SU1370769A1 - Transistor gate - Google Patents

Transistor gate Download PDF

Info

Publication number
SU1370769A1
SU1370769A1 SU864129126A SU4129126A SU1370769A1 SU 1370769 A1 SU1370769 A1 SU 1370769A1 SU 864129126 A SU864129126 A SU 864129126A SU 4129126 A SU4129126 A SU 4129126A SU 1370769 A1 SU1370769 A1 SU 1370769A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
control
resistor
source
power
Prior art date
Application number
SU864129126A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Илья Витальевич Блинов
Сергей Геннадьевич Маклагин
Original Assignee
Горьковский политехнический институт им.А.А.Жданова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Горьковский политехнический институт им.А.А.Жданова filed Critical Горьковский политехнический институт им.А.А.Жданова
Priority to SU864129126A priority Critical patent/SU1370769A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1370769A1 publication Critical patent/SU1370769A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в качестве ключевого элемента в cилoвьtx преобразовател х частоты и в источниках вторичного электропитани . Цель изобретени  - повышение надежности транзисторного ключа - достигаетс  за счет его упрощени . Транзисторный ключ содержит управл ющие транзисторы 1 и 2 разного типа проводимости, силовой транзистор 3, проводимость которого соответствует проводимости первого управл ющего транзистора, три резистора 4-6, входную шину 8, первую 9 и вторую 10 шины питани , первую 11 и вторую 12 выходные шины. Дополнительно в транзисторный ключ введен стабилитрон 7, который шунтируетс  база-эмиттерным переходом транзистора 3. При этом весь ток, проход щий через резистор 5, проходит через резистор 6 и базу транзистора 3 Это обеспечивает надежное открытие транзистора 3 и поддерживание его в режиме насьщ;ени . Надежность транзисторного ключа выше, чем у прототипа, и дл  его управлени  необходим только один источник управл ющего напр жени . I ил. О)The invention relates to a pulse technique and can be used as a key element in power frequency converters and in secondary power sources. The purpose of the invention — improving the reliability of a transistor switch — is achieved by simplifying it. The transistor switch has control transistors 1 and 2 of different types of conductivity, a power transistor 3, the conductivity of which corresponds to the conductivity of the first control transistor, three resistors 4-6, the input bus 8, the first 9 and the second 10 power buses, the first 11 and the second 12 output tires. Additionally, a zener diode 7 is inserted into the transistor switch, which is shunted by the base-emitter junction of transistor 3. All current passing through resistor 5 passes through resistor 6 and base of transistor 3. This ensures reliable opening of transistor 3 and maintaining it in real time. . The reliability of the transistor switch is higher than that of the prototype, and only one source of control voltage is needed to control it. I il. ABOUT)

Description

1one

уat

САЭ о SAE about

ОдOd

;о;about

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в качестве ключевого элемента в силовых рреобразовател х частоты и в ис- g точниках вторичного электропитани .The invention relates to a pulse technique and can be used as a key element in power frequency converters and in sources of secondary power supply.

Цель изобретени  - повьппение надежности транзисторного ключа за счет упрощени .The purpose of the invention is to increase the reliability of a transistor switch by simplifying.

На чертеже представлена схема 10 транзисторного ключа.The drawing shows a circuit 10 of the transistor key.

Транзисторный ключ содержит первый и второй управл ющие транзисторы 1 и 2 разного типа проводимости, силовой транзистор 3, проводимость кото- If рого соответствует проводимости первого управл ющего транзистора 1, три резистора 4-6 и стабилитрон 7, базы первого и второго управл ющих транзисторов 1 и 2 объединены и через первый резистор 4 подключены к входной шине 8, коллектор управл ющего транзистора 1 соединен с первой шиной 9 питани , а эмиттер - с эмиттером управл ющего транзистора 2, коллектор которого подключен к второй шине 10 питани , коллектор силового транзистора 3 соединен с первой выходной шиной 11, а база - с первым вьшодом второго резистора 5 и одним 30 выводом третьего резистора 6, тугой вывод которого подключен к эмиттеру силового транзистора 3, один вывод стабилитрона 7 соединен с второй шиной 10 питани , а другой - с базой 35 силового транзистора 3, эмиттер которого подключен к второй выходной шине 12 и к эмиттерам первого и второго управл ющих транзисторов 1 и 2, второй вывод второго резистора 5 соеди- 40 нен с первой шиной 9 питани .The transistor switch contains the first and second control transistors 1 and 2 of different types of conductivity, the power transistor 3, the conductivity of which corresponds to the conductivity of the first control transistor 1, three resistors 4-6 and the zener diode 7, the bases of the first and second control transistors 1 and 2 are connected and connected via the first resistor 4 to the input bus 8, the collector of the control transistor 1 is connected to the first power supply bus 9, and the emitter is connected to the emitter of the control transistor 2 whose collector is connected to the second power bus 10, call the power transistor 3 is connected to the first output bus 11, and the base is connected to the first output of the second resistor 5 and one 30 output of the third resistor 6, the hard output of which is connected to the emitter of the power transistor 3, one output of the Zener diode 7 is connected to the second power supply bus 10, and the other is connected to the base 35 of the power transistor 3, the emitter of which is connected to the second output bus 12 and to the emitters of the first and second control transistors 1 and 2, the second terminal of the second resistor 5 is connected to the first power bus 9.

Транзисторный ключ работает следующим образом.Transistor key works as follows.

ника Е мрр , а также по цепи: положительный полюс источника управл ющего напр жени  Е „р , коллектор-эмиттер транзистора 1, резистор 6, стабилитрон 7, отрицательный полюс источника Е unp . Между базой и эмиттером транзистора 3 создаетс  отрицательное запирающее напр жение, равное падению напр жени  на резисторе .6.Nickname E mrr, as well as along the circuit: the positive pole of the source of the control voltage E „p, the collector-emitter of transistor 1, the resistor 6, the zener diode 7, the negative pole of the source E unp. A negative blocking voltage is created between the base and the emitter of the transistor 3, equal to the voltage drop across the resistor.

2020

2525

и,ао Силовойand, ao Power

- Е - UCT- E - UCT

транзистор 3 закрываетс . Открывание транзистора 3 происходит при подаче нулевого управл ющего напр жени  на базы транзисторов 1 и 2 относительно минуса источника управл ющего напр жени  Е апр . При этом транзистор 1 закрываетс  и открываетс  транзистор 2. Эмиттер силового транзистора 3 через открытый транзистор 2 соедин етс  с отрицательным полюсом источника управл ющего напр жени  Е |.рр . Стабилитрон 7 шунтируетс  база-эмиттерным переходом транзистора 3, и весь ток через резистор 5 проходит через резистор 6 и базу транзистора 3, что обеспечивает надежное открывание и поддерживание транзистора 3 в насьш ении.transistor 3 is closed. The opening of the transistor 3 occurs when a zero control voltage is applied to the bases of transistors 1 and 2 relative to the minus source of the control voltage E Apr. In this case, the transistor 1 is closed and the transistor 2 is opened. The emitter of the power transistor 3 through the open transistor 2 is connected to the negative pole of the source of the control voltage E | .p. The Zener diode 7 is shunted by the base-emitter junction of the transistor 3, and all the current through the resistor 5 passes through the resistor 6 and the base of the transistor 3, which ensures reliable opening and maintaining of the transistor 3 in place.

Надежность предлагаемого ключа вьшге, чем у известных, за счет упрощени . Дл  управлени  предлагаемым транзисторным ключом необходим только один источник управл ющего напр жени  .The reliability of the proposed key is higher than that of the known ones, due to simplification. Only one source of control voltage is needed to control the proposed transistor switch.

Claims (2)

Формула изобретени Invention Formula Транзисторный ключ, содержащий первый и второй управл ющие транзисторы разного типа проводимости, силовой транзистор, проводимость кото- При подаче положительного сигнала 45 соответствует проводимости пер- на базы транзисторов 1 и 2 относитель- вого управл ющего транзистора, три но минуса источника управл ющего нарезистора , базы первого и второго управл ющих транзисторов объединены и через первый резистор подключеныA transistor switch containing the first and second control transistors of different types of conductivity, a power transistor whose conductivity When applying a positive signal 45 corresponds to the conductivity of the first base of transistors 1 and 2 of the relative control transistor, three but minus the source of the control resistor, the bases of the first and second control transistors are connected and connected through the first resistor пр жени  транзистор 1 открываетс , а транзистор 2 закрываетс , и эмиттерthe yarn transistor 1 opens, and transistor 2 closes, and the emitter ника Е мрр , а также по цепи: положительный полюс источника управл ющего напр жени  Е „р , коллектор-эмиттер транзистора 1, резистор 6, стабилитрон 7, отрицательный полюс источника Е unp . Между базой и эмиттером транзистора 3 создаетс  отрицательное запирающее напр жение, равное падению напр жени  на резисторе .6.Nickname E mrr, as well as along the circuit: the positive pole of the source of the control voltage E „p, the collector-emitter of transistor 1, the resistor 6, the zener diode 7, the negative pole of the source E unp. A negative blocking voltage is created between the base and the emitter of the transistor 3, equal to the voltage drop across the resistor. и,ао Силовойand, ao Power - Е - UCT- E - UCT транзистор 3 закрываетс . Открывание транзистора 3 происходит при подаче нулевого управл ющего напр жени  на базы транзисторов 1 и 2 относительно минуса источника управл ющего напр жени  Е апр . При этом транзистор 1 закрываетс  и открываетс  транзистор transistor 3 is closed. The opening of the transistor 3 occurs when a zero control voltage is applied to the bases of transistors 1 and 2 relative to the minus source of the control voltage E Apr. When this happens, transistor 1 closes and opens the transistor. 2. Эмиттер силового транзистора 3 через открытый транзистор 2 соедин етс  с отрицательным полюсом источника управл ющего напр жени  Е |.рр . Стабилитрон 7 шунтируетс  база-эмиттерным переходом транзистора 3, и весь ток через резистор 5 проходит через резистор 6 и базу транзистора 3, что обеспечивает надежное открывание и поддерживание транзистора 3 в насьш ении.2. The emitter of the power transistor 3 through the open transistor 2 is connected to the negative pole of the source of the control voltage E | .p. The Zener diode 7 is shunted by the base-emitter junction of the transistor 3, and all the current through the resistor 5 passes through the resistor 6 and the base of the transistor 3, which ensures reliable opening and maintaining of the transistor 3 in place. Надежность предлагаемого ключа вьшге, чем у известных, за счет упрощени . Дл  управлени  предлагаемым транзисторным ключом необходим только один источник управл ющего напр жени  .The reliability of the proposed key is higher than that of the known ones, due to simplification. Only one source of control voltage is needed to control the proposed transistor switch. Формула изобретени Invention Formula Транзисторный ключ, содержащий первый и второй управл ющие транзисторы разного типа проводимости, силовой транзистор, проводимость кото- соответствует проводимости пер- вого управл ющего транзистора, три A transistor switch containing the first and second control transistors of different conductivity types, the power transistor, the conductivity of which corresponds to the conductivity of the first control transistor, is three резистора, базы первого и второго управл ющих транзисторов объединены и через первый резистор подключеныthe resistor, the base of the first and second control transistors are combined and connected through the first resistor транзистора 3 через открытый транзис-г gQ к входной шине, коллектор первогоtransistor 3 through open trans-gQ to the input bus, the collector of the first тор 1 соедин етс  с положительным полюсом источника управл ющего напр жени  Е мрр , Напр жение на стабили-г троне 7 равно напр жению стабилизации стабилитрона U., так как через него пойдет ток от положительного полюса источника управл ющего напр жени  Е unp через резистор 5, стабилитрон 7 к отрицательному полюсу источуправл ющего транзистора соединен с первой шиной питани , а эмиттер - с эмиттером второго управл ющего транзистора , коллектор которого подклю- gg чен к второй шине питани , коллектор силового транзистора соединен с первой выходной шиной, а база - с первым выводом второго резистора и одним выводом третьего резистора, другойTorus 1 is connected to the positive pole of the control source E Mrr. The voltage on the stabilizer 7 is equal to the stabilization voltage of the Zener diode U. because current will flow from the positive pole of the control source E unp through the resistor 5 , the zener diode 7 to the negative pole of the source transistor is connected to the first power line, and the emitter is connected to the emitter of the second control transistor, the collector of which is connected to the second power line, the collector of the power transistor is connected to the first output one bus, and the base - with the first output of the second resistor and one output of the third resistor, the other 313707694313707694 вьшод которого подключен к эмиттерусилового транзистора, эмиттер которосилового транзистора, отличаю-го подключен к второй выходной шинеThe output of which is connected to an emitter strong transistor, the emitter of which the power transistor is differently connected to the second output bus щ и и с   тем, что, с целью повыше-и к эмиттерам первого и второгоu and with the fact that, with the aim of higher and to the emitters of the first and second ни  надежности, введен стабилитрон,управл ющих транзисторов, второй выодин вывод которого соединен с второйвод второго резистора соединен с першиной питани , а другой - с базойвой шиной питани .neither reliability, a zener diode, control transistors, the second vyodin output of which is connected to the second drive of the second resistor connected to the power source, and the other - with the base power bus.
SU864129126A 1986-08-18 1986-08-18 Transistor gate SU1370769A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864129126A SU1370769A1 (en) 1986-08-18 1986-08-18 Transistor gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864129126A SU1370769A1 (en) 1986-08-18 1986-08-18 Transistor gate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1370769A1 true SU1370769A1 (en) 1988-01-30

Family

ID=21260924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864129126A SU1370769A1 (en) 1986-08-18 1986-08-18 Transistor gate

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1370769A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР 1051716, кл. Н 03 К 17/60, 1983. Авторское свидетельство СССР 1182659, кл. Н 03 К 17/60, 1984. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850006783A (en) Switching circuit
KR860002904A (en) Emitter Coupled Logic (ECL) Circuit
KR910010850A (en) Current detection circuit in MOS type power transistor
SU1370769A1 (en) Transistor gate
EP0092145B1 (en) Transistor circuit
SU845285A1 (en) Transistorized switch
RU1800610C (en) Transistor switch
KR880004632A (en) Motor speed control
SU1338050A1 (en) H.v.transistor gate
SU508930A1 (en) Switch
SU1149397A1 (en) Transistorized selector switch
SU1660168A1 (en) Current reversal device
SU438109A1 (en) Key
SU1661935A1 (en) Transistor key without supplementary source of disabling voltage
SU1552357A1 (en) Monostable multivibrator
SU1173545A1 (en) Transistorized switch
JPH0382931U (en)
SU1184073A1 (en) Device for obtaining negative resistances
SU425304A1 (en) DEVICE FOR OBTAINING NEGATIVE RESISTANCES
SU1644372A1 (en) Transistorized switch
SU428554A1 (en) DIODE-TRANSISTOR KEY
SU1750046A1 (en) Transistor key with protection against current overload
JPH0154892B2 (en)
SU847502A1 (en) Two-threshold device
SU480183A1 (en) Pulse shaper