Силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой четырехслойной p-n-p-n-структуры, содержащий основную и вспомогательную структуры и разветвленный управляющий электрод основной структуры, при этом край эмиттера основной структуры зашунтирован по внутреннему периметру посредством дискретных поперечных шунтов базовых областей, отличающийся тем, что, с целью снижения перегрузки вспомогательной структуры и улучшения динамических параметров включения за счет снижения тока управления основной структуры, под управляющий электрод основной структуры введены выступающие из-под него дополнительные участки одноименного с эмиттером типа проводимости, отделенные от эмиттера и друг от друга базовыми областями так, что базовые области, разделяющие дополнительные участки, расположены на линии между двумя соседними поперечными шунтами, при этом количество и геометрические размеры разделительных полос и поперечных шунтов связаны следующим соотношением:при L - a>D,при I, I- токи управления основной структуры с дополнительными участками и без них соответственно;N- количество поперечных шунтов вдоль внутреннего периметра основного эмиттера;N - количество разделительных базовых областей между дополнительными участками;L - расстояние между поперечными шунтами;D - ширина поперечного шунта;l - расстояние от катодной металлизации до внутреннего края основного эмиттера;h - ширина разделительных базовых областей между основным эмиттером и дополнительными участками;a - ширина разделительных базовых полос между дополнительными участками.A power semiconductor device made on the basis of a silicon four-layer pnpn structure containing the main and auxiliary structures and a branched control electrode of the main structure, while the emitter edge of the main structure is bridged along the inner perimeter by means of discrete transverse shunts of the base areas, characterized in that, in order to reduce overload of the auxiliary structure and improvement of the dynamic switching parameters by reducing the control current of the main structure, under the control the electrode of the main structure is introduced protruding from it additional areas of the same type with the emitter of conductivity type, separated from the emitter and from each other by base areas so that the base areas separating the additional areas are located on the line between two adjacent transverse shunts, while the number and geometric the dimensions of the dividing strips and transverse shunts are related by the following relationship: with L - a> D, with I, I, the control currents of the main structure with and without additional sections, respectively; the quality of transverse shunts along the inner perimeter of the main emitter; N is the number of dividing base areas between additional areas; L is the distance between transverse shunts; D is the width of the transverse shunt; l is the distance from cathodic metallization to the inner edge of the main emitter; h is the width of dividing basic areas between the main emitter and additional areas, a is the width of the separation base bands between the additional areas.