SU1285067A1

SU1285067A1 - Способ нанесени гальванических покрытий на внутреннюю поверхность сквозных полостей изделий

Info

Publication number: SU1285067A1
Application number: SU853851695A
Authority: SU
Inventors: Андрей Гаврилович Лубнин; Петр Васильевич Косарев; Виктор Васильевич Коломиец; Анатолий Петрович Максименко; Борис Иванович Полупан
Original assignee: Институт сверхтвердых материалов АН УССР
Priority date: 1985-02-04
Filing date: 1985-02-04
Publication date: 1987-01-23

Abstract

Изобретение относитс к нанесению гальванических покрытий на издели со сквозными отверсти ми и может быть использовано в производстве при изготовлении абразивных инструментов. Цель изобретени - повышение равномерности покрытий и производительности процесса. Способ нанесени гальванических покрытий на внутреннюю поверхность сквозных полостей включает попеременное зкранирование краевых участков поверхности на 0,25-0,45 высоты полости и дополнительное пропускание электролита через полость со стороны экранированного участка. Это вызывает перераспределение тоКа по поверхности катода и соответственно приводит к осаждению одинакового по толщине сло металла. 1 табл. о О)

Description

Изобретение относитс к нанесению гальванических покрытий на издели со сквозными отверсти ми и может быт использовано в производстве при изготовлении абразивных инструментов и в других отрасл х промышленности.

Цель изобретени - повьшение равномерности покрытий и производительности процесса.

Предлагаемый способ.нанесени гальванических покрытий на внутренню поверхность, образующую сквозное отверстие , включает попеременное экранирование краевых участков поверхности на 0,25-0,45 высоты отверсти и Дополнительное пропускание электролита через отверсти со стороны экрани poaaHHojTO участка.

Способ осуществл ют следующим образом

На торцы издели со сквозньм отверстием с обеих сторон закрепл ют гибкие диафрагмы и изделие помещают в гальваническую ванну с электролитом затем в ванну помещают наружный анод После этого обеспечивают относительное перемещение электролита и издели . При движении электролита через отверстие вверх нижн диафрагма экранирует нижнюю часть внутренней поверхности издели , постепенно перекрыва ее, а в это врем внутренн часть верхней диафрагмы под действием электролита выходит из отверсти . Поскольку рассто ние от верхней части анода до верхнего торца издели меньше, чем от нижней части анода до центра издели , то больша часть металла осаждаетс на верхней части отверсти издели и меньша на его центральной части. В этом врем в нижней части издели в результате экранировани осаждаетс незначительное количество металла

При движении электролита через отверстие вниз верхн диафрагма экра- нирует верхнюю часть внутренней поверхности издели , а нижн часть при этом открываетс , вследствие че- го происходит перераспределение линий тока. Так как рассто ние от нижней части анода до нижнего торца издели меньше, чем от верхней части анода до центра издели , то больша часть металла осаждаетс на нижней части и меньша на его центральной части. В верхней части издели осаж

5

0

5

5 0

5

0 5

0

даетс незначительное количество металла .

При использовании непровод щих неподвижных экранов на торцах издели с внутренним отверстием применение наружного анода не дает положительного эффекта, так как в любом случае рассто ние до торцов меньше, чем до центральной части отверсти , и при осаждении покрыти на поверхности , прилегак цей к экрану, металл осаждаетс более эффективно. При осаждении покрыти большой толщины в этой зоне образуютс дендриты, которые ползут по непровод щему экрану , приближа сь к отверстию, и тем самым рассто ние от анода к катоду уменьшаетс . Через определенный период дендриты выход т наружу экрана и процесс осаждени металла внутри отверсти практически прекращаетс .

П р и м е РО Предлагаемый .способ используют при изготовлении алмазных прав щих роликов методом гальванопластики . Изготавливают графитовую модель, внутренн поверхность профил которой обратна профилю рабочей поверхности профил инструмента На внутренней поверхности модели наклеивают алмазы.

На торцы модели приклеивают диафрагмы . В качестве диафрагмы используют деформированную на 0,3 высоты издели полиэтиленовую пленку. Можно использовать также другие эластичные материалы (резину , капрон и др.).

Затем модель погружают в электролит гальванической ванны.

. ..

В качестве анода используют круг- наружньй цилиндр. Зараш;ивание алмазов производ т в сульфаминовом никелевом электролите. Возвратно-поступательное перемещение модели относительно электролита осуществл ют при помощи кулачкового механизма с частотой 37 качаний в минуту, что позвол ло в процессе попеременного экранировани краевых участков поверхности отверстий пропускать электролит через отверстие со стороны экранированного участка. Плотность тока составл ет 3 А/дм. Контроль за равномерностью покрыти и качеством полученного сло показывает, что даже при осаждении сло на модель профил замка лопатки газовой турбины толщиной 3 мм разнотолщинность покрыти в середине внутренней поверхности и у торцов не превьшает +0,1 мм при полном отсутствии дендритов и наростов на концах издели . Разнотолщинность покрыти на выступах и впадинах профил находилась в пределах также +0,1 мм. Врем нанесени покрыти требуемой толщины 3 мм составл ет 85-90 ч.

В таблице приведены данные по раз- нотолщинности , где h, и толщины покрытий у торца и центра издели , в зависимости от величины экранируемой поверхности по высоте полости.

Величина экранировани 0 ,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5

Разнотолщинность +0,4+0,3 +0,1+0,1 О -0,1 -0,t -0,3

Как видно из приведенных данных, при экранировании внутренней поверхности издели каждой диафрагмой на высоту от 0,25 до 0,45 при осаждении сло 3 мм разнотолщинность осаждени металла находилась в пределах +0,1 мм.

Нанесение никелевого сло с приме нением внутреннего анода по известному способу показывает, что даже с применением анода, профиль которого соответствует форме поверхности моде ли, наблюдаетс неравномерное покрытие с разнотолщинностью на выступах и впадинах профил до 1,5 мм, а на кра х модели вырастают дендриты размером до 15-20 мм.

Предлагаемьй способ позвол ет получать гальванические осадки металлов , равномерные по толщине на внут- ренней поверхности, с более высокой

производительностью по сравнению 20 с известными способами.

Claims

Формула изобретени

25

Способ нанесени гальванических покрытий на внутреннюю поверхность сквозных полостей изделий, включающий размещение издели в электролите к экранирование краевых участков, о тличающийс тем, что, с целью повышени равномерности покрытий и производительности процесса , краевые участки поверхности экранируют попеременно на 0,25-0,45 высоты полости, при этом со стороны 35 экранированного участка через полость дополнительно пропускают электролит.

30