SU1303856A1 - Преобразователь давлени - Google Patents

Преобразователь давлени Download PDF

Info

Publication number
SU1303856A1
SU1303856A1 SU853853483A SU3853483A SU1303856A1 SU 1303856 A1 SU1303856 A1 SU 1303856A1 SU 853853483 A SU853853483 A SU 853853483A SU 3853483 A SU3853483 A SU 3853483A SU 1303856 A1 SU1303856 A1 SU 1303856A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
strain
oriented
sensitivity
equal
width
Prior art date
Application number
SU853853483A
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Петрович Перепелицын
Original Assignee
Специальное Конструкторское Бюро По Приборостроению
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Специальное Конструкторское Бюро По Приборостроению filed Critical Специальное Конструкторское Бюро По Приборостроению
Priority to SU853853483A priority Critical patent/SU1303856A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1303856A1 publication Critical patent/SU1303856A1/ru

Links

Landscapes

  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике, конкретно к измерению давлени  электрическими методами на основе тензорезистивного эффекта в полупроводниках. Цель изобретени  - уменьшение погрешности измерени  гидростатического давлени . На монокристаллической сапфировой подложке 1 размещены зпитаксиальные кремниевые тензорезисторы 2 в виде мезаструкту- ры. Один из тензорезисторов ориентирован в направлении максимальной тен- зочувствительности. Смежный с ним тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувстви- тельности, имеет отношение ширины к высоте более 30, а остальные - менее или равное 30. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. S i WJ-Si I (fOO)Si j CA О CO CX) СП 05

Description

Изобретение относитс  к точному приборостроению, а именно к измерени м давлени  жидкостей и газов электрическими методами на основе тензорезис тинного эффекта в полупроводниках.
Цель изобретени  - уменьшение погрешности измерени  гидростатического давлени .
На чертеже показаны два возможных варианта конструкции преобразовател  давлени .
Преобразователь содержит подложку 1, котора  выполнена в виде пластины произвольной формы из монокристаллического диэлектрика тригональной структуры, например сапфира nL - в плоскости (1012). Тензорезисторы 2 изготовлены из монокристаллического полупроводника кубической структуры кремни  р-типа проводимости (плоскость 100), эпитаксиально выращенного на подложке сапфира. Тензорезисторы соединены между собой по схеме моста Уинтстона. Конструктивно тензо- резисторы изготовлены в виде меза- структуры с шириной W и высотой Н, отношение которых менее или равно 30. При этом один из тензорезисто- ров ориентирован в направлении максимальной тензочувствительности, а смежный с ним - в направлении минимальной тензочувствительности. Кроме того, один тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувствительности, имеет соотноРедактор Э.Слиган
Составитель В.Каза.ков
Техред А.Кравчук Корректор А. Зимокосов
Заказ 1298/41Тираж 777Подписное
ВЫКИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4
шение ширины к высоте более 30, а остальные - менее или равное 30.
Преобразователь работает следующим образом.
5Измер емое давление действует на
подложку 1 с тензорезисторами гидростатически , в результате чего измен етс  их сопротивление.

Claims (1)

1.Преобразователь давлени , содер- жаш;ий МО но кристаллическую сапфировую подложку, и расположенные на ней эпитаксиальные кремниевые тензорезис- торы, соединенные в мостовую измерительную схему, отличающий- с   тем, что, с целью уменьшени  погрешности измерени  гидростатического давлени , в нем тензорезисторы выполнены в виде мезаструктуры с от ношением ширины к высоте менее или равным 30, при этом, по крайней мере, один из тензорезисторов ориентирован в направлении максимальной тензочувствительности , а любой смежный с ним- в направлении минимальной тензочувствительности .
2 .Преобразователь по п. 1 , о т л и
чающийс  тем, что по крайней
мере один тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувствительности , имеет отношение ширины к высоте более 30, а осталь- 35 ные - менее или равное 30.
SU853853483A 1985-02-11 1985-02-11 Преобразователь давлени SU1303856A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853853483A SU1303856A1 (ru) 1985-02-11 1985-02-11 Преобразователь давлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853853483A SU1303856A1 (ru) 1985-02-11 1985-02-11 Преобразователь давлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1303856A1 true SU1303856A1 (ru) 1987-04-15

Family

ID=21162060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853853483A SU1303856A1 (ru) 1985-02-11 1985-02-11 Преобразователь давлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1303856A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011078715A1 (ru) * 2009-12-22 2011-06-30 Pivonenkov Boris Ivanovisch Способ измерений физических величин пьезорезистивными преобразователями и преобразователь
RU2474007C1 (ru) * 2011-09-08 2013-01-27 Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт" Конструкция чувствительного элемента преобразователя давления на кни-структуре

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 381932, кл. G 01 L 9/04, 1973. Авторское свидетельство СССР № 934257, кл. G 01 L 9/04, 1982. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011078715A1 (ru) * 2009-12-22 2011-06-30 Pivonenkov Boris Ivanovisch Способ измерений физических величин пьезорезистивными преобразователями и преобразователь
RU2474007C1 (ru) * 2011-09-08 2013-01-27 Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Научно-Производственный Комплекс "Технологический Центр" Миэт" Конструкция чувствительного элемента преобразователя давления на кни-структуре

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR840002283B1 (ko) 실리콘 압력 변환기
US4320664A (en) Thermally compensated silicon pressure sensor
US4658651A (en) Wheatstone bridge-type transducers with reduced thermal shift
US4373399A (en) Semiconductor strain gauge transducer
KR20160115830A (ko) 반도체 스트레인 게이지
US4739381A (en) Piezoresistive strain sensing device
US3277698A (en) Stress sensing semiconductive devices
SU1303856A1 (ru) Преобразователь давлени
US3213681A (en) Shear gauge pressure-measuring device
US3787764A (en) Solid dielectric capacitance gauge for measuring fluid pressure having temperature compensation and guard electrode
US3160844A (en) High output electrical strain transducers
JPS6154266B2 (ru)
SU960559A2 (ru) Датчик давлени
RU2687307C1 (ru) Интегральный преобразователь давления
RU2469436C1 (ru) Интегральный преобразователь давления с тремя жесткими центрами
SU1749731A1 (ru) Интегральный преобразователь давлени
SU1052848A1 (ru) Интегральный тензопреобразователь
SU1247693A1 (ru) Полупроводниковое измерительное устройство
RU2507490C1 (ru) Датчик абсолютного давления повышенной точности на основе полупроводникового чувствительного элемента с жестким центром
SU1647305A1 (ru) Интегральный полупроводниковый преобразователь давлени
SU1719940A1 (ru) Полупроводниковый тензопреобразователь
SU1451566A1 (ru) Полупроводниковый тензопреобразователь
RU1830138C (ru) Тензопреобразователь давлени
SU1605146A1 (ru) Преобразователь давлени
SU934257A1 (ru) Полупроводниковый тензопреобразователь