SU1549917A1 - Method of purifying silicon dioxide - Google Patents

Method of purifying silicon dioxide Download PDF

Info

Publication number
SU1549917A1
SU1549917A1 SU884414996A SU4414996A SU1549917A1 SU 1549917 A1 SU1549917 A1 SU 1549917A1 SU 884414996 A SU884414996 A SU 884414996A SU 4414996 A SU4414996 A SU 4414996A SU 1549917 A1 SU1549917 A1 SU 1549917A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
reactor
silica
flow rate
product
quartz
Prior art date
Application number
SU884414996A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Борис Матвеевич Жигарновский
Валерий Филиппович Суховерхов
Георгий Павлович Панасюк
Владислав Борисович Лазарев
Владимир Валентинович Кириленко
Аркадий Товиевич Фалькенгоф
Владислав Юрьевич Коженков
Original Assignee
Институт Общей И Неорганической Химии Им.Н.С.Курнакова Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Общей И Неорганической Химии Им.Н.С.Курнакова Ан Ссср filed Critical Институт Общей И Неорганической Химии Им.Н.С.Курнакова Ан Ссср
Priority to SU884414996A priority Critical patent/SU1549917A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1549917A1 publication Critical patent/SU1549917A1/en

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к способам очистки диоксида кремни , примен емого дл  производства кварцевых или оптических стекол, и позвол ет повысить чистоту продукта за счет снижени  содержани  гидроксильных групп и углерода в продукте, а также снизить энергозатраты. В кварцевый вращающийс  реактор загружают диоксид кремни  и нагревают до 120-250°С. Затем через реактор пропускают трифторид хлора. После окончани  продувки CLF3 через реактор пропускают сухой аргон. Диоксид кремни  в сухом боксе собирают и анализируют. Эксперименты провод т в проточном реакторе на порошкообразных образцах массой 50 г. Врем  пропускани  реагента над диоксидом кремни  марки OC4 составл ет 3 мин при скорости потока 3 г/мин. При обработке SIO2, полученного из тетраэтоксисилана, скорость потока 0,5 г/мин при том же времени. 1 табл.The invention relates to methods for purifying silica used for the production of quartz or optical glasses, and it allows to increase the purity of the product by reducing the content of hydroxyl groups and carbon in the product, as well as to reduce energy costs. Silica is charged to a quartz rotating reactor and heated to 120-250 ° C. Then chlorine trifluoride is passed through the reactor. After CLF 3 purging is complete, dry argon is passed through the reactor. The silica in the dry box is collected and analyzed. The experiments were carried out in a flow reactor on powder samples weighing 50 g. The passing time of the reagent over OC4 silica was 3 minutes at a flow rate of 3 g / min. When processing SIO 2 obtained from tetraethoxysilane, the flow rate is 0.5 g / min at the same time. 1 tab.

Description

Изобретение относитс  к способам очистки диоксида кремни , примен емого дл  производства кварцевых или оптических стекол.This invention relates to methods for purifying silica used for the production of quartz or optical glasses.

Целью изобретени   вл етс  повышение чистоты продукта за счет снижени  содержани  гидроксильных групп и углерода в продукте, а также снижение энергозатрат.The aim of the invention is to increase the purity of the product by reducing the content of hydroxyl groups and carbon in the product, as well as reducing energy consumption.

Пример 1. Во вращающийс  конической кварцевый реактор засыпают 50 г диоксида кремни  марки ОСЧ. Содержание гидроксильных групп в образце 1,2 мас.%. Реактор нагревают до 220 С в течение 3 мин. При скорости 3 г/мин через реактор продувают C1F3. После окончани  подачи ClF5 реактор охлаждают в токе сухого аргона. ВыходExample 1. In a rotating conical quartz reactor, 50 g of silica of the OFS brand are poured. The content of hydroxyl groups in the sample is 1.2 wt.%. The reactor is heated to 220 ° C. for 3 minutes. At a speed of 3 g / min, C1F3 is flushed through the reactor. After the end of the supply of ClF5, the reactor is cooled in a stream of dry argon. Output

SiO 99,3%. Содержание гидроксильных групп после обработки 2-10 мас.%. Углерод отсутствует.SiO 99.3%. The content of hydroxyl groups after processing 2-10 wt.%. Carbon is missing.

П р и м е р 2. Эксперимент провод т аналогично примеру 1, только используют диоксид кремни , полученный гидролизом тетраэтоксисилана. Температура реактора 120°С, скорость потока реагента 0,5 г/мин. Выход диоксида кремни  99,85%. Содержание гидроксильных групп после обработки 5-10 мас.%. Углерод отсутствует.EXAMPLE 2: The experiment was carried out analogously to Example 1, only using silica obtained by hydrolysis of tetraethoxysilane. The reactor temperature is 120 ° C, the reagent flow rate is 0.5 g / min. The output of silicon dioxide 99,85%. The content of hydroxyl groups after treatment is 5-10 wt.%. Carbon is missing.

Результаты остальных опытов и данные прототипа представлены в таблице.The results of the remaining experiments and the data of the prototype are presented in the table.

Таким образом, предложенный способ позвол ет повысить чистоту продукта по углероду и воде и снизить энергозатраты .Thus, the proposed method makes it possible to increase the purity of the product with respect to carbon and water and reduce energy consumption.

спcn

4ь СО СО4 CO CO

3154991731549917

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Способ очистки диоксида кремни , включающий нагревание его в токе газообразного фторсодержащего реагента, отличающийс  тем, что, с целью повышени  чистоты продукта заA method for purifying silicon dioxide, including heating it in a current of gaseous fluorine-containing reagent, characterized in that, in order to increase the purity of the product, счет снижени  содержани  гидроксиль- ных групп и углерода в нем, а также снижени  энергозатрат, в качестве фторсодержащего реагента используют трифторид хлора, а процесс ведут при 120 - 250°С.by reducing the content of hydroxyl groups and carbon in it, as well as reducing energy consumption, chlorofluoride trifluoride is used as a fluorine-containing reagent, and the process is carried out at 120-250 ° C. Предлагаемый способThe proposed method Скорость пропускани  газового реагента 3 г/мин, врем  3 мин. Скорость пропускани  газового реагента 0,5 г/мин, врем  3 мин.The flow rate of the gas reagent 3 g / min, time 3 min. The flow rate of the gas reagent 0.5 g / min, time 3 min.
SU884414996A 1988-04-25 1988-04-25 Method of purifying silicon dioxide SU1549917A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884414996A SU1549917A1 (en) 1988-04-25 1988-04-25 Method of purifying silicon dioxide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884414996A SU1549917A1 (en) 1988-04-25 1988-04-25 Method of purifying silicon dioxide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1549917A1 true SU1549917A1 (en) 1990-03-15

Family

ID=21370635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884414996A SU1549917A1 (en) 1988-04-25 1988-04-25 Method of purifying silicon dioxide

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1549917A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Okuraki Susumu, Kurosaki Akito. J.Fluor Ghem, 1987, v.35, tf 1, p. 92. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO982849D0 (en) Separation of medium high boiling fractions from a mixture of low, medium and high boiling fractions
GB1429427A (en) Method of cleaning waste gases containing a fluorine component
SU957758A3 (en) Process for producing silicon dioxide
DE3562611D1 (en) Method of making microspheres from glass
DE3778820D1 (en) METHOD FOR REFINING SILICUM AND ITS PURIFIED SILICUM.
JPS6090847A (en) Reduction of hydroxyl group content from light conductive tube
ATE47583T1 (en) METHOD OF TREATMENT OF GASES.
SU1549917A1 (en) Method of purifying silicon dioxide
IN160952B (en)
GB1046273A (en) Process for the treatment of waste gases
ATE18753T1 (en) PROCESS FOR PURIFYING SULFURIC ACID AS A WASTE PRODUCT IN BORONTRIFLUORIDE SYNTHESIS.
SU1432001A1 (en) Method of producing pure gaseous fluorine
GB1497018A (en) Aqueous stream treatment in chlorinated hydrocarbon production
SE8206917L (en) PROCEDURE FOR THE NUCLEAR SILICONE CONTAINING Sulfur Dioxide Containing Gases
SU688427A1 (en) Method of regeneration od spent sulfuric acid
JPS57135735A (en) Preparation of germanium dioxide-antimony trioxide glass
Ingle et al. Silicon Purification Process
SU1655899A1 (en) Method for purifying hydrogen chloride
SU709570A1 (en) Method of glass purification
JP2581612B2 (en) Method for producing doped silica particles
ATE2061T1 (en) METHOD AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF SODIUM BICARBONATE CRYSTALS.
SU806608A1 (en) Method of cryolite production
Zorya et al. Method of high-purity silica production from hexafluorosilicic acid
RU2137227C1 (en) Method for boron recovery from boron carbide
SU981230A1 (en) Process for producing vanadium tetrachloride