RU2012127C1

RU2012127C1 - Emitter follower

Info

Publication number: RU2012127C1
Authority: RU
Inventors: Н.Н. Прокопенко; Н.В. Ковбасюк; А.Э. Попов; Ю.М. Соколов
Original assignee: Шахтинский Технологический Институт Бытового Обслуживания
Priority date: 1992-04-09
Filing date: 1992-04-09
Publication date: 1994-04-30

Abstract

FIELD: electrical engineering. SUBSTANCE: follower has two bipolar transistors 1 and 2, current source 4, current reflector 3 and additional field transistor 5. EFFECT: higher speed of operation in case of capacitance load. 1 dwg

Description

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в электронных схемах различного назначения. The invention relates to electrical engineering and can be used in electronic circuits for various purposes.

Цель изобретения - увеличение быстродействия устройства при работе на емкостную нагрузку. The purpose of the invention is to increase the speed of the device when operating on a capacitive load.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя. The drawing shows a circuit diagram of an emitter follower.

Устройство содержит биполярные транзисторы 1 и 2, отражатель 3 тока, источник 4 тока и полевой транзистор 5. The device contains bipolar transistors 1 and 2, a current reflector 3, a current source 4, and a field effect transistor 5.

Эмиттерный повторитель работает следующим образом. The emitter follower works as follows.

При появлении на входе схемы, например, положительного перепада транзистор 1 закрывается, транзистор 2 открывается и начинается заряд емкости нагрузки, при этом выходное напряжение не может мгновенно изменяться, тогда между затвором и истоком транзистора 5 будет открывающее напряжение, и через транзистор 5 потечет дополнительный ток, который усиливается транзистором 2 и ускоряет заряд емкости нагрузки. При увеличении напряжения на выходе эмиттерного повторителя до напряжения на входе потенциал на затворе транзистора 5 относительно истока становится меньше напряжения отсечки и транзистор 5 закроется. When a positive difference appears at the input of the circuit, for example, transistor 1 closes, transistor 2 opens and the load capacitance starts charging, while the output voltage cannot change instantly, then there will be an opening voltage between the gate and the source of transistor 5, and additional current will flow through transistor 5 , which is amplified by transistor 2 and accelerates the charge of the load capacitance. When the voltage at the output of the emitter follower increases to the input voltage, the potential at the gate of the transistor 5 relative to the source becomes lower than the cut-off voltage and the transistor 5 closes.

Скорость нарастания сигнала при положительной полуволне равна отношению тока эмиттера транзистора 2 к емкости нагрузки:
V⁽⁺⁾=

где V⁽⁺⁾ - скорость нарастания сигнала при положительной полуволне;
I_э2 - ток эмиттера транзистора 2;
С_н - емкость нагрузки.The signal slew rate at a positive half-wave is equal to the ratio of the current of the emitter of transistor 2 to the load capacitance:
V ⁽⁺⁾ =

where V ⁽⁺⁾ is the slew rate of the signal with a positive half-wave;
I _e2 is the emitter current of transistor 2;
With _n - load capacity.

Для предлагаемого устройства ток транзистора 2 равен
I₂ = (I₄ + I₅) ˙β ₂, где I₄ - ток источника 4 тока;
I₅ - ток через транзистор 5;
β₂ - коэффициент передачи тока транзистора 2.For the proposed device, the current of the transistor 2 is equal to
I ₂ = (I ₄ + I ₅ ) ˙ β ₂ , where I ₄ is the current of the current source 4;
I ₅ - current through a transistor 5;
β ₂ - current transfer coefficient of the transistor 2.

У прототипа I₂ = I₄ ˙β₂, т. е. в несколько раз меньше, чем у предлагаемого устройства.The prototype I ₂ = I ₄ ˙ β ₂ , that is, several times less than the proposed device.

Таким образом, быстродействие предложенного эмиттерного повторителя в несколько раз выше, чем у прототипа. При этом следует отметить, что токопотребление предлагаемого устройства не превышает аналогичного параметра прототипа. Thus, the speed of the proposed emitter follower is several times higher than that of the prototype. It should be noted that the current consumption of the proposed device does not exceed a similar parameter of the prototype.

Claims

EMITTER REPEATER containing the first and second bipolar transistors having a different structure, a current source and a current reflector, the input and output of which are connected respectively to the collector of the first and emitter of the second bipolar transistor, and the power output to the first power bus, the emitter of the first bipolar transistor is connected to the base of the second bipolar transistor and through the current source to the second power bus to which the collector of the second bipolar transistor is connected, while the base of the first and emitter of the second bipolar t the transistors are respectively the input and output of the emitter follower, characterized in that a field-effect transistor is introduced, the drain of which is connected to the second power bus, the source and gate are respectively the base and emitter of the second bipolar transistor.