SU1464116A1 - Способ изготовлени высокочастотного отражающего призменного блока - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к оптическому приборостроению, в частности к технологии изготовлени  высокоточных отражающих призменных блоков, обеспечивающих работу в режиме световозвращател  в широком температурном диапазоне термостабйльности и при высокой прочности при вибровоздействи х. На первом этапе способа из алюмолитиево- го ситалла изготавливают путем шлифовани  и полировани  составные элементы блока в виде двух идентичных правильных усеченных монолитных пирамид с углом- при большем основании, равным 45. Первую пирамиду 1 .устанавливают большим основанием на базовую технологическую пластину 2 из стекла с напыленным на основе алюмини  отражающим слоем 3. На меньшее основание пирамиды 1 устанавливают меньшим основанием вторую пирамиду 4 с напыленным на плоскости меньшего основани  и боковьк гран х отражающим слоем 5 на основе алюмини . Затем взаимно ориентируют пирамиды 1 и 4 путем совмещени  блика 6 от рабочей грани пирамиды 1 и зеркально отраженного от базовой пластины 2 блика 7 от рабочей грани пирамиды 4. Все элементы фиксируют относительно друг друга, нагревают до 300 - 400 С, прикладывают отрицательный электрический потенциал 300 - 600 В к отражающему слою 3 пластины 2 и положительный потенциал к пирамиде 4, выдерживают их при этом режиме в течение 10-30 мин, а после остывани  контролируют взаимное положение граней пирамид 1,4 по совпадению бликов совмещаемых при ориентации пирамид и снимают их с пластины 2. 1 ил. ю (Л . Од

Description

Изобретение относитс  к оптическому приборостроению в частности к технологии изготовлени  высокоточных призменных блоков из оптических мате- риалов, и может быть использовано на предпри ти х оптико-механической и электронной промьшшенности.

Цель изобретени  - расширение тем - пературного диапазона термостабиль- ности и повьппение прочности при вибровоздействи х при обеспечении работы блока в режиме световозвращател  На чертеже представлена схема реализации предлагаемого способа. Способ осуществл ют следующим образом ,

На первом этапе из алюмолитиевого ситалла изготавливают путем шлифова™ ни  и полировани  составные элементы блока в виде двух идентичных правильных усеченных монолитных пирамид с- углом 45° при большем основании. Первую пирамиду 1 устанавливают большим основанием на базовую технологическую пластину 2 из стекла с напьшенным на основе алюмини  отражающим слоем 3, На меньшее основание пирамиды 1 -устанавливают меньшим .основанием BTopyio пирамиду 4 с напыленньм на плоскости меньшего основани  и боковых гран х отражающим слоем 5 на основе алюмини . Затем взаимно ориентируют nj-ipa- миды 1 и 4 путем совмещени  блика 6 от .рабочей грани пирам щы 1-.и .зер- кально отраженного от базовой пластины 2 блика 7 от рабочей грани второй пирамиды 4, Все элементы фиксируют относительно друг друга, нагревают до 300 - , прикладывают отрицательный электрический потенциал. 300 600 В к отражающему слою 3 базовой пластины 2 и поЛозкителъный потенциал к второй пирамиде 4, вьщерживают их при этом режиме в течение 10 - 30 мин а после остывани  контролируют взаимное положение граней пирамид 1 и 4 по совпадению бликов совмещаемьгх при ориентации пирамид, и снимают их с базовой пластины 2

Пример Составные элементы зеркального многогранника: базовзпо технологическую пластину 2 из стекла К8 диаметром 180 и усеченные многогранные пирамиды 1 и 4 диаметром 140 мм с центральным отверстием диаметром 80 мм из ситалла СО 115 М шлифуют ,, полируют и нанос т технологические вакуумные покрыти  3 и 5 на осно

0 5 Q

5

0

5

0

ве алюмини  на базовую пластину 2 и на плоскость соединени  и рабочие от.- ражающие грани одной из усеченных пирамид 4 о Затем на металлическую пластину 8 со штырем 9 устанавливают базовую пластину 2 отражающим слоем 3 вверх, на нее накладывают усеченную пирамиду 1 меньшим основанием вверх, сверху накладьшают усеченную пирамиду 4 отражакщим покрытием 5 вниз .так, что образовывают с  двугранные углы. Далее взаимно ориентируют положение усеченных пирамид путем совмещени  блика 6 от рабочей грани пирамиды t и зеркально отраженного от базовой пластины 2 блика 7 от рабочей грани второй пирамиды 4. Элементы сборки фиксируют в прис пособлении с помощью гайки 10, навинченной на штьфь 9 с резьбой, нагревают сборку до 300 - 400°С и подвергают воздействию электрического пол  напр жением 300 - 600 В следукнцим образом. Отрицательный электрический потенциал прикла- дьгеают к отражаюолему слою 3 базовой пластины 2, а положительный - к верхней- пирамиде 4 через фольгу 11. Выдерживают сборку под напр жением в течение 10 -.30 мин, а после остывани  замер ют взаимное положение граней аналогично первичной ориентации пирамид. Точность взаимного ориентировани  контролируют с помощью автоколлиматора 12, оптическа  ось которого перпендикул рна отражающей грани -нижней пирамиды 1. Готовые сборки подвергают термоциклированию при +60°С и длительному прогреву в тече- Hiie 200 ч при 90, 200 и 4 00°С с замером точностных параметров призм.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ изготовлени  высокоточного отражающего призменного блока, включающий шлифование и полирование его составных элементов, их взаимную ориентацию и соединение в ориентированном положении, отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона термостабильности и повышени  прочности при вибровоздействи х При обеспечении работы блока в режиме световозвр ащател , составные элементы блока изготавливают из алюмолитиевого ситалла в виде двух иден- тичных правильных усеченных монолитных пирамид с углом 45 при большем

   основании, первую пирамиду устанавливают большим основанием на базовую технологическую пластину из стекла с напыленным на основе алюмини  отражающим слоем, на меньшее основание .первой пирамиды устанавливают меньшим основанием вторую пирамиду с на- пьтенным на плоскости меньшего основани  и боковых гран х отражающим слоем на основе алюмини , взаимную ориентацию пирамид осуществл ют путем совмещени  блика от рабочей грани первой пирамиды и зеркально отражен

   бочей грани второй пирамиды, все элементы фиксируют относительно друг друга, нагревают до 300 - , прикладывают отрицательный электрический потенциал 300 - 600 В к отражающему слою базовой пластины и положительный потенциал к второй пирамиде, ввдержи- вают их при этом режиме в течение 10 - 30 мин, а после остывани  контролируют взаимное положение граней пирамид по совпадению бликов, совме- шаемых при ориентации пирамид, и- снимают их с базовой пласти

   ного от базовой пластины блика от ра- 15 ны.