Недостаток устройства- заключаетс ,в том, что тензорезисторы, составл ющие мостовую схему, имеют различ ные ТКС, МТС приводит к сильной тем пературной зависимости напр жени н чального разбаланса моста, снижа точность преобразовани . Недостатком известного тензопреобразовател вл етс также значительна температурна зависимость выходного сигнала, требующа дл по лучени преобразовател высокой точ ности сложной электронной схемы тем пературной компенсации с индивидуал ной настройкой и ограничивающа диа пазон рабочих температур (диапазоном ). Из рассмотрени зависимости ()oT удельного сопротивлени f дл КНС р-типа проводимости (фиг.1а) видно, что при значени х р пленки кремни , использованных . в известном устройстве не соблюдает с условие -О , где dp - температурный коэффициент сопротивлени ; oLj, - температурный коэффициент тензочувствительности, выходной сигнал схемы сильно з т.е. висит от температуры и необходима дополнительна схема температурной компенсации. Цель изобретени - повышение точ ности преобразовани , расширение рабочего диапазона температур и упр щение электронной схемы полупроводникового тензопреобразовател . Поставленна цель достигаетс тем, что в полупроводниковом п реобр зователе эпитаксиальные тензорезисторы на сапфировой подложке изготав ливаютс из кремни , легированного бором с концентрацией дырок р 3,5 102. - 310 0cNr3(4TO соответ ствует удельному сопротивлению f 0,0006-0, Ом.см). На фиг. Id и б приведены завис мости oLy f и di,. от j3 соот ветственно; на фиг. 2 - полупроводниковый тензопреобразователь. Сущность изобретени состоит в том, что эпитаксиальные тензорезисторы изготовлены на сапфировой подложке из пленки кремни с концентра цией дырок 3,510 - (Р 0,0006-0,0045 Ом-см), при которой ТКС тензорезисторов d. изме74 н етс незначительно в широких пределах изменени температуры Т, а также слабо зависит от удельного сопротивлени кремниевой эпит ксиальной пленки. При такой концентрации дырок неизбежные технологические разбросы удельного сопротивлени в отдельных резисторах мало вли ют на их ТКС, поэтому напр жение начального разбаланса моста практически не зависит от температуры. Кроме того, при таких значени х концентрации дырок,благодар эффекту насыщени акцепторной примеси в кремнии, повышаетс однородность электрических свойств эпитаксиального сло , что ведет к дополнительному уменьшению разброса ТКС тензорезисторов и к дальнейшему снижению температурной зависимости напр жени начального разбаланса. Расширение температурного диапазона работы тензопреобразовател и дальнейшее повышение точности преобразовани достигаетс тем, что если тензорезисторы изготовлены из эпитаксиальной пленки кремни из сапфира. с концентрацией дырок (3 ,5-9) - (что соответствует j 0,0020 ,0045 Ом.см), то при питании схемы посто нным током выполн етс условие температурной стабильности выходного сигнала Э 6) в широком интервале температур (по крайней мере, от -100 до +200°С, фиг. 1а) ,T.e.. Дальнейшее расширение температурного диапазона работы тензопреобразовател и повышение точности преобразовани достигаетс тем, что если тензорезисторы изготовлены из эпитаксиальной пленки кремни на сапфире с концентрацией дырок (1,83 ) 10 см- ( р 0,0006 0 ,0009 ОмСм), то при питании схемы посто нным напр жением выполн етс условие температурной стабильности выходного сигнала , т.е. ТКЧ тензорезисторов близок к нулю в широком интервале низких TeMnepajyp (по крайней мере, от -200 до , фиг. 16) Упрощение электронной схемы тензопреобразовател достигаетс тем, что при температурной стабильности выходного сигнала схемы отпадает необходимость в электронной схеме температурной компенсации с индивидуальной настройкой, так что 5 электронна часть тензопреобразовател представл ет собой стандартный усилитель выходного сигнала схе мы до требуемого уровн . Выбор в качестве легирующей примеси бора обусловлен тем, что из известных акцепторных примесей в кремнии только бор имеет достаточную растворимость дл получени требуемой концентрации дырок, дает при этом один мелкий уровень и обес печивает однородность легировани . Верхний предел концентрации дырок р 3 « 10 ограничен пределом растворимости бора в кремнии. Нижний предел р 3,5 ограничен тем, что при меньших концен траци х дырок условие температурной стабильности выходного сигнала oLj,-Kii- iO не может быть выполнено в достаточно широком интервале температур . Преобразователь давлени содержи цилиндрический корпус 1, с одной стороны которого размещен штуцер 2 дл подачи давлени р, а с другой известным способом, например пайкой , закреплен чувствительный элемент 3, состо щий из сапфировой под ложки f, выполненной в виде мембраны с утолщением по периметру, и эпитаксиальных кремниевых тензорези торов 5, расположенных по краю мембраны попарно параллельно и перпендикул рно радиусу мембраны. Плоскос сапфировой мембраны имеет ориентацию (1012), эпитаксиальные кремни евые тензорезисторы расположены в плоскости (100) кремни вдоль направлени (011) и (011) и соединены в мостовую схему с контактными площадками 6. Схема питаетс посто нным током или посто нным напр жение При питании мостовой схемы посто нным током тензорезисторы выпол нены из эпитаксиального кремни ,легированного бором с концентрацией дырок 8-10 см , а при питании мостовой схемы посто нным напр жением тензорезисторы выполнены из эпитаксиального кремни , легированного бором с концентрацией дырок 2-10 см-Э. Полупроводниковый тензопреобразователь работает следующим образом 7 При подаче питани на мостовую схему и отсутствии давлени мембрана 4 не деформируетс , сопротивление тензорезисторов не мен етс и выходной сигнал сбалансированного моста равен нулю. При изменении температуры в пределах от -200 до +200С начальный выходной мостовой схемы не измен етс , поскольку все тензорезисторы имеют одинаковые значени oif, При подаче давле- / ни р сапфирова мембрана k изгибаетг с , деформиру кремниевые тензорезисторы 5. Под действием деформации тензорезисторы измен ют свое сопротивление . Использование предлагаемого теизопреобразовател ,по сравнению с известными , повышает точностьпреобразовани , расшир ет температурный диапазон работы преобразовател по крайней мере от -200 до ч-200°С, т.е. в 3- раза, упрощает электронную схему тензопреобразовател за счет исключени схемы температурной компенсации с индивидуальной настройки . Формула изобретени Полупроводниковый тензопреобразователь , включающий чувствительный элемент, выполненный в виде монокристалличес1Сой сапфировой подложки с расположенными на ней эпитаксиальными кремниевыми тензорезисторами р-типа проводимости, соединенными между собой в мостовую или дифференциальную схему, отличающийс тем, что, с целью повышени точности преобразовани и расширени рабочего диапазона температур, эпитаксиальные тензорезисторы изготовлены из кремни , легированного бором с концентрацией дырок 3,5-Ю 3. cM-i. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Проспект фирмы SchEumberger, Fiche Technique 7б008, 1976.