SU1303856A1 - Преобразователь давлени - Google Patents
Преобразователь давлени Download PDFInfo
- Publication number
- SU1303856A1 SU1303856A1 SU853853483A SU3853483A SU1303856A1 SU 1303856 A1 SU1303856 A1 SU 1303856A1 SU 853853483 A SU853853483 A SU 853853483A SU 3853483 A SU3853483 A SU 3853483A SU 1303856 A1 SU1303856 A1 SU 1303856A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- strain
- oriented
- sensitivity
- equal
- width
- Prior art date
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной технике, конкретно к измерению давлени электрическими методами на основе тензорезистивного эффекта в полупроводниках. Цель изобретени - уменьшение погрешности измерени гидростатического давлени . На монокристаллической сапфировой подложке 1 размещены зпитаксиальные кремниевые тензорезисторы 2 в виде мезаструкту- ры. Один из тензорезисторов ориентирован в направлении максимальной тен- зочувствительности. Смежный с ним тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувстви- тельности, имеет отношение ширины к высоте более 30, а остальные - менее или равное 30. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. S i WJ-Si I (fOO)Si j CA О CO CX) СП 05
Description
Изобретение относитс к точному приборостроению, а именно к измерени м давлени жидкостей и газов электрическими методами на основе тензорезис тинного эффекта в полупроводниках.
Цель изобретени - уменьшение погрешности измерени гидростатического давлени .
На чертеже показаны два возможных варианта конструкции преобразовател давлени .
Преобразователь содержит подложку 1, котора выполнена в виде пластины произвольной формы из монокристаллического диэлектрика тригональной структуры, например сапфира nL - в плоскости (1012). Тензорезисторы 2 изготовлены из монокристаллического полупроводника кубической структуры кремни р-типа проводимости (плоскость 100), эпитаксиально выращенного на подложке сапфира. Тензорезисторы соединены между собой по схеме моста Уинтстона. Конструктивно тензо- резисторы изготовлены в виде меза- структуры с шириной W и высотой Н, отношение которых менее или равно 30. При этом один из тензорезисто- ров ориентирован в направлении максимальной тензочувствительности, а смежный с ним - в направлении минимальной тензочувствительности. Кроме того, один тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувствительности, имеет соотноРедактор Э.Слиган
Составитель В.Каза.ков
Техред А.Кравчук Корректор А. Зимокосов
Заказ 1298/41Тираж 777Подписное
ВЫКИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4
шение ширины к высоте более 30, а остальные - менее или равное 30.
Преобразователь работает следующим образом.
5Измер емое давление действует на
подложку 1 с тензорезисторами гидростатически , в результате чего измен етс их сопротивление.
Claims (1)
1.Преобразователь давлени , содер- жаш;ий МО но кристаллическую сапфировую подложку, и расположенные на ней эпитаксиальные кремниевые тензорезис- торы, соединенные в мостовую измерительную схему, отличающий- с тем, что, с целью уменьшени погрешности измерени гидростатического давлени , в нем тензорезисторы выполнены в виде мезаструктуры с от ношением ширины к высоте менее или равным 30, при этом, по крайней мере, один из тензорезисторов ориентирован в направлении максимальной тензочувствительности , а любой смежный с ним- в направлении минимальной тензочувствительности .
2 .Преобразователь по п. 1 , о т л и
чающийс тем, что по крайней
мере один тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувствительности , имеет отношение ширины к высоте более 30, а осталь- 35 ные - менее или равное 30.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853853483A SU1303856A1 (ru) | 1985-02-11 | 1985-02-11 | Преобразователь давлени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853853483A SU1303856A1 (ru) | 1985-02-11 | 1985-02-11 | Преобразователь давлени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1303856A1 true SU1303856A1 (ru) | 1987-04-15 |
Family
ID=21162060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853853483A SU1303856A1 (ru) | 1985-02-11 | 1985-02-11 | Преобразователь давлени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1303856A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011078715A1 (ru) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Pivonenkov Boris Ivanovisch | Способ измерений физических величин пьезорезистивными преобразователями и преобразователь |
RU2474007C1 (ru) * | 2011-09-08 | 2013-01-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт" | Конструкция чувствительного элемента преобразователя давления на кни-структуре |
-
1985
- 1985-02-11 SU SU853853483A patent/SU1303856A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 381932, кл. G 01 L 9/04, 1973. Авторское свидетельство СССР № 934257, кл. G 01 L 9/04, 1982. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011078715A1 (ru) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | Pivonenkov Boris Ivanovisch | Способ измерений физических величин пьезорезистивными преобразователями и преобразователь |
RU2474007C1 (ru) * | 2011-09-08 | 2013-01-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт" | Конструкция чувствительного элемента преобразователя давления на кни-структуре |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR840002283B1 (ko) | 실리콘 압력 변환기 | |
US4320664A (en) | Thermally compensated silicon pressure sensor | |
US4658651A (en) | Wheatstone bridge-type transducers with reduced thermal shift | |
US4373399A (en) | Semiconductor strain gauge transducer | |
KR20160115830A (ko) | 반도체 스트레인 게이지 | |
US4739381A (en) | Piezoresistive strain sensing device | |
US3277698A (en) | Stress sensing semiconductive devices | |
SU1303856A1 (ru) | Преобразователь давлени | |
US3213681A (en) | Shear gauge pressure-measuring device | |
US3787764A (en) | Solid dielectric capacitance gauge for measuring fluid pressure having temperature compensation and guard electrode | |
US3160844A (en) | High output electrical strain transducers | |
JPS6154266B2 (ru) | ||
SU960559A2 (ru) | Датчик давлени | |
RU2687307C1 (ru) | Интегральный преобразователь давления | |
RU2469436C1 (ru) | Интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами | |
SU1749731A1 (ru) | Интегральный преобразователь давлени | |
SU1052848A1 (ru) | Интегральный тензопреобразователь | |
SU1247693A1 (ru) | Полупроводниковое измерительное устройство | |
RU2507490C1 (ru) | Датчик абсолютного давления повышенной точности на основе полупроводникового чувствительного элемента с жестким центром | |
SU1647305A1 (ru) | Интегральный полупроводниковый преобразователь давлени | |
SU1719940A1 (ru) | Полупроводниковый тензопреобразователь | |
SU1451566A1 (ru) | Полупроводниковый тензопреобразователь | |
RU1830138C (ru) | Тензопреобразователь давлени | |
SU1605146A1 (ru) | Преобразователь давлени | |
SU934257A1 (ru) | Полупроводниковый тензопреобразователь |