. Температура реактора 120°С, скорость потока реагента 0,5 г/мин. Выход диоксида кремни 99,85%. Содержание гидроксильных групп после обработки 5-10 мас.%. Углерод отсутствует.EXAMPLE 2: The experiment was carried out analogously to Example 1, only using silica obtained by hydrolysis of tetraethoxysilane. The reactor temperature is 120 ° C, the reagent flow rate is 0.5 g / min. The output of silicon dioxide 99,85%. The content of hydroxyl groups after treatment is 5-10 wt.%. Carbon is missing.
Результаты остальных опытов и данные прототипа представлены в таблице.The results of the remaining experiments and the data of the prototype are presented in the table.
Таким образом, предложенный способ позвол ет повысить чистоту продукта по углероду и воде и снизить энергозатраты .Thus, the proposed method makes it possible to increase the purity of the product with respect to carbon and water and reduce energy consumption.
спcn
4ь СО СО4 CO CO
3154991731549917
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884414996A SU1549917A1 (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Method of purifying silicon dioxide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884414996A SU1549917A1 (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Method of purifying silicon dioxide |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1549917A1 true SU1549917A1 (en) | 1990-03-15 |
Family
ID=21370635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884414996A SU1549917A1 (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Method of purifying silicon dioxide |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1549917A1 (en) |
-
1988
- 1988-04-25 SU SU884414996A patent/SU1549917A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Okuraki Susumu, Kurosaki Akito. J.Fluor Ghem, 1987, v.35, tf 1, p. 92. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO982849D0 (en) | Separation of medium high boiling fractions from a mixture of low, medium and high boiling fractions | |
GB1429427A (en) | Method of cleaning waste gases containing a fluorine component | |
SU957758A3 (en) | Process for producing silicon dioxide | |
DE3562611D1 (en) | Method of making microspheres from glass | |
DE3778820D1 (en) | METHOD FOR REFINING SILICUM AND ITS PURIFIED SILICUM. | |
JPS6090847A (en) | Reduction of hydroxyl group content from light conductive tube | |
ATE47583T1 (en) | METHOD OF TREATMENT OF GASES. | |
SU1549917A1 (en) | Method of purifying silicon dioxide | |
IN160952B (en) | ||
GB1046273A (en) | Process for the treatment of waste gases | |
ATE18753T1 (en) | PROCESS FOR PURIFYING SULFURIC ACID AS A WASTE PRODUCT IN BORONTRIFLUORIDE SYNTHESIS. | |
SU1432001A1 (en) | Method of producing pure gaseous fluorine | |
GB1497018A (en) | Aqueous stream treatment in chlorinated hydrocarbon production | |
SE8206917L (en) | PROCEDURE FOR THE NUCLEAR SILICONE CONTAINING Sulfur Dioxide Containing Gases | |
SU688427A1 (en) | Method of regeneration od spent sulfuric acid | |
JPS57135735A (en) | Preparation of germanium dioxide-antimony trioxide glass | |
Ingle et al. | Silicon Purification Process | |
SU1655899A1 (en) | Method for purifying hydrogen chloride | |
SU709570A1 (en) | Method of glass purification | |
JP2581612B2 (en) | Method for producing doped silica particles | |
ATE2061T1 (en) | METHOD AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF SODIUM BICARBONATE CRYSTALS. | |
SU806608A1 (en) | Method of cryolite production | |
Zorya et al. | Method of high-purity silica production from hexafluorosilicic acid | |
RU2137227C1 (en) | Method for boron recovery from boron carbide | |
SU981230A1 (en) | Process for producing vanadium tetrachloride |