Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано дл получени отрицательйых сопротивлений . Цель изобретени - расппфение частотного диапазона. На чертеже приведена электричес ка принципиальна схема предлагае мого устройства. Устройство дл получени отрица тельных сопротивлений содержит бип л рный 1 и полевой 2 транзисторы,, первый 3, второй 4 и третий 5 резисторы . Устройство дл получени отрица тельных сопротивлений работает сле дующим образом. В исходном состо нии напр жение на входе таково, что бипол рный 1 И полевой 2 транзисторы заперты. При увеличении напр жени на входе в определенный момент времеци (ког напр жение }ia входе начинает превы шать напр жение на резисторе 4, т.е. на затворе полевого транзисто ра 2 с учетом напр жени отсечки) бипол рный 1 и полевой 2 транзисто начинают открыватьс и работают в активном режиме, По вление участка .с отрицательным сопротивлением обусловлено тем что при возрастании входного тока растет ток коллектора бипол рного транзистора 1 уменьшаетс напр жение на нем. Это ведет к снижешно напр жени на затворе полевого 1 2 транзистора 2. Учитыва , что падение напр жени на бипол рном 1 и полевом 2 транзисторах по сравнению с входным напр жением мало, можно считать, что входное напр жение близко к напр жению на затворе полевого транзистора 2. Поэтому с ростом входного тока входное напр жение падает, что приводит к по влению на входе отрицательного дифференциального сопротивлени . Это продолжаетс до тех пор пока бипол рный транзистор 1 не войдет в насьщение. При этом действие положительной обратной св зи, создаваемой резисторами 4 и 5, прекращаетс и дифференциальное сопротивление устройства становитс положительным. Канал полевого транзистора 2 при зтом полностью открытьс не может, так как потенциал на затворе выше потенциала заземленного истока. В результате этого глубокое насыщение бипол рного транзистора 1 невозможно, так как сопротивление канала включено в эмиттерную цепь бипол рного транзистора 1 . Использование таких св зей приводит к незначительному насыщению бипол рного транзистора 1 и не полному открыванию канала полевого транзистора 2, что позвол ет увеличить быстродействие этих транзисторов , а следовательно, и к увеличению диапазона работы устройства в сторону верхних частот.The invention relates to radio engineering and can be used to obtain negative resistances. The purpose of the invention is the frequency range. The drawing shows the electrical schematic diagram of the proposed device. The device for obtaining negative resistors contains bipolar 1 and field 2 transistors, the first 3, second 4 and third 5 resistors. The device for obtaining negative resistances works as follows. In the initial state, the input voltage is such that bipolar 1 and field 2 transistors are locked. With an increase in the input voltage at a certain moment, the time (when the voltage} ia input begins to exceed the voltage on resistor 4, i.e. at the gate of field-effect transistor 2 taking into account the cut-off voltage) bipolar 1 and field 2 transistor begin open and operate in active mode. The appearance of the section with negative resistance is due to the fact that as the input current rises, the collector current of bipolar transistor 1 decreases and the voltage across it decreases. This leads to a lower voltage across the gate of the field 1 2 transistor 2. Considering that the voltage drop across the bipolar 1 and field 2 transistors compared to the input voltage is small, we can assume that the input voltage is close to the voltage of the field gate transistor 2. Therefore, as the input current increases, the input voltage drops, which leads to the appearance of a negative differential resistance at the input. This continues until the bipolar transistor 1 comes into service. In this case, the action of the positive feedback created by the resistors 4 and 5 ceases and the differential resistance of the device becomes positive. The channel of the field-effect transistor 2 cannot open fully at this, since the potential at the gate is higher than the potential of the grounded source. As a result, deep saturation of the bipolar transistor 1 is impossible, since the channel resistance is included in the emitter circuit of the bipolar transistor 1. The use of such connections leads to an insignificant saturation of the bipolar transistor 1 and the incomplete opening of the channel of the field-effect transistor 2, which allows to increase the speed of these transistors and, consequently, to increase the range of operation of the device towards high frequencies.