SU150139A1 - Electric bipolar - Google Patents

Electric bipolar

Info

Publication number
SU150139A1
SU150139A1 SU738159A SU738159A SU150139A1 SU 150139 A1 SU150139 A1 SU 150139A1 SU 738159 A SU738159 A SU 738159A SU 738159 A SU738159 A SU 738159A SU 150139 A1 SU150139 A1 SU 150139A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistance
thermal resistance
dynamic resistance
silicon zener
voltage
Prior art date
Application number
SU738159A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
С.П. Амосова
И.Ф. Клисторин
В.Н. Охотская
В.Н. Охотска
Original Assignee
С.П. Амосова
И.Ф. Клисторин
В.Н. Охотска
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by С.П. Амосова, И.Ф. Клисторин, В.Н. Охотска filed Critical С.П. Амосова
Priority to SU738159A priority Critical patent/SU150139A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU150139A1 publication Critical patent/SU150139A1/en

Links

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Description

Большое распространение кремниевых стабилитронов в качестве нелинейных сопротивлений в параметрических стабилизаторах напр жени  и опорных элементов компенсационных стабилизаторов напр жени  определ етс  р дом их достоинств.The large distribution of silicon Zener diodes as nonlinear resistances in parametric voltage stabilizers and supporting elements of compensation voltage regulators is determined by a number of their advantages.

Однако значительный температурный коэффициент напр жени  (ТКН) кремниевых стабилитронов, составл ющий от +0,05 до +0,09% на 1°, ухудшает качество параметрических стабилизаторов и опорных элементов компенсационных .стабилизаторов.However, a significant temperature coefficient of voltage (TKN) of silicon zener diodes, ranging from +0.05 to + 0.09% by 1 °, degrades the quality of parametric stabilizers and supporting elements of compensatory stabilizers.

Известные методы температурной ком пенсации позвол ют получить достаточно малую температурную зависимость стабилизированного напр жени . Но всем этим методам присуши недостатки, среди которых одним нз основных  вл етс  увеличение динамического сопротивлени  стабилизируюшей цепи, состо щей из последовательно соединенных кремниевого стабилитрона и компенсирующего элемента, в качестве которого может .быть использовано полупроводниковое термосопротивление.The known methods of temperature compensation make it possible to obtain a rather small temperature dependence of the stabilized voltage. But all these methods have disadvantages, among which one of the most basic is to increase the dynamic resistance of the stabilizing circuit, consisting of a series-connected silicon Zener diode and a compensating element, which can be used as a semiconductor thermal resistance.

С целью снижени  динамического сопротивлени  электрического двухполюсника, содержащего последовательно включенные кремниевый стабилитрон и полупроводниковое термосопротивление, предлагаетс  в качестве .последнего использовать термосопротивление, работающее в режиме больших нагрузок, т. е. на падающем участке вольтамперной характеристики, имеющем отрицательное динамическое сопротивление .In order to reduce the dynamic resistance of an electric two-pole device containing successively connected silicon Zener diode and semiconductor thermal resistance, it is proposed to use thermal resistance, operating under high loads, i.e., in the falling portion of the current-voltage characteristic, which has a negative dynamic resistance.

На чертеже показана электрическа  схема такого двухполюсника, состо щего из кремниевого стабилитрона Д и полупроводникового термосопротивлепи  ПТС, выбранного, в соответствии с изобретением, так, чтобы его работа происходила на падающем участке вольтамперной характеристики, имеющем отрицательное динамическое сопротивление .The drawing shows an electrical circuit of such a two-pole device consisting of a silicon Zener diode D and a semiconductor thermal resistor PTS, selected in accordance with the invention, so that its operation takes place in the falling portion of the current-voltage characteristic having a negative dynamic resistance.

№ 150139- 2 Предмет изобретени No. 150139- 2 The subject invention

Claims (2)

1.Электрический .. двухполюсник, содержащий последовательно включенные кремниевый стабилитрон и полупроводниковое термосопротивление , отличающийс  тем, что, с целью снижени  его динамического сопротивлени , параметры указанного термосопротивлени  выбраны такими, чтобы его работа происходила на падающем участке вольтамперной характеристики, имеющем отрицательное динамическое сопротивление.1. An electrical .. two-pole device comprising successively connected silicon Zener diode and semiconductor thermal resistance, characterized in that, in order to reduce its dynamic resistance, the parameters of said thermal resistance are chosen so that its operation takes place in a falling portion of the current-voltage characteristic having a negative dynamic resistance. 2.Применение двухполюсника по п. 1 в качестве стабилизирующего элемента в параметрическом стабилизаторе напр жени .2. The use of a two-port device as claimed in claim 1 as a stabilizing element in a parametric voltage regulator. г/ахg / ah д d onon /7 ГС/ 7 HS
SU738159A 1961-07-14 1961-07-14 Electric bipolar SU150139A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU738159A SU150139A1 (en) 1961-07-14 1961-07-14 Electric bipolar

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU738159A SU150139A1 (en) 1961-07-14 1961-07-14 Electric bipolar

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU150139A1 true SU150139A1 (en) 1961-11-30

Family

ID=48305138

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU738159A SU150139A1 (en) 1961-07-14 1961-07-14 Electric bipolar

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU150139A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU150139A1 (en) Electric bipolar
US3079556A (en) Expanded scale electrical indicating instrument
GB818237A (en) Improvements relating to temperature compensated voltage regulators
US2937963A (en) Temperature compensating zener diode construction
SU917179A1 (en) Dc voltage stabilizer
SU477404A1 (en) Reference Voltage Source
JPS58158724A (en) Reference voltage generating circuit
SU122558A1 (en) Electric heater
SU111255A1 (en) DC Voltage Regulator
SU602135A3 (en) Temperature-dependent dc voltage stabilizer
SU130575A1 (en) Device to compensate for the indications of induction wattmeter temperature
SU120856A1 (en) Parametric voltage regulator
SU150921A1 (en) Semiconductor thermal compensator
JPS5619210A (en) Wave detecting circuit
SU425313A1 (en) WAITING MULTI-VIBRATOR
SU457155A1 (en) Device for limiting the load current of a DC motor
DE1005644B (en) Temperature compensation transistor
SU144927A1 (en) Device for protecting electrical measuring instruments from overload
SU400888A1 (en) DEVICE FOR PROTECTION OF KEY VOLTAGE STABILIZER
SU670928A1 (en) Switch-type dc voltage stabilizer
SU371572A1 (en) REGULATORY ELEMENT OF THE STABILIZER
SU123579A1 (en) Compensation voltage regulator
SU1003047A1 (en) Dc source
GB1187270A (en) Improvements relating to Temperature Control in Electrical Power-Supply Units
SU435512A1 (en) DC CONSTANT VOLTAGE STABILIZER