Известные способы титанировани из водных растворов предусматривают применение металлического катода (сталь, медь, цинк) и основаны на электролизе трехвалентных соединений титана, что обусловливает большую сложность приготовлени электролитов и их нестабильность .Known methods of titanation from aqueous solutions involve the use of a metal cathode (steel, copper, zinc) and are based on the electrolysis of trivalent titanium compounds, which makes it more difficult to prepare electrolytes and their instability.
По предлагаемому способу титанирование полупроводниковой пленки , нанесенной на изол тор, производитс из водных растворов, содержащих только двойные соли органических кислот титана, например щавелевой , винной, лимонной и других солей, гидролизующихс с образовааием двухвалентного иона TiO2 . Применение описываемого способа позвол ет получать на полупроводниковой пленке из двуокиси олоза металлическую пленку титана, обладающую высоким омическим сопротивлением , стабильным переходным сопротивлением, низкотемпературным коэффициентом сопротивлени и хорощей износостойкостью.In the proposed method, titanation of a semiconductor film deposited on an insulator is made from aqueous solutions containing only double salts of organic acids of titanium, for example oxalic, tartaric, citric, and other salts that hydrolyze to form a divalent TiO2 ion. The application of the described method allows to obtain a titanium metal film with a high ohmic resistance, a stable transition resistance, a low-temperature coefficient of resistance, and good wear resistance on a semiconductor film made of dioxide dioxide.
Титанирование полупроводниковой пленки производитс в водном растворе любой из двойных солей титана: калий титан щавелевокислый, натрии титан виннокислый или натрий титан лимоннокислый. Концентраци соли титана в электролите выбираетс в зависимости от толщины и омического сопротивлени полупроводниковой пленки двуокиси олова, служащей катодом. Гальваническое осаждение титана проводитс при плотност х тока пор дка 4-8 ла/сж и температуре раствора 18-25°. рН раствора поддерживаетс в пределах 2,0-2,3 и корректируетс серной кислотой. В качестве нерастворимых анодов применена платина. Процесс титанировани полупроводниковой пленки из двуокиси олова продолжаетс от 8 до 30 мин. Полученна пленка хорощо облуживаетс м гкими припо ми.The titanation of the semiconductor film is carried out in an aqueous solution of any of the double titanium salts: potassium titanium oxalate, sodium titanium tartrate or sodium titanium citrate. The concentration of titanium salt in the electrolyte is selected depending on the thickness and ohmic resistance of the semiconductor tin dioxide film that serves as the cathode. Galvanic deposition of titanium is carried out at current densities of the order of 4-8 la / c and a solution temperature of 18-25 °. The pH of the solution is kept in the range of 2.0-2.3 and adjusted with sulfuric acid. Platinum was used as insoluble anodes. The titanation process of the tin dioxide semiconductor film continues from 8 to 30 minutes. The resulting film is well treated with soft solder.
№ 134090- 2 Предмет изобретени No. 134090- 2 Subject of the invention
Способ гальванического титанировани полупроводниковой пленки из двуокиси олова, нанесенной на изол тор, отличающийс тем, что, с целью получени высокого омического сопротивлени , стабильности переходных сопротивлений, низких температурных коэффициентов сопротивлени и хорошей износостойкости, полупроводниковую пленку из окиси олова титанируют из растворов, содержащих только двойные соли органических кислот титана, например щавелевой, винной, лимонной и других солей гидролизующихс с образованием двухвалентного иона при плотност х тока от 4 до 8 ма1см, температуре раствора 18- 25° и рН -2,0-2,3.A method of electroplating titanizing a semiconductor film of tin dioxide deposited on an insulator, characterized in that, in order to obtain high ohmic resistance, stability of transient resistance, low temperature coefficients of resistance and good wear resistance, the semiconductor film of tin oxide is titanated from solutions containing only double salts of organic acids of titanium, for example, oxalic, tartaric, citric, and other salts of hydrolyzing with the formation of a bivalent ion with tightly t x current of 4 to 8 ma1sm, a solution temperature of 18 25 ° and the pH -2,0-2,3.