Изобретение относитс к устройству дл нолучени монокристаллов полупроводниковых материалов. Известные устройства дл выращивани кристаллов полупроводниковых материалов по способу Чохральокого не позвол ют получать кристаллы с равномерным распределением примесей в объеме кристалла. Объ сн етс это тем, что смотровые щели в тепловых экранах печи создают асимметрию теплового пол в пространстве нагревател на зеркале расплава, а центральное отверстие в экранах дл ввода затравки и подъема растущего кристалла на,рушает радиальный градиент на зеркале расплава. Кроме того, по мере роста и вывода кристалла из пространства, окруженного экранами, он попадает в более холодное пространство печи, что создает термические напр жени в кристалле, особенно в кристаллах с диаметром меньше 20 мм.This invention relates to a device for obtaining single crystals of semiconductor materials. The known devices for growing crystals of semiconductor materials by the Chochral method do not allow obtaining crystals with a uniform distribution of impurities in the bulk of the crystal. This is explained by the fact that the viewing gaps in the heat shields of the furnace create asymmetry of the thermal field in the heater space on the melt mirror, and the central hole in the screens to enter the seed and lift the growing crystal to, destroys the radial gradient on the melt mirror. In addition, as the crystal grows and leaves the space surrounded by screens, it enters the cooler space of the furnace, which creates thermal stresses in the crystal, especially in crystals with a diameter of less than 20 mm.
Описываемое устройство не имеет указанных недостатков вследствие того, что на niTOKe дл выт гивани монокристаллов вмонтирован враи1ающийс экран, выполненный в виде воронки с вырезами. На чертеже изобрал ено предлагаемое устройство, общий вид. Устройство состоит из тигл /, обогреваемого нагревательным элементом 2, по периферии которого установлены экраны 3 и 4. На штоке 5 дл выт гивани кристаллов при помощи закрепл ющей гайки 6 помещен вращающийс верхний воронкообразный экран 7 с расположенными в нем иа равном рассто нии друг от друга как в конусообразной, так и в цилиндрической част х вырезами 8. В нижней части щтока при помощи патрона креп т затравку 9. Тепловые экраны 3 и 4, окружающие нагреватель 2, могут быть выполнены конусообразной формы, подобной конусной части вращающегос верхнего экрана. При наблюдении за ходом технологического процесса сбоку вырезы в экране могут быть выполнены только в цилиндрической его части. Вырезы щириной 3-3,5 мм при скорости вращени экрана 50-60 об/мин обеспечивают хорощее наблюдение в зоне роста кристалла.The described device does not have the indicated drawbacks due to the fact that a rotating screen made in the form of a funnel with cutouts is built into the niTOKe to draw single crystals. The drawing shows the proposed device, a general view. The device consists of a crucible / heated by a heating element 2, on the periphery of which screens 3 and 4 are installed. A rotating upper funnel screen 7 with located in it and equal to the distance from each other is placed on the rod 5 to pull out the crystals with a fixing nut 6 both in the cone-shaped and in the cylindrical parts by notches 8. In the lower part of the stem, with the help of a cartridge, a seed 9 is attached. The heat shields 3 and 4 surrounding the heater 2 can be made cone-shaped, similar to the cone part state top screen. When observing the progress of the process from the side, the cuts in the screen can only be made in its cylindrical part. Cutouts with a width of 3-3.5 mm with a screen rotation speed of 50-60 rpm provide excellent observation in the crystal growth zone.
; . ЧТ р е д м е т; . Fr r d eme
УстройстводЛ приучени монокристаллов, например, германи ло способу Чохральского; выполненное в виде экранированного тигл с нагревательным элементом и штоком дл выт гивани монокристаллов, от л и ч а1рЩё ёс ,тем, что, с целью получени более однородных по своему составу кристаллов, на штоке дл выт гивани монокристаллов монтирован экран, выполненный в виде воронки с вырезами.A device for teaching single crystals, for example, germanium by the Czochralski method; made in the form of a shielded crucible with a heating element and a rod for pulling single crystals, from the hinge, because, in order to obtain crystals of a more uniform composition, a screen in the form of a funnel with a crystal is mounted on the rod for pulling single crystals cutouts.
изобретени the invention