SU127310A1

SU127310A1 - Method for producing nonlinear semiconductor resistances

Info

Publication number: SU127310A1
Application number: SU636395A
Authority: SU
Inventors: В.А. Князев; зев В.А. Кн; П.Ф. Плотников
Original assignee: В.А. Князев; зев В.А. Кн; П.Ф. Плотников
Priority date: 1959-08-13
Filing date: 1959-08-13
Publication date: 1959-11-30

Description

Известны нелинейные полупроводниковые сопротивленп , получаемые путем прессовани и термической обработки окислов металлов совместно с органическим св зующим.Nonlinear semiconductor resistors are known that are obtained by pressing and heat treating metal oxides together with an organic binder.

Отличие предлагаемого способа заключаетс в том, что дл получени таких сопротивлений в качестве исходных материалов примен ют окислы кремни и цинка. В качестве органического св зующего можно использовать водный раствор поливинилового спирта.The difference of the proposed method lies in the fact that to obtain such resistances, silicon and zinc oxides are used as starting materials. An aqueous solution of polyvinyl alcohol can be used as an organic binder.

Нелинейное сопротивление, полученное по предлагаемому способу безынерционно, не зависит от пол рности приложенного напр жени и может обладать проводимостью как типа п, так И типа р.The nonlinear resistance obtained by the proposed method is inertia-free, does not depend on the polarity of the applied voltage and may have conductivity of both type n and type p.

Достоинствами такого сопротивлени вл ютс также незначительна зависимость его электрических и механических свойств от температуры , влагостойкость и способность без изменени указанных свойств длительно работать в электрических схемах в режиме, сопровождающемс нагреванием.The advantages of such resistance are also insignificant dependence of its electrical and mechanical properties on temperature, moisture resistance and the ability without changing these properties to work for a long time in electrical circuits in the mode, accompanied by heating.

Технологи получени предлагаемого сопротивлени на основе окислов кремни и цинка заключаетс в следующем. Металлические окислы цинка и кремни в виде мелкоразмолотых порошков (величина , диаметра зерна 10-20 мк) смешиваютс в весовом соотношении 6: 1 и прокаливаютс в течение 2 час. при температуре 1300°. Охлажденный продукт снова измельчаетс , св зываетс водным растворо.м поливинилового спирта (преимущественно) и прессуетс в металлических пресс-формах в заготовки требуемой конфигурации (диски, штабики , цилиндры, трубки и т. п.). Полученные заготовки снова обжигаютс в течение 2 час. при температуре 1350° и затем медленно охлаждаютс . Контакты нанос тс либо вн иганием серебр ной пасты, либо методом щоопировани .The technology for producing the proposed resistance based on silica and zinc is as follows. The metal oxides of zinc and silicon in the form of finely ground powders (the value of a grain diameter of 10-20 microns) are mixed in a weight ratio of 6: 1 and calcined for 2 hours. at a temperature of 1300 °. The cooled product is crushed again, bound with aqueous solution of polyvinyl alcohol (predominantly) and pressed in metal molds into blanks of the required configuration (disks, bars, cylinders, tubes, etc.). The resulting preforms are roasted again for 2 hours. at a temperature of 1350 ° and then slowly cooled. The contacts are applied either by embedding the silver paste or by scoping.

№ 127310No. 127310

Предмет изобретени Subject invention

Claims

1. A method of producing non-linear semiconductor resistances by pressing and thermally treating metal oxides together with an organic binder, characterized in that krempie and zinc oxides are used as the main starting materials.

2. A method according to claim 1, characterized in that an aqueous solution of polyvinyl alcohol is used as an organic binder.