SU1530360A1 - Method of soldering parts made of aluminium or coated with a layer of aluminium without flux - Google Patents
Method of soldering parts made of aluminium or coated with a layer of aluminium without flux Download PDFInfo
- Publication number
- SU1530360A1 SU1530360A1 SU874340603A SU4340603A SU1530360A1 SU 1530360 A1 SU1530360 A1 SU 1530360A1 SU 874340603 A SU874340603 A SU 874340603A SU 4340603 A SU4340603 A SU 4340603A SU 1530360 A1 SU1530360 A1 SU 1530360A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- oxide film
- aluminum
- coated
- aluminium
- heated
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относитс к пайке алюмини и может быть использовано в радиоэлектронике при пайке кристаллов, ситаллов и других материалов, покрытых слоем алюмини . Цель изобретени - повышение качества па ных соединений путем повышени полноты удалени окисной пленки и упрощени технологии процесса удалени окисной пленки. Поверхность алюминиевой детали или детали, покрытой слоем алюмини , подвергают галлированию. На окисную пленку приклеивают эластичную ленту и производ т термообработку. Перед сборкой деталь нагревают до температуры твердожидкого состо ни припо , образовавшегос при термообработке, и удал ют ленту вместе с окисной пленкой. После этого детали собирают с обеспечением плотного соприкосновени , производ т нагрев до температуры пайки и охлаждение. Использование клейкой эластичной ленты позвол ет полностью удалить окисную пленку из зоны па ного соединени . 1 з.п. ф-лы.The invention relates to the soldering of aluminum and can be used in electronics for the soldering of crystals, cellars and other materials coated with a layer of aluminum. The purpose of the invention is to improve the quality of paired compounds by increasing the completeness of the removal of the oxide film and simplifying the technology for removing the oxide film. The surface of the aluminum part or the part coated with aluminum is subjected to galling. An elastic tape is glued onto the oxide film and heat treated. Before assembly, the part is heated to the temperature of the solid-liquid state of the solder formed during the heat treatment, and the tape is removed along with the oxide film. After that, the parts are assembled to ensure tight contact, heated to the brazing temperature and cooled. The use of adhesive elastic tape allows the oxide film to be completely removed from the solder joint. 1 hp f-ly.
Description
Изобрете1ше относитс к пайке, в частности к способам пайки алюмини , и может быть использовано в радиоэлектронике .The invention relates to soldering, in particular to methods for soldering aluminum, and can be used in radio electronics.
Цель изобретени - повьшение качества па ных соединений путем повышени полноты удалени окисной пленки и упрощени технологии процесса удалени окисной пленки.The purpose of the invention is to improve the quality of solder compounds by increasing the completeness of the removal of the oxide film and simplifying the technology for removing the oxide film.
Способ реализуют следующим образом .The method is implemented as follows.
Поверхность алюминиевой детали или детали, покрытой слоем алюмини , ;подвергают галлированию. На окисную пленку приклеивают эластичную ленту и производ т термообработку. Перед сборкой деталь нагревают до температуры твердожидкого состо ни припо , образовавшегос при термообра-- ботке, и удал ют ленту вместе с окисной пленкой. После этого детали собирают с обеспечением плотного соприкосновени , производ т нагрев до температуры пайки и охлаждение.The surface of the aluminum part or the part coated with aluminum, is subjected to galling. An elastic tape is glued onto the oxide film and heat treated. Before assembly, the part is heated to the temperature of the solid-liquid state of the solder formed during thermal processing, and the tape is removed along with the oxide film. After that, the parts are assembled to ensure tight contact, heated to the brazing temperature and cooled.
Галлий под окисную пленку может быть нанесен в количестве не более 35% от веса алюмини .Gallium under the oxide film can be applied in an amount of not more than 35% by weight of aluminum.
Использование клейкой эластичной ленты позвол ет произвести полное удаление окисной пленки весьма простым путем.The use of adhesive elastic tape allows complete removal of the oxide film in a very simple way.
Пример. Производ т пайку кремниевого кристалла на рамку, плакированную алюминием. КремниевуюExample. Solder the silicon crystal onto an aluminum-clad frame. Silicon
ьs
соwith
о соabout with
ОдOd
пластину диаметром 76 мм покрывают напьшением слоем алюмини толщиной 1-2 мкм, Галлирование алюминиевого покрыти пластины производ т путем инъекции галли под слой окисла алюмини . Дан этого на поверхность алюмини в любом месте размещают навеску галли , прокальшают иглой слой окисла, обеспечива контакт галли с алюминием.a plate with a diameter of 76 mm is coated with a layer of aluminum with a thickness of 1-2 µm. The aluminum is coated by galling the aluminum coating under a layer of aluminum oxide by gallium injection. Given this, a gallium hitch is placed on the surface of the aluminum, a layer of oxide is pierced with a needle, ensuring the contact of gallium with aluminum.
После этого провод т термообработку при 27-60°С до равномерного насыщени объема алюмини галлием по всей па ной плоскости. Далее пластину охлаждают и закрепл ют на липком слое адгезионной пленки галлированной поверхностью , скрайбируют и размалывают на отдельные кристаллы. Пленку раст - гивают до образовани зазоров между кристаллами.After that, heat treatment is carried out at 27-60 ° C until the aluminum volume is uniformly saturated with gallium throughout the entire soldering plane. Next, the plate is cooled and fixed on a sticky layer of adhesive film by a gallium-plated surface, scribed and ground into separate crystals. The film is stretched to form gaps between the crystals.
Операции закреплени пластины на адгезионной пленке (приклеивание), скрайбирование и разламывание пласти- ны выполн ют при температуре ниже 26,5°С с тем, чтобы сплав алюминий - галлий находилс в твердом состо нии.The operations of fixing the plate on the adhesive film (gluing), scribing and breaking the plate are performed at a temperature below 26.5 ° C so that the aluminum-gallium alloy is in a solid state.
Перед сборкой кристалл нагревают до температуры твердожидкого состо ни припо (выше температуры 26,5 С), снимают с адгезионной ленты. При этом окисна пленка остаетс на пейте . Кристалл прижимают к рамке, нагревают сборку до 30-50 С, выдержи- вают несколько секунд с вибрацией, поднимают температуру до 148 С и выBefore assembly, the crystal is heated to the temperature of the solid-state solder (above a temperature of 26.5 ° C) and removed from the adhesive tape. In this case, the oxide film remains on the drink. The crystal is pressed against the frame, the assembly is heated to 30–50 ° C, held for a few seconds with vibration, the temperature is raised to 148 ° C and you
держивают 20 мин. При этом образуетс качественное па ное соединение.hold for 20 minutes In this case, a high-quality solder joint is formed.
Экспериментально установлено, что превышение количества галли более чем 35 J от общего веса алюмини , участвующего в соединении, приводит к снижению механических свойств.It was established experimentally that an excess of the amount of gallium of more than 35 J of the total weight of aluminum involved in the compound leads to a decrease in mechanical properties.
Способ позвол ет легко удал ть окисные пленки с малоразмерных деталей , а также с тонких алюминиевых пленок.The method makes it easy to remove oxide films from small parts as well as from thin aluminum films.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874340603A SU1530360A1 (en) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | Method of soldering parts made of aluminium or coated with a layer of aluminium without flux |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU874340603A SU1530360A1 (en) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | Method of soldering parts made of aluminium or coated with a layer of aluminium without flux |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1530360A1 true SU1530360A1 (en) | 1989-12-23 |
Family
ID=21341135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU874340603A SU1530360A1 (en) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | Method of soldering parts made of aluminium or coated with a layer of aluminium without flux |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1530360A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110883395A (en) * | 2019-12-04 | 2020-03-17 | 哈尔滨工业大学 | Brazing method for aluminum alloy with surface activation by means of liquid gallium pre-coating |
-
1987
- 1987-11-05 SU SU874340603A patent/SU1530360A1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Патент FR № 2106804, кл. В 23 К 1/00, 1972. Смирнов Г.Н. Прогрессивные способы пайки алюм}1ни . - М.: Металлурги , 1981, с. 55-60. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110883395A (en) * | 2019-12-04 | 2020-03-17 | 哈尔滨工业大学 | Brazing method for aluminum alloy with surface activation by means of liquid gallium pre-coating |
| CN110883395B (en) * | 2019-12-04 | 2021-05-04 | 哈尔滨工业大学 | Brazing method for aluminum alloy with surface activation by means of liquid gallium pre-coating |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1078532A (en) | Diffusion bonding of crystals | |
| JPH0360582B2 (en) | ||
| US4142662A (en) | Method of bonding microelectronic chips | |
| SU1530360A1 (en) | Method of soldering parts made of aluminium or coated with a layer of aluminium without flux | |
| US3566207A (en) | Silicon-to-gold bonded structure and method of making the same | |
| CA2000838A1 (en) | Method of soldering semiconductor substrate on supporting plate | |
| US4863090A (en) | Room temperature attachment method employing a mercury-gold amalgam | |
| JPH03218645A (en) | Mounting of semiconductor device | |
| JPS62252945A (en) | Attachment and detachment of temporaty fixing means of material to be machined | |
| SU727469A1 (en) | Crystal-working method | |
| JPH02212737A (en) | Adhesion of thin piece sample | |
| RU1594815C (en) | Diffusion welding method | |
| RU1494376C (en) | Method of diffusion welding of semiconductors or metals with alkaline glasses | |
| JPH05330979A (en) | Device for liquid-phase epitaxial growth | |
| JPH04159712A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| SU1505699A1 (en) | Method of soldering semiconductor crystal | |
| SU1547984A1 (en) | Method of dip brazing | |
| JPS62101032A (en) | Working jig for semiconductor wafers | |
| JP3645700B2 (en) | Optical isolator element and manufacturing method thereof | |
| JP3291824B2 (en) | Lamination bonding method and lamination bonding apparatus | |
| JP3582913B2 (en) | Manufacturing method of optical isolator | |
| SU1706788A1 (en) | Method of soldering germanium | |
| RU1781732C (en) | Method of attachment of semiconductor crystal to body | |
| JPH0260065B2 (en) | ||
| RU96121329A (en) | METHOD OF SOLVING PRODUCTS |