SU1538160A1 - Method of producing relief graphic gel-like information medium - Google Patents
Method of producing relief graphic gel-like information medium Download PDFInfo
- Publication number
- SU1538160A1 SU1538160A1 SU874181981A SU4181981A SU1538160A1 SU 1538160 A1 SU1538160 A1 SU 1538160A1 SU 874181981 A SU874181981 A SU 874181981A SU 4181981 A SU4181981 A SU 4181981A SU 1538160 A1 SU1538160 A1 SU 1538160A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- gel
- electrically conductive
- carrier
- solution
- transparent electrically
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к способу изготовлени рельефографического гелеобразного носител и позвол ет повысить качество носител . Дл формировани рельефографического гелеобразного носител после нанесени раствора на электропровод щее покрытие его привод т в соприкосновение с эталонной жесткой плоской поверхностью с напыленным прозрачным электропровод щим слоем. Дл увеличени угла смачивани раствора к эталонной поверхности ее предварительно обрабатывают составом, например перфтортрибутиламином. 1 з.п. ф-лы.The present invention relates to a method for producing a relief gel carrier and allows for improving the quality of the carrier. To form a relief-gel carrier, after applying the solution to an electrically conductive coating, it is brought into contact with a reference rigid flat surface with a deposited transparent electrically conductive layer. To increase the wetting angle of the solution to the reference surface, it is pretreated with a composition, for example, perfluorotributylamine. 1 hp f-ly.
Description
Изобретение относитс к способам получени рабочего сло носител записи и может найти применение в области отображени и записи информации.The invention relates to methods for producing a working layer of a recording medium and may find application in the field of displaying and recording information.
Цепью изобретени вл етс -повыте- иие качества носител путем повьппе- ни плоскостности его рабочей поверхности .The chain of the invention is to improve the quality of the carrier by increasing the flatness of its working surface.
Предлагаемый способ осуществл етс следующим образом.The proposed method is carried out as follows.
Исходные очищенные компоненты реакции вулканизации в соотношении, мае.2: полиорганосилоксановый каучук 8-46, полиметилсилоксановый (ПМС) растворитель 50-90, тетраэтоксисилан 1,5-8, диэтилдикаприлат олова 0,5-1, смешивают до получени однородного раствора не менее 20 мин. Полученный раствор нанос т методом свободного полива на прозрачную электропровод щую подложку, на которой формируют гелео(5рачный слой носител информацииThe initial purified components of the vulcanization reaction in a ratio, May.2: polyorganosiloxane rubber 8-46, polymethylsiloxane (PMS) solvent 50-90, tetraethoxysilane 1.5-8, diethyl dicaprylate tin 0.5-1, mixed to obtain a uniform solution of at least 20 min The resulting solution is applied by the method of free irrigation on a transparent electrically conductive substrate on which a gel is formed (a gray layer of information carrier
и дополнительно накрывают эталонной жесткой плоской поверхностью с напыленной на ней окисью олова, которую предварительно обрабатывают жидким перфтортрибутиламином, испар ющимс в закрытом объеме до исчезновени видимых следов перфтортрибутиламина на окиси олова. Причем требуемую толщину гелеобразного носител (ГН) задают эталонными прокладками между прозрачной провод щей и эталонной поверхностью , котора через трое суток отдел етс от рабочей поверхности ГН механическим способом.and additionally cover with a reference rigid flat surface with tin oxide sprayed on it, which is pretreated with liquid perfluorotributylamine, evaporated in a closed volume until the visible traces of perfluorotributylamine on the tin oxide disappear. Moreover, the required thickness of the gel-like carrier (GN) is set by reference shims between the transparent conductive and reference surfaces, which after three days are mechanically separated from the working surfaces of the GN.
Требуема плоскостность поверхности ГН (отклонение не более 1 мкм) задаетс принудительным формировани- ем ее эталонной поверхностью, изготовленном из стекла с отклонением не более чем 1 мкм (например, стекло If) и обработанной следующим образом. На эталонную поверхность стекл нной подслThe required flatness of the GN surface (deviation of no more than 1 µm) is determined by the forced formation of its reference surface made of glass with a deviation of no more than 1 µm (for example, If glass) and treated as follows. On the reference surface of the glass base
соwith
0000
оabout
ложки напыл ют и вакуумг но стандартной методике слой окиси олова с сопротивлением не более чем 103 Ом/квадрат , Затем эту подложку помещают в чашку Петри эталонной поверхностью с нанесенной на нее окисью олова вверх и на пленку окиси олова из капилл рной трубки наливают жидкий нерфтор- трибутиламин, а чашку Петри после этой процедуры закрывают крышкой. В результате перфтортрибутиламин испар етс в закрытом объеме до исчезновени видимых следов на эталонной поверхности, которой затем накрывают раствор каучука, нанесенный методом свободного полива на прозрачную элек тропровод щую подложку из окиси олова . После окончани процесса отверждени (примерно трое суток) эталонную поверхность отдел ют от образовавшегос гелеобразного сло механическим способом, вставл между эталонной и провод щей поверхност ми скальпель, результаты действи которого аналогичны обычному клину. Процент выхода хороших рабочих слоев толщин I00-200 мкм представлены в таблице.spoons are sprayed and, using a standard procedure, a layer of tin oxide with a resistance of not more than 103 ohms / square. Then this substrate is placed in a Petri dish with a reference surface coated with tin oxide up and liquid nerfluorine is poured onto the tin oxide film from a capillary tube. tributylamine, and the Petri dish after this procedure, close the lid. As a result, perfluorotributylamine evaporates in a closed volume until the disappearance of visible traces on the reference surface, which is then covered with a rubber solution applied by free irrigation on a transparent electrically conducting tin oxide substrate. After the curing process has been completed (approximately three days), the reference surface is separated from the gel layer formed mechanically, by inserting a scalpel between the reference and conductive surfaces, the results of which are similar to a conventional wedge. The percentage of yield of good working layers of thicknesses I00–200 µm is presented in the table.
Из таблицы следует, что более малый процент получени годных рабочих слоев получаетс при меньшем содержании СКТИ в геле.From the table it follows that a smaller percentage of the production of suitable working layers is obtained with a lower content of SKTI in the gel.
Измерение апоскостности эталонной поверхности и поверхности П на интерферометрах IfflH-4 и ПК-452 (участки поверхности до 5 см4) подтвердили их совпадение.Measurement of the aposkosti of the reference surface and the surface P on interferometers IfflH-4 and PK-452 (surface areas up to 5 cm4) confirmed their coincidence.
5five
00
5five
00
5five
00
5five
00
Экономическую эффективность предложенного способа можно рассчитать из услови снижени управл ющих пал- р жений и увеличени плотности записи выводимой информации за счет хорошей плоскостности рабочей поверхности ГН.The economic efficiency of the proposed method can be calculated from the condition of decreasing the control pylons and increasing the recording density of the output information due to the good flatness of the working surface of the GN.
Так переменна составл юща напр / So is the variable constituent /
женности электрического пол Е, используемого дл управлени записью на гелеобразном слое, экспоненциально уменьшаетс с увеличением отношени воздушного зазора 1 между рабочей поверхностью носител и управл ющими электродами к периоду расположени управл ющих электродов rt :The electric field E used to control the recording on the gel layer decreases exponentially with an increase in the ratio of the air gap 1 between the working surface of the carrier and the control electrodes to the period of the control electrodes rt:
Е (v/l)exp(-2nl/fl),E (v / l) exp (-2nl / fl),
тогда при выборе воздушного зазора необходимо стремитьс к тому, чтобы экспоненциальный член был не менее 0,1. В противном случае потребуютс слишком большие управл ющие напр жени , при экспоненциальном члене менее 0,01 практически невозможно счи тывание записываемой информации. Таким образом обычно выбирают период записи А, близкий к соотношению (3-6)1 -А. В то же врем с учетом неравномерности пространственной амплитудно-частотной характеристики величина воздушного зазора должна быть не менее чем 5 &1, где Ы - отклонение от плоскостности рабочей поверхности ГН. Следовательно, при отклонении от плоскостности рабочей поверхности ГН на величину 20 мкм минимальный период записи информации равн етс 300 мкм (или 3,3 лин/мм), а при отклонении от плоскостности рабочей поверхности ГН на величину I мкм минимальный период записи составит 55 мкм (или 60 лин/мм). При этом максимальный воздушный зазор в первом и во втором случа х составит соответственно 100 и 3 мкм, а плотность понде- ромотор.ных сил, пропорциональна квадрату напр женности электрического пол then, when choosing an air gap, it is necessary to strive to ensure that the exponential term is at least 0.1. Otherwise, too large control voltages will be required, with an exponential term less than 0.01, it is almost impossible to read the recorded information. Thus, the recording period A is usually chosen, which is close to the ratio (3-6) 1 -A. At the same time, taking into account the non-uniformity of the spatial amplitude-frequency characteristic, the size of the air gap should be not less than 5 amp 1, where Ы is the deviation from the flatness of the LN working surface. Consequently, when the GN working surface deviates from the flatness by 20 μm, the minimum information recording period is 300 μm (or 3.3 lines / mm), and from the working GN surface deviation by I μm, the minimum recording period is 55 μm ( or 60 lin / mm). In this case, the maximum air gap in the first and in the second cases will be 100 and 3 µm, respectively, and the density of ponderomotive forces is proportional to the square of the electric field strength.
pZ(v/i)eexp(-4nl/A),pZ (v / i) eexp (-4nl / A),
где v - обозначает напр жение на управл ющих электродах, в первом случае будет в 400 раз больше, чем во втором. Таким образом улучшение плоскостности рабочей поверхности позвол ет увеличить плотность записи и уменьшить величину управл ющих напр женийwhere v - denotes the voltage on the control electrodes, in the first case it will be 400 times greater than in the second. Thus, improving the flatness of the working surface allows to increase the recording density and reduce the magnitude of the control voltages.
по крайней мере в 10 раз. Но снижение управл ющих напр жений до уровн менее 60 В позвол ет изготовл ть элект-i ройные ключи не в виде отдельных элеН ментов (транзисторов), а в виде матриц транзисторов или интегральных схем.at least 10 times. But reducing control voltages to a level of less than 60 V makes it possible to manufacture electrical switches not in the form of separate elements (transistors), but in the form of matrixes of transistors or integrated circuits.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874181981A SU1538160A1 (en) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | Method of producing relief graphic gel-like information medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874181981A SU1538160A1 (en) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | Method of producing relief graphic gel-like information medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1538160A1 true SU1538160A1 (en) | 1990-01-23 |
Family
ID=21280705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874181981A SU1538160A1 (en) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | Method of producing relief graphic gel-like information medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1538160A1 (en) |
-
1987
- 1987-01-19 SU SU874181981A patent/SU1538160A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторскоеосвидетельство СССР Я 429738, кп. G 11 В 3/68, 1972. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3889031T2 (en) | Solid state light modulator with metallized gel and metallization process. | |
DE3636220C2 (en) | Method of forming gate electrode material in an inverted thin film field effect transistor | |
DE69402553D1 (en) | VERY HIGH-CONDUCTIVITY AND VERY FINE ELECTRICAL CIRCUITS, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND ARRANGEMENTS CONTAINING THEM | |
GB2161647A (en) | Piezoelectric devices | |
DE69103192T2 (en) | Process for the production of integrated optical devices with field-assisted ion exchange. | |
US4233339A (en) | Method for making electrochromic films having improved etch resistance | |
DE69222328T2 (en) | Diamond body, flaky diamond substrate and manufacturing process | |
DE68922293D1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS. | |
SU1538160A1 (en) | Method of producing relief graphic gel-like information medium | |
FR2409660A1 (en) | PRINTED CIRCUIT SUBSTRATE WITH RESISTANT COATING | |
EP0030642A3 (en) | Lithographic printing plate and method for producing the same | |
ATE46791T1 (en) | METHOD FOR SELECTIVE FILLING OF CONTACT HOLES ETCHED IN INSULATING LAYERS WITH METALLIC CONDUCTIVE MATERIALS IN THE MANUFACTURE OF HIGHLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUITS AND A DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD. | |
DE59308761D1 (en) | Method for producing a contact hole to a doped region | |
DE2647946C3 (en) | Method of making a magnetic bubble domain array | |
US3788911A (en) | Manufacture and testing of thin film circuitry | |
US4040927A (en) | Cadmium tellurite thin films | |
JPH0428132B2 (en) | ||
ATE8312T1 (en) | PROCESS FOR MAKING A THIN FILM CAPACITOR. | |
SU443120A1 (en) | A method of making a conductive coating | |
SU577507A1 (en) | Method of preparing electrophotographic layers | |
JPS59123246A (en) | Method for forming microscopic pattern | |
JPS56140644A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
KR970023747A (en) | Manufacturing Method of Semiconductor Device Having Transparent Conductive Film | |
ATE164968T1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A PLANAR AL-CONTAINING LAYER ON A SUBSTRATE WITH HOLE STRUCTURES ON THE SURFACE | |
MD1423C2 (en) | Support for optical images and holographic information registration |