SU125915A1

SU125915A1 - Photodiode meter of small movements of the light beam

Info

Publication number: SU125915A1
Application number: SU632541A
Authority: SU
Inventors: К.М. Кролевец
Original assignee: К.М. Кролевец
Priority date: 1959-06-29
Filing date: 1959-06-29
Publication date: 1959-11-30

Description

Известны фотодиодные измерителей малых перемещений светового -луча, содержащие несколько фотодиодов, освещаемых исследуемым световым лучом и соединенных с регистрирующими приборами. Недостатки подобных измерителей заключаютс в их низкой чувствительности, и нелинейной зависимости фототока от величины перемещени луча.Known photodiode measuring small movements of the light beam, containing several photodiodes, illuminated by the investigated light beam and connected to the recording devices. The disadvantages of such meters are their low sensitivity and the nonlinear dependence of the photocurrent on the magnitude of the beam movement.

В описываемом изобретении эти недостатки устранены применением в качестве измерител общего фотодиода с несколькими омическими контактами.In the described invention, these disadvantages are eliminated by using a common photodiode with several ohmic contacts as a meter.

На фиг. 1 приведена схема описываемого устройства, предназначенного дл регистрации перемещени светового луча в одном измерении; на фиг. 2 - вариант подобного устройства, предназначенного дл регистрации перемещени луча в двух измерени х.FIG. 1 is a diagram of the described device for detecting the movement of a light beam in one dimension; in fig. 2 is a variant of such a device for detecting the movement of a beam in two dimensions.

Кремневую или германиевую пластину / с п-р переходом напаивают на металлическую подложку 2. На глубине 6-10 мк от поверхности пластины 1 образован электронно-дырочный переход. Удельное сопротивление верхнего сло должно быть в 5-10 раз больще удельного сопротивлени нижнего сло , соединенного с металлической подложкой. На поверхности пластины 1 нанесены три омических контакта j3, 4, 5 малого размера - два по кра м и один строго в центре. Средний омический контакт 4 и металлический электрод (подложка) 2 подключены к батарее 6 с напр жением пор дка 5-10 в дл подачи смещени на п-р переход в запорном направлении.Silicon or germanium plate / pn transition is soldered onto a metal substrate 2. At a depth of 6-10 microns from the surface of plate 1 an electron-hole transition is formed. The resistivity of the upper layer should be 5-10 times greater than the resistivity of the lower layer connected to the metal substrate. Three ohmic contacts j3, 4, 5 of small size — two along the edges and one strictly in the center — are deposited on the surface of plate 1. The middle ohmic contact 4 and the metal electrode (substrate) 2 are connected to the battery 6 with a voltage of about 5-10 volts to supply an offset to the n-junction in the stop direction.

Луч света, перемещение которого измер ют, направл етс на пластину /. Смещение луча от центра в направлении контакта 3 или 5 вызы- , ваетизменение величины фототоков между средним и боковыми контактами . Величина этих изменений регистрируетс ламповым вольтметром /, щкала которого отградуирована в единицах длины. При необходимости измер ть величину перемещени светового луча в двух измерени х примен ют четыре боковых омических контакта (фиг. 2), расположенных в двух взаимно-перлендикул рных направлени х. Дополнительные контакты 8 н 9 присоединены ко второму ламповому вольтметру 10. По изменению показаний ламповых вольтметров 7 н 10 при смещении светового луча определ ют направление и величину этого смещени .The light beam, the movement of which is measured, is directed to the plate. The shift of the beam from the center towards the contact 3 or 5 causes a change in the magnitude of the photocurrent between the middle and side contacts. The magnitude of these changes is recorded by a tube voltmeter /, whose scale is calibrated in units of length. If necessary, measure the amount of movement of the light beam in two dimensions using four side ohmic contacts (Fig. 2) located in two mutually perpendicular directions. Additional pins 8 n 9 are connected to the second lamp voltmeter 10. By changing the readings of the lamp voltmeters 7 n 10 when the light beam is displaced, the direction and magnitude of this displacement is determined.

Предмет изобретени Subject invention

Фотодиодный измеритель м-алых перемещений светового луча, отличающийс тем, что, с целью увеличени чувствительности и получени линейной зависимости фототока от величины перемещени светового луча, он выполнен из напа нной на металлическую подложку полупроводниковой Пластины с п-р переходом, на который нанесены три омических контакта - два по кра м и один в центре, а между средним контактом и металлической подложкой приложено напр жение (5-10в), луч света направл етс на полупроводниковую пластину и его смещение от центра вызывает изменение фототоков между средним и боковыми контактами.A photodiode meter of small movements of the light beam, characterized in that, in order to increase the sensitivity and to obtain a linear dependence of the photocurrent on the amount of movement of the light beam, it is made of a semiconductor plate suspended on a metal substrate with a three-ohmic transition. contact — two along the edges and one in the center, and a voltage (5–10V) is applied between the middle contact and the metal substrate, the light beam is directed onto the semiconductor plate and its displacement from the center causes photocurrent between the middle and side contacts.

Фцг. 2Fzg 2