RU1594815C - Diffusion welding method - Google Patents

Diffusion welding method Download PDF

Info

Publication number
RU1594815C
RU1594815C SU4663473A RU1594815C RU 1594815 C RU1594815 C RU 1594815C SU 4663473 A SU4663473 A SU 4663473A RU 1594815 C RU1594815 C RU 1594815C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
welding
parts
welded
vacuum
direct current
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.М. Косогоров
С.Э. Шлифер
Ю.А. Богданов
Original Assignee
Научно-исследовательский институт физических измерений
Московский авиационно-технологический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт физических измерений, Московский авиационно-технологический институт filed Critical Научно-исследовательский институт физических измерений
Priority to SU4663473 priority Critical patent/RU1594815C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1594815C publication Critical patent/RU1594815C/en

Links

Landscapes

  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Abstract

FIELD: diffusion welding equipment and processes. SUBSTANCE: method comprises steps of annealing an alkaline glass, being welded with a semiconductor or with a metal and placed between them, in vacuum; then arranging the material, being welded, in a welding chamber, providing in that chamber a dewatered vacuum, compressing the parts, heating them up to a temperature of welding and simultaneously passing a direct current through these parts; turning off the current upon achieving a welding temperature and performing a first isothermal curing; then passing through the parts a reverse-polarity direct current and providing a second isothermic curing; turning off the direct current, passing an alternative current through the parts and cooling them. Upon welding process formation of a layer, oversaturated by an alkaline metal, on glass surface, being welded, and etching of a joining zone are being prevented. EFFECT: enhanced quality of welded joint. 1 cl

Description

Изобретение относится к диффузионной сварке и может быть использовано в электронной, авиационной, приборостроительной и других отраслях промышленности. The invention relates to diffusion welding and can be used in electronic, aviation, instrument-making and other industries.

Целью изобретения является повышение качества соединения. The aim of the invention is to improve the quality of the connection.

Способ осуществляют следующим образом. The method is as follows.

При сварке полупроводников или металлов с расположенным между ними щелочным стеклом последнее отжигают в вакууме. Затем свариваемые металлы располагают в сварочной камере, создают в ней обезвоженный вакуум, детали сдавливают, нагревают до температуры сварки и одновременно пропускают постоянный ток. При достижении температуры сварки ток отключают и осуществляют первую изотермическую выдержку. После этого через детали вновь пропускают постоянный ток обратной полярности и осуществляют вторую изотермическую выдержку. Затем постоянный ток отключают, через детали пропускают переменный ток и охлаждают их. Благодаря предварительному отжигу стекла и последующей сварке в обезвоженном вакууме предотвращается образование на его поверхности перенасыщенного щелочным металлом слоя и растравливание зоны соединения. Последующая изотермическая выдержка при снятом постоянном токе способствует восстановлению состава стекла по всей его толщине. Этому же способствует и последующая изотермическая выдержка при постоянном токе обратной полярности с последующим охлаждением под приложением переменным током. Все это способствует повышению качества сварного соединения. When welding semiconductors or metals with an alkaline glass located between them, the latter is annealed in vacuum. Then the welded metals are placed in the welding chamber, create a dehydrated vacuum in it, the parts are squeezed, heated to the welding temperature and at the same time a direct current is passed. When the welding temperature is reached, the current is turned off and the first isothermal exposure is carried out. After that, direct current of reverse polarity is again passed through the parts and a second isothermal exposure is carried out. Then the direct current is turned off, alternating current is passed through the parts and they are cooled. Thanks to preliminary annealing of the glass and subsequent welding in a dehydrated vacuum, the formation of a layer saturated with alkali metal on its surface and the etching of the joint zone are prevented. Subsequent isothermal exposure at a removed direct current helps to restore the composition of the glass over its entire thickness. The subsequent isothermal holding at a direct current of reverse polarity, followed by cooling under application of alternating current, also contributes to this. All this helps to improve the quality of the welded joint.

П р и м е р осуществления способа. Сваривают диски из монокристаллического кремния толщиной 0,2 мм и диаметром 6,0 мм со стеклом С-35-2 толщиной 0,3 мм, располагаемым между дисками из кремния. Свариваемые поверхности дисков и стекла обрабатывают соответственно по 14 и 12 классам. Предварительно стекло отжигают при 745 К в течение 2,5 ч в вакууме 1 ˙ 10-4 мм рт.ст. Сварку осуществляют в вакуумной камере, снабженной влагопоглотителями, при разрежении 1 ˙ 10-4 мм рт.ст. На стадии нагрева к деталям прикладывают постоянный ток напряжением 400 В. При достижении температуры 745 К ток отключают и осуществляют первую изотермическую выдержку в течение 10 мин. Затем меняют полярность приложенного постоянного тока и осуществляют вторую изотермическую выдержку в течение 10 мин. После этого к деталям прикладывают постоянный ток и охлаждают их со скоростью 5 К/мин до температуры начала миграционной поляризации стекла 673 К. Затем ток отключают, детали охлаждают и извлекают из камеры.PRI me R implementation of the method. Monocrystalline silicon disks are welded with a thickness of 0.2 mm and a diameter of 6.0 mm with a 0.3 mm thick C-35-2 glass placed between silicon disks. The welded surfaces of the discs and glass are treated in classes 14 and 12, respectively. Preliminarily, the glass is annealed at 745 K for 2.5 h in a vacuum of 1 ˙ 10 -4 mm Hg. Welding is carried out in a vacuum chamber equipped with desiccants, with a vacuum of 1 ˙ 10 -4 mm Hg At the heating stage, a direct current of 400 V is applied to the parts. When the temperature reaches 745 K, the current is turned off and the first isothermal exposure is carried out for 10 minutes. Then the polarity of the applied direct current is reversed and a second isothermal exposure is carried out for 10 minutes. After that, a direct current is applied to the parts and cooled at a speed of 5 K / min to a temperature of the onset of migration polarization of glass of 673 K. Then the current is turned off, the parts are cooled and removed from the chamber.

Проведенные механические испытания показали повышение качества сварного соединения. The mechanical tests showed an increase in the quality of the welded joint.

Claims (1)

СПОСОБ ДИФФУЗИОННОЙ СВАРКИ полупроводников или металлов с расположенным между ними щелочным стеклом, при котором свариваемые материалы сдавливают, нагревают до температуры сварки, на первой стадии пропускают постоянный электрический ток, осуществляют первую изотермическую выдержку, затем меняют полярность тока и осуществляют вторую изотермическую выдержку с последующим охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения, стекло предварительно отжигают в вакууме, сварку осуществляют в обезвоженном вакууме, первую изотермическую выдержку при отключенном постоянном токе, а на стадии охлаждения через детали пропускают переменный ток. METHOD FOR DIFFUSION WELDING of semiconductors or metals with an alkaline glass located between them, in which the materials to be welded are pressed, heated to a welding temperature, a direct electric current is passed at the first stage, the first isothermal exposure is carried out, then the current polarity is changed and the second isothermal exposure is carried out, followed by cooling, characterized in that, in order to improve the quality of the connection, the glass is preliminarily annealed in vacuum, welding is carried out in a dehydrated vacuum, per th isothermal exposure at the disconnected DC and in the cooling step through the items pass alternating current.
SU4663473 1989-03-20 1989-03-20 Diffusion welding method RU1594815C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4663473 RU1594815C (en) 1989-03-20 1989-03-20 Diffusion welding method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4663473 RU1594815C (en) 1989-03-20 1989-03-20 Diffusion welding method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1594815C true RU1594815C (en) 1995-07-20

Family

ID=30441276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4663473 RU1594815C (en) 1989-03-20 1989-03-20 Diffusion welding method

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1594815C (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2491158C1 (en) * 2012-02-17 2013-08-27 Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА") Method of diffusion sealing of laminate pack of glass and monocrystal silicon
RU2796482C1 (en) * 2022-08-12 2023-05-24 Акционерное общество "Инерциальные технологии "Технокомплекса" (АО "ИТТ") Method for diffusion welding of single-crystal silicon and glass

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 1548958, кл. B 23K 20/16, 1988. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2491158C1 (en) * 2012-02-17 2013-08-27 Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ОАО АНПП "ТЕМП-АВИА") Method of diffusion sealing of laminate pack of glass and monocrystal silicon
RU2796482C1 (en) * 2022-08-12 2023-05-24 Акционерное общество "Инерциальные технологии "Технокомплекса" (АО "ИТТ") Method for diffusion welding of single-crystal silicon and glass

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5232870A (en) Method for production of bonded wafer
JP2791429B2 (en) Room-temperature bonding of silicon wafers
KR100730807B1 (en) Method of bonding two aluminum-comprising masses to one another, aluminum-comprising target/backing plate structures
TW329024B (en) Bonded wafer
JPS62254439A (en) Method of fixing electronic device on board
NO20022132D0 (en) Method and apparatus for providing a soldered connection
JP2910334B2 (en) Joining method
RU1594815C (en) Diffusion welding method
JPH07112330A (en) Manufacture of joining body for ceramics and metallic material
JP5101287B2 (en) Transfer method with processing of surfaces to be joined
US3683146A (en) Methods for assembling solid state devices
US3861978A (en) Method of joining two bodies after treatment with an inorganic colloid
JPS6445126A (en) Manufacture of gaas compound semiconductor substrate
US4624724A (en) Method of making integrated circuit silicon die composite having hot melt adhesive on its silicon base
US3923231A (en) Diffusion bonding of gold to gold
US3676289A (en) Techniques for forming seals between polyethylene and fluorocarbon polymers
JP3353366B2 (en) Die bonding method
KR940704056A (en) Layer Formation Method
JPH089108B2 (en) Joining method
SU1534094A1 (en) Method of enhancing the strength of articles of titanium alloys
JPH0468280B2 (en)
JPH08195334A (en) Method for bonding silicon substrate
SU1412914A1 (en) Method of diffusion welding of hardening hard-magnetic materials with steels
RU1494376C (en) Method of diffusion welding of semiconductors or metals with alkaline glasses
JPS63183787A (en) Solid phase joining device