SU128160A1 - Лини задержки - Google Patents

Лини задержки

Info

Publication number
SU128160A1
SU128160A1 SU635971A SU635971A SU128160A1 SU 128160 A1 SU128160 A1 SU 128160A1 SU 635971 A SU635971 A SU 635971A SU 635971 A SU635971 A SU 635971A SU 128160 A1 SU128160 A1 SU 128160A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
delay line
storage
contact
accuracy
cell
Prior art date
Application number
SU635971A
Other languages
English (en)
Inventor
С.А. Догановский
Original Assignee
С.А. Догановский
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by С.А. Догановский filed Critical С.А. Догановский
Priority to SU635971A priority Critical patent/SU128160A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU128160A1 publication Critical patent/SU128160A1/ru

Links

Landscapes

  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Известные схемы линий задержки, выполненные на конденсаторах, попеременно подключаемых к предыдущему и последующему каскадам с помощью Контакта и вакуумного прибора, чрезмерно сложны и не обеспечивают достаточной точности воспроизведени  функции на выходе линии задержки.
Предлагаема  схема отличаетс  от известных тем, что за каждый такт работы в каждом каскаде линии задержки происходит считывание информации с одного «онденсатора и запись информации с предыдущего каскада на другой конденсатор. Эта особенность схемы позвол ет получить ту же точность воспроизведени  функции, что и в известных схемах при вдвое меньшем числе триодов, и.л,и при том же числе триодов и той же скорости коммутации контактов получить большую точность воспроизведени  функции на выходе линии задержки.
Схема предлагаемой линии задержки дана на чертеже.
Лини  представл ет собой- цепочку последовательно соединенных запоминающих  чеек, отделенных друг от друга контактами, один из которых (контакт 1) служит дл  записи напр жени  входного сигнала, другой (контакт 2)-дл  считывани  этого напр жени  с запоминающих емкостей. Кажда   чейка имеет две запоминающие емкости 3, причем все  чейки однотипны. Сопротивление 4 и емкость 5 необходимы дл  улучшени  работы схемы в моменты коммутации ее контактов и выполн ют вспомогательные функции.
При работе блока контакты 7 и 2 каждой запоминающей  чейки переключаютс  из одного положени  в другое, причем в момент, когда через контакт 1 зар жаетс  одна запоминающа  емкость  чейки, через контакт 2 прОисХОдит считывание напр жени . Така  кОМмутаци  контактов приводит к принудительному распространению напр жени  входного сигнала -вдоль цепочки запоминающих  чеек :и за каждый таКт работы устройства управлени  происходит зар д и считывание двух запоминающих емкостей.
Схема обеспечивает повышение точности воспроизведени  входного сигнала и позвол ет упростить устройство в целом.
Предмет изобретени 
Лини  задержки, состо ща  из запоминающих конденсаторов, коммутируемых с помощью контактов реле и катодных повторителей, отличающа с  тем, что, с целью упрощени  устройства и повыщени  точности воспроизведени  функции на выходе линии задержки, кажда   чейка состоит из двух конденсаторов, один из которых подключен к предыдущей  чейке, а другой - к последующей.
Выход
SU635971A 1959-08-06 1959-08-06 Лини задержки SU128160A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU635971A SU128160A1 (ru) 1959-08-06 1959-08-06 Лини задержки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU635971A SU128160A1 (ru) 1959-08-06 1959-08-06 Лини задержки

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU128160A1 true SU128160A1 (ru) 1959-11-30

Family

ID=48399385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU635971A SU128160A1 (ru) 1959-08-06 1959-08-06 Лини задержки

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU128160A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3774176A (en) Semiconductor memory having single transistor storage elements and a flip-flop circuit for the evaluation and regeneration of information
GB1313718A (en) Binary memory cell
ES374016A1 (es) Una disposicion de circuito de almacenamiento.
US3614749A (en) Information storage device
GB1370870A (en) Data storage device
SU128160A1 (ru) Лини задержки
GB1463621A (en) Transistor storage systems
ATE67892T1 (de) Integrierter halbleiterspeicher.
JPS5613584A (en) Setting circuit for data line potential
GB1244683A (en) Data storage apparatus
GB873897A (en) Data storage matrix
US3134963A (en) Esaki diode memory
KR860002099A (ko) 기억 장치
US3155959A (en) Timed output pulse providing device responsive to digital input signals
US5305255A (en) Non-destructive readout ferroelectric memory cell
SU395900A1 (ru) Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах
SU444240A1 (ru) Буферное запоминающее устройство
SU842957A1 (ru) Запоминающее устройство
SU135466A1 (ru) Устройство дл проверки правильности комплектовки тетрадей в книжном блоке
SU1081668A1 (ru) Коммутирующее устройство последовательного действи
SU684613A1 (ru) Запоминающее устройство
SU390526A1 (ru) В П Т Б ФОНД v3^!>&PT(ia I
US2975365A (en) Shift register
SU1057990A1 (ru) Запоминающее устройство
SU147025A1 (ru) Запоминающее устройство на сегнетоэлектрических матрицах