SU1420559A1

SU1420559A1 - Устройство дл измерени магнитных полей

Info

Publication number: SU1420559A1
Application number: SU864101507A
Authority: SU
Inventors: Сергей Павлович Оробинский; Михаил Витальевич Быстров; Валерий Анатольевич Григорьев
Original assignee: Предприятие П/Я М-5619
Priority date: 1986-05-22
Filing date: 1986-05-22
Publication date: 1988-08-30

Abstract

Изобретение относитс к магнитным измерени м, основанным на регистрации смещени доменных стенок в чувствительном элементе при введении его в исследуемое поле. Устройство дл измерени магнитных полей содержит источник 1 света, пол ризатор 2, магнитоодноосную прозрачную пленку 3 с доменной структурой, анализатор 5, фотоприемник 6, непрозрачную маску 4 в виде негативного отпечатка полосовой доменной структуры магнитоодноосной пленки , блок 7 усилени и индикации и катушку 8 пол смещени . Устройство позвол ет измерить также и составл ющую магнитного пол , лежащую в плоскости, параллельной плоскости магнитоодноосной пленки. 1 ил.

Description

(Л

с

V3

.

ю

о

СП

сл

со

Изобретение относитс к магнитным измерени м , а именно к способам измерени магнитного пол , основанным на регистрации смещени доменных стенок (ДС) в чувствительном элементе при введении его в исследуемое поле.

Цель изобретени - расширение функциональных возможностей путем измерени также и составл ющей магнитного пол , лежащей в плоскости, параллельной плоскости магнитоодноосной пленки.

На чертеже изображена принципиальна схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит источник 1 света, пол ризатор 2, феррит-гранатовую планку 3 с полосовой доменной структурой, маску 4, анализатор 5, фотоприемник 6, блок 7 усилени и индикации и катушки 8 пол смещени .

Работа устройства осуществл етс следующим образом.

Выбирают источ.ник 1 света (лазер, све- тодиод), имеющий длину волны в области окна прозрачности и достаточно высокой магнитооптической добротности кристаллов ферритов-гранатов (0,5-5 мкм). Контактным или любым другим методом в пол ризованном свете изготавливают маску 4 (например , на фотопленке типа микрат), представл ющую собой негативный отпечаток доменной структуры выбранной эпитаксиаль- ной феррит-гранатовой пленки 3. Пленку с наложенной на нее маской помещают между пол ризатором 2 и анализатором 5 перпендикул рно падающему потоку излучени , прошедшую часть которого регистрируют с помощью фотоприемника 6. Выходной сигнал последнего поступает на блок 7 усилени и

0

индикации. Дл получени стабильной полосовой доменной структуры во врем изготовлени маски и последующих измерений к феррит-гранатовой пленке можно приложить посто нное смещающее магнитное поле под небольшим углом (1-5°) к ее плоскости . Тогда измер емое поле приводит не только к повороту доменной структуры, но и к изменению ее периода, что также регистрируют с помощью указанной схемы. Необходима дл измерений полосова доменна структура в пленке реализуетс , когда одноосна перпендикул рна анизотропи превалирует над кубической, или при наличии наклона оси легкого намагничивани , или в присутствии пол смещени Ном. В последнем случае регулировани Нем можно варьировать чувствительность способа.

Claims

Формула изобретени

Устройство дл измерени магнитных полей , содержащее оптически последовательно расположенные источник света, пол ризатор, магнитоодноосную прозрачную пленку с доменной структурой, анализатор, фотоприемник , соединенный со схемой индикации, отличающеес тем, что, с целью расширени функциональных возможностей за счет измерени составл ющей магнитного пол , лежащей в плоскости, параллельной плоскости магнитоодноосной пленки, и повышени чувствительности устройства, в него дополнительно введена непрозрачна маска, выполненна в виде негативного отпечатка полосовой доменной структуры магнитоодноосной пленки и расположенна между пленкой и анализатором.