SU1269930A1 - Способ изготовлени полупроводниковых приборов - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к области производства силовых полупроводниковых приборов , в частности к способам изготовлени  приборов с присоединением контактных элементов пайкой, и позвол ет повысить качество приборов и выхода годны.к. После пайки контактных элементов полупровОлТ.никовый кристалл подвергают термообработке при температуре ниже температуры начала плавлени  наиболее легкоплавкого из примен емых при пайке припоев, но не менее 0,6 ее значени , и длительности в часах не менее величины, определ емой из соотношени  2-10 /Т-обр., где Товр- температура термообработки в °С. После термообработки полупроводниковый кристалл подвергают травлению. Проведение травлени  после пайки, а также введение промежуточной термообработки позвол ют снизить остаточные механические напр жени  в спа х и полупроводниковом кристалле, что повышает качество приборов и стабильность их ха рактеристик. (Л

Description

ьо

о: со со со

Изобретение относитс  к производству силовых полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовлени  приборов с присоединением контактных элементов пайкой, и может быть использовано в электротехнической и электронной промышленности .

изобретени   вл етс  повышение качества приборов и выхода годных.

Способ осуществл ют следующим образом .

Пайку полупроводникового кристалла с контактными элементами производ т припо ми на основе сплавов олово-свинец или свинца за один или два приема. Затем кристалл с контактными элементами подвергают термообработке при температуре ниже температуры начала плавлени  наиболее легкоплавкого из примен емых при пайке припоев , но не менее 0,6 ее значени , и длительности в часах не менее величины, определ емой из соотнощени  ., где То«р - температура термообработки в °С.

После термообработки полупроводниковый кристалл подвергают травлению, производ т контроль параметров прибора, нанесение защитного покрыти  и герметизацию прибора.

Проведение травлени  после пайки, а также введение промежуточной термообработки позвол ют снизить остаточные механические напр жени  в спа х и полупроводниковом кристалле, что повьипает качество приборов и стабильность их характеристик .

Пример. Полупроводниковый кремниевый кристалл с тиристорной структурой в нем па ют с основанием корпуса и вьгводами (арматура тиристора) в водородной конвейерной печи одновременно - за один температурно-временной цикл. Все па ные швы выполн ют припоем одного и того же состава (марки ПОС 2, температура полного расплавлени  которого близка к 320°С. Пайку ведут при 400± 10°С. Полученную па ную арматуру подвергают щелочному травлению в кип щей КОН с целью очистки поверхности фаски на кристалле. В ходе операции травлени  контролируют электрические параметры и вольтамперные характеристики , по которым оценивают годность изделий. Перед операцией травлени  снимают остаточные механические напр жени  в спа х и кристалле дополнительной

термической обработкой арматуры при пониженной температуре - ниже 320°С,но не менее 0,6-320 ; 190°С. Максимальное значение этой температуры ограничивают требованием исключени  вторичного расплавлени  па ных щвов при случайном отклонении температуры в большую сторону, а также окислени  поверхности деталей при термообработке на воздухе. Минимальное значение - 190°С - определено из экспериментов как те.мпература, при которой за короткое врем  обеспечиваетс  повышение выхода годных арматур на операции травлени  фаски хЮ реально возможного, а также снижение до нул  числа отказов при испытани х на термоциклостойкость. При более низких значени х температуры Товр, (ниже 190°С) указанна  цель не достигаетс . Дл  арматуры тиристора Т122 выбирают Тобр.200°С, так как при более высокой температуре имеет место потускне0 ние покрытий, что недопустимо. Минимальную длительность inm термообработки арматур при выбранном значении температуры 200°С - установили 8 ч.

Когда дл  пайки нескольких соединений в одном изделии примен ют припои

5 различного состава, при выборе оптимальной температуры обработки перед травлением учитывают значение температуры плавлени  наиболее легкоплавкого из примен емых припоев.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ изготовлени  полупроводниковых приборов, включающий пайку полупроводникового кристалла с контактными эле .ментами, травление напа нного кристалла, контроль параметров прибора, нанесение защитного покрыти  и герметизацию прибора, отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества и выхода годных приборов, травление кристалла производ т после

   пайки контактных элементов, а перед травлением па ный кристалл с контактными элементами подвергают термообработке при температуре ниже температуры начала плавлени  наиболее легкоплавкого из примен емых при пайке припоев, но не менее

   0,6 ее значени , и длительности в часах не менее величины, определ емой из соотношени  210+ 7Тобр, где Тобр. - температура термообработки в °С.