SU1363305A1 - Bubble memory - Google Patents
Bubble memory Download PDFInfo
- Publication number
- SU1363305A1 SU1363305A1 SU864090690A SU4090690A SU1363305A1 SU 1363305 A1 SU1363305 A1 SU 1363305A1 SU 864090690 A SU864090690 A SU 864090690A SU 4090690 A SU4090690 A SU 4090690A SU 1363305 A1 SU1363305 A1 SU 1363305A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- cmd
- outputs
- inputs
- register
- magnetic domains
- Prior art date
Links
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦВД) Целью изобретени вл етс упрощение накопител . Накопитель содержит магнитоод- ноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой сформированы из токовых аппликаций каналы 3, образующие Г , ЬИ I ж I / V /bij (г Л ,/- i 2//7 «) ГЛ ГЛГ-. I /. I ill I 7/д ir 5-{k замкнутые регистры 4 хранени информации , переключатели 5 ЦМД, регистр 7 записи -;считывани ЦМД, св занный с регистрами 4 через переключатели 5, элемент ЗАПРЕТ-И 6 расположенный в регистре 7 с входами 8,9 и выходами 10 - 12, генераторы 13 и 14 ЦМД, элемент 15 сопр жени двух каналов, датчики 16 и 17 считывани ЦМД, элемент И-ИЛИ 18, расположенный в регистре 7, с входами 19 и 20 и выходами 21 и 22, при этом выходы 21 и 22 элемента И- ИЛИ соединены с входами 8,9 элемента ЗАПРЕТ-И 6,-В основе работы накопител лежит известный метод управлени продвижением ЦМД с помощью токовых аппликаций и подаваемых в плоскости магнитоодноосной пленки последователь , ностей токовых импульсов. Токовые импульсы, проход по токопровод щим сло м, образуют в них магнитные полюса , которые взаимодействуют с ЦМД и обеспечивают движение последних. .1 ИЛо I С/) 11, / V /bij 05 со 00 о елThe invention relates to computing and can be used in the construction of storage devices on cylindrical magnetic domains (CVDs). The aim of the invention is to simplify the drive. The drive contains a magneto-one-axis film 1 with CMD 2, on the surface of which channels 3 are formed from current applications, forming G, LI I and I / V / bij (rL, / - i 2 // 7 ") GLG-. I /. I ill I 7 / d ir 5- {k closed information storage registers 4, DTM switches 5, write register 7 -; CMD reads associated with registers 4 via switches 5, BAN-6 element located in register 7 with inputs 8 , 9 and outputs 10-12, CMD generators 13 and 14, interface 15 of two channels, CMD sensor readings 16 and 17, AND-OR element 18, located in register 7, with inputs 19 and 20 and outputs 21 and 22, The outputs 21 and 22 of the AND-OR element are connected to the inputs 8.9 of the BAN-AND 6 element, the basis of the accumulator operation is the well-known promotion control method m CMD with the help of current applications and a sequence of current impulses supplied in the plane of a magnetically uniaxial film. Current pulses, passage through conductive layers, form in them magnetic poles, which interact with the CMD and provide the motion of the latter. .1 ILO I C /) 11, / V / bij 05 from 00 o ate
Description
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).The invention relates to computing and can be used in the construction of storage devices on cylindrical magnetic domains (CMD).
Целью изобретени вл етс упрощение накопител оThe aim of the invention is to simplify the accumulator
На чертеже изображена блок-схема пр едложенно го накопи тел .The drawing shows a block diagram of the preserved accumulator.
Накопитель содержит магнитоодноос- ную пленку 1 с ЦЩ 2, на поверхности которой сформированы из токовых аппликаций каналы 3, образующие замкнутые регистры А хранени информации , переключатели 5 ЦМД, элемент ЗАПРЕТ-И 6, расположений в регистреThe drive contains a magnetically uniaxial film 1 with a TsShch 2, on the surface of which channels 3 are formed from current applications, forming closed information storage registers A, switches 5 CMD, element BAN-6, locations in the register
7записи-считывани ЦМД, с входами7 records-read CMD, with inputs
8и 9 и выходами 10 - 12, генераторы8 and 9 and outputs 10 - 12, generators
13и 14 ЦМД, элемент 15 сопр жени двух каналов, датчики 16 и 17 считывани ЦМД, элемент И-ИЛИ 18, расположенный в регистре 7, с входами 1913 and 14 CMD, interface 15 of two channels, sensors 16 and 17 of CMD reading, element AND-OR 18, located in register 7, with inputs 19
и 20 и выходами 21 и 22, при этом выходы 21 и 22 элемента И-ИЛИ соединены с входами 8 и 9 элемента ЗАПРЕТ-И 6„and 20 and outputs 21 and 22, while the outputs 21 and 22 of the element AND-OR are connected to the inputs 8 and 9 of the element BAN AND 6 "
В основе работа накопител лежит известный метод управлени продвизсе- нием ЦМД с помощью токовых аппликаций и подаваемых в плоскости магнито- одноосной гщенкк последовательностей токовых импульсов. Токовые импульсы, проход по токопровод щим сло м, образуют в них магнитные полюса, которые взаимодействуют с ЦМП и обеспечивают движение последних..The operation of the accumulator is based on the well-known method of controlling the proliferation of CMD with the help of current applications and current pulse sequences in the plane of the magnetically uniaxial axis. Current pulses, passage through conductive layers, form in them magnetic poles, which interact with the CMP and provide the motion of the latter ..
Накопитель .работает следующим об- разомоThe drive. Works as follows
В режиме ввода ЦМД в регистры хранени от генератора 13 через элемент 15 в регистр 7, состо щий из токовых аппликаций, поступает информационна последовательность ЦМД, После включени переключателей 5 эта последовательность записываетс в регистры 4, образованные каналами 3, в которых информаци может продвигатьс или хранитьс . В режиме считывани ЦМД из регистра 4 включаютс переключатели 5 и информаци переводитс в регистр 7, Далее включаетс генераторIn the input mode of the CMD to the storage registers from the generator 13 through the element 15 to the register 7, consisting of current applications, the information sequence of the CMD is received. After turning on the switches 5, this sequence is recorded in registers 4 formed by channels 3 in which information can be moved or stored. . In the read mode, the CMD of register 4 includes switches 5 and information is transferred to register 7, then the generator turns on
14дл записи ЩЩ на вход 20 элемента 18 На другой, вход 19 элемента14dl write SchSch on input 20 element 18 On the other, input 19 element
18 поступает считываема информационна последовательность ЦМД, С выходов 21 к 2.2 элемента 18 в данном18 enters the readable information sequence CMD, From outputs 21 to 2.2 of element 18 in this
5five
00
ГR
00
случае выход т те же информационные последовательности, которые поступили на 19 и 20. Поэтому на вход 9 элемента 6 поступает единична последовательность ЦМД, а на вход 8 элемента 6 - информационна последовательность ЦМД, С выходов 11 и 12 информаци регистров 4 считываетс парафазно датчиками 16 и 17 и остаетс на выходе 10, соединенном с регистром 7о Продвига сь по регистру 7, информаци проходит элемент 15 сопр жени каналов, попадает на входы переключателей 5 и снова переключаетс в регистры 4 оIn this case, the same information sequences were received that arrived at 19 and 20. Therefore, a single CMD sequence arrives at input 9 of element 6, and information 6 of CMD information enters input 8 of element 6, information from registers 4 is read paraphasically from sensors 11 and 12 from outputs 11 and 12, and 17 and remains at the output 10 connected to the register 7o. Moving on the register 7, the information passes the channel conjugation element 15, gets to the inputs of the switches 5 and switches back to the registers 4 o
В режиме стирани ЦМД регистров 4 после их переключени в регистр 7 ЦМД попадает на вход 19 элемента 18. В это врем генератор 14 отключают. и на входы элемента 18 поступает только информаци регистров 4. Эта информаци попадает на выходы 22 элемента 18, Тое. выводитс из регистра 5 7 проходит элемент 6, попадает на выход 11 и проходит через датчик 17,In the erase mode, the CMD registers 4 after their switching to the register 7 of the CMD are fed to the input 19 of the element 18. At this time, the generator 14 is turned off. and the inputs of element 18 receive only the information of registers 4. This information falls on the outputs 22 of element 18, Toe. Out of register 5, 7 passes element 6, enters output 11 and passes through sensor 17,
Форм у л а изобрете ни Formula inventions
0 Накопитель информации на цилиндрических магнитных доменах, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены замкнутые регистры хранени информагщи, соединенные через переключатели цилиндрических магнитных доменов с входами-выходами регистра записи-считывани , первый вход которого через элемент сопр жени соединен с выходом первого гене„ ратора цилиндрических магнитных доменов , элемент ЗАПРЕТ-И, датчики считывани и второй генератор цилиндрических магнитных доменов, отличающийс тем, что, с целью0 An information accumulator on cylindrical magnetic domains containing a magnetically uniaxial film on which information storage registers are located are connected via switches of cylindrical magnetic domains to the inputs-outputs of a write-read register, the first input of which is connected to the output of the first generator of cylindrical magnetic domains, the element BAN-I, readout sensors and a second generator of cylindrical magnetic domains, characterized in that
упрощени накопител , он содержит на магнитоодноосной пленке элемент И- ИЛИ, один вход которого подключен к выходу регистра записи-считывани , а другой вход - к выходу второго гене ратора цилиндрических магнитных доменов , выходы элемента И-ИЛИ соединены с соответствующими входами элемента ЗАПРЕТ-И, первый и второй выходы которого соединены с входами датчиков считывани цилиндрических магнитных доменов, а третий выход - с вторым входом регистра записи-считывани .simplify the accumulator, it contains an AND-OR element on a magnetically uniaxial film, one input of which is connected to the output of the write-read register, and another input to the output of the second generator of cylindrical magnetic domains, the outputs of the AND-OR element are connected to the corresponding inputs of the BANTHE AND element , the first and second outputs of which are connected to the sensor inputs of cylindrical magnetic domains, and the third output - to the second input of the register of reading and reading.
5five
00
5five
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864090690A SU1363305A1 (en) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | Bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864090690A SU1363305A1 (en) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | Bubble memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1363305A1 true SU1363305A1 (en) | 1987-12-30 |
Family
ID=21246425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864090690A SU1363305A1 (en) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | Bubble memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1363305A1 (en) |
-
1986
- 1986-05-26 SU SU864090690A patent/SU1363305A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US № 371439, кл. 340- 174, опублико 1973 о Авторское свидетельство СССР № 526017, кл. G 11 С 11/14, 1975. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB1367473A (en) | Magnetic device using cylindrical magnetic domains | |
TW415071B (en) | Semiconductor memory reading data stored in capacitors in memory cell and method for reading data from the semiconductor memory | |
KR870011693A (en) | Redundancy Circuit of Semiconductor Memory Device | |
SU1363305A1 (en) | Bubble memory | |
KR850006959A (en) | Head shifter | |
US3846624A (en) | Automatic clearing device | |
GB931481A (en) | Ferroelectric data storage system | |
SU963091A1 (en) | Storage device | |
SU1522287A1 (en) | Apparatus for reading information off bimorphous piezoceramic storage | |
SU830563A1 (en) | Device for recording and reading-out information for mos-transistor stores | |
SU481939A1 (en) | Memory device | |
SU447758A1 (en) | Long Term Storage | |
SU999105A1 (en) | 2,5 d type storage device | |
SU1307577A1 (en) | Matrix switching device | |
SU1425781A1 (en) | Memory drive | |
SU678535A1 (en) | Storage | |
SU576588A1 (en) | Magnetic digital recording apparatus | |
SU1434499A1 (en) | Method of reading information off mnos storage cells | |
SU444240A1 (en) | Buffer storage device | |
SU1287230A1 (en) | Information store for bubble storage | |
SU860133A1 (en) | Memory cell | |
JPS575184A (en) | Solid-state recorder and scanner | |
SU1325561A1 (en) | File for domain memory | |
SU398974A1 (en) | DEVICE FOR MODELING HYSTERESIS | |
SU920838A1 (en) | Storage |