SU1414238A1 - Полупроводниковый прибор - Google Patents

Полупроводниковый прибор

Info

Publication number
SU1414238A1
SU1414238A1 SU4073386/25A SU4073386A SU1414238A1 SU 1414238 A1 SU1414238 A1 SU 1414238A1 SU 4073386/25 A SU4073386/25 A SU 4073386/25A SU 4073386 A SU4073386 A SU 4073386A SU 1414238 A1 SU1414238 A1 SU 1414238A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
semiconductor
junctions
functions
longitudinal grooves
digital
Prior art date
Application number
SU4073386/25A
Other languages
English (en)
Inventor
А.Ф. Монахов
Original Assignee
А.Ф. Монахов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by А.Ф. Монахов filed Critical А.Ф. Монахов
Priority to SU4073386/25A priority Critical patent/SU1414238A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1414238A1 publication Critical patent/SU1414238A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к конструированию полупроводниковых приборов. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей и повышение степени интеграции. Изобретение позволяет сократить число схемных элементов в полупроводниковых преобразователях путем объединения функций дискретных полупроводниковых приборов в одном приборе, содержащем полупроводниковую структуру (ПС) в виде полого цилиндра с коаксиально расположенными p-n-переходами. На поверхности ПС выполнены продольные канавки, пересекающие p-n-переходы и делящие ПС на отдельные секции. Каждая секция выполняет функции дискретного прибора, а прибор в целом - функции группы дискретных приборов, имеющих общую точку в электрической цепи. Для гальванической развязки входной и выходной частей прибора на ПС выполнена кольцевая канавка, пересекающая p-n-переходы. ЭДС в выходной части ПС наводится через общую для обеих частей полупроводниковую область в результате изменения положения границ области пространственного заряда во входной части. Для обеспечения заданных рабочих напряжений углы со стороны базовой области между поверхностью стенок канавок и поверхностью высоковольтных p-n-переходов выполнены острыми. Для продольных канавок это условие обеспечивается при параллельных стенках. 5 з.п. ф-лы, 11 ил.
SU4073386/25A 1986-04-16 1986-04-16 Полупроводниковый прибор SU1414238A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4073386/25A SU1414238A1 (ru) 1986-04-16 1986-04-16 Полупроводниковый прибор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4073386/25A SU1414238A1 (ru) 1986-04-16 1986-04-16 Полупроводниковый прибор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1414238A1 true SU1414238A1 (ru) 1997-06-10

Family

ID=60534076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4073386/25A SU1414238A1 (ru) 1986-04-16 1986-04-16 Полупроводниковый прибор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1414238A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002031884A1 (fr) * 2000-10-11 2002-04-18 Lev Vasilievich Kozhitov Dispositifs semi-conducteurs non plans possedant une region fermee de charge spatiale
WO2002052653A1 (fr) * 2000-12-25 2002-07-04 Lev Vasilievich Kozhitov Dispositifs semi-conducteurs non planaires munis d'une couche active close cylindrique

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002031884A1 (fr) * 2000-10-11 2002-04-18 Lev Vasilievich Kozhitov Dispositifs semi-conducteurs non plans possedant une region fermee de charge spatiale
WO2002052653A1 (fr) * 2000-12-25 2002-07-04 Lev Vasilievich Kozhitov Dispositifs semi-conducteurs non planaires munis d'une couche active close cylindrique

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3884058D1 (de) Hochspannungshalbleiter mit integrierter Niederspannungsschaltung.
DE58905355D1 (de) Abschaltbares Leistungshalbleiterbauelement.
IT1217194B (it) Mosfet di alta potenza e circuito integrato di controllo per lo stesso,per arrlicazioni nella commutazione lato alta tensione
EP0272898A3 (en) Ac solid state switch
DE3485831D1 (de) Integrierte leistungshalbleiterschaltanordnungen mit igt- und mosfet-strukturen.
DK259187A (da) Analogisk elektrisk omskifter med foretrukne retninger
NL154369B (nl) Elektrische hoogspanningsschakelaar met twee in serie geschakelde schakeltrajecten.
JPS5284987A (en) Voltage dividing circuit
TR22966A (tr) Kombine edilmis halde yueksek gerilim akim ve ve gerilim transformatoerue
KR860003660A (ko) 높은 스위칭 속도와 래치업(latchup)효과를 받지 아니하는 상보형 반도체 장치
DE3576764D1 (de) Halbleitervorrichtungen fuer hohe spannungen.
DE3786373D1 (de) Tri-state schaltregler fuer hin- und hergehende linearmotoren.
SU1414238A1 (ru) Полупроводниковый прибор
MX158084A (es) Conmutador de carga de semiconductores con tiristor
AT385612B (de) Spannungswandleranordnung mit trennkontakten
IT1182559B (it) Transistore bipolare di potenza utilizzabile in commutazione
JPS54119653A (en) Constant voltage generating circuit
DE3370250D1 (en) High voltage semiconductor devices with reduced on-resistance
DK172086D0 (da) Under belastning aabnende hoejspaendingsdrejeafbryder
SU641606A2 (ru) Устройство дл регулировани посто нного напр жени
JPS53120288A (en) Constant voltage semiconductor device
KR880007082U (ko) 출력 전압에 따라 절환되는 안정화 전원회로
IT8748300A0 (it) Disposizione circuitale generatrice di tensione
JPS5361044A (en) Circuit for supplying reference voltage
IT8783618A0 (it) Ricircolo della corrente di un carico induttivo attraverso lo stesso dispositivo di potenza di pilotaggio.